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Gallium-Nitrid-Oblate HVPE 5x5/10x10 Millimeter geben die stehende industrielle Chip-Schablone frei
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | zmkj |
| Modellnummer: | GaN-FS-C-U-C50-SSP |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 10pcs |
|---|---|
| Preis: | 1200~2500usd/pc |
| Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenkasten durch Vakuumverpackung |
| Lieferzeit: | 1-5weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 50pcs pro Monat |
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Detailinformationen |
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| Material: | Einzelner Kristall GaN | Größe: | 10x10/5x5/20x20mmt |
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| Dicke: | 0.35mm | Typ: | N-artig |
| Anwendung: | Halbleiterbauelement | ||
| Markieren: | gan Oblate,Galliumphosphidoblaten |
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Produkt-Beschreibung
Substratschablone 2inch GaN, GaN-Oblate für LeD, Halbleitergallium-Nitrid-Oblate für ld, GaN-Schablone, Oblate mocvd GaN, freistehende GaN-Substrate durch kundengebundene Größe, kleine GaN-Oblate für LED, mocvd-Gallium-Nitridoblate 10x10mm, 5x5mm, 10x5mm GaN Oblate, apolare freistehende GaN-Substrate (Einfläche und Mfläche)
GaN-Oblaten-Eigenschaft
| Produkt | Substrate des Galliumnitrids (GaN) | ||||||||||||||
| Produkt-Beschreibung: |
Schablone Saphhire GaN wird Epitxial-Hydrid-Dampfphasen-Epitaxie (HVPE)-Methode dargestellt. Im HVPE-Prozess, die Säure produzierte durch die Reaktion GaCl, die der Reihe nach mit Ammoniak zur Erzeugnisgallium-Nitridschmelze reagiert wird. Epitaxial- GaN-Schablone ist eine kosteneffektive Weise, Substrat des einzelnen Kristalles des Galliumnitrids zu ersetzen. |
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| Technische Parameter: |
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| Spezifikationen: |
Epitaxial- Film GaN (c-Fläche), N-artig, 2" * 30 Mikrometer, Saphir; Epitaxial- Film GaN (c-Fläche), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir; Epitaxial- Film GaN (r-Fläche), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir; Epitaxial- Film GaN (m-Fläche), N-artig, 2" * 5 Mikrometer Saphir. AL2O3- + GaN-Film (N-artiges lackiertes Si); AL2O3- + GaN-Film (P-artiges lackiertes Magnesium) Anmerkung: entsprechend spezieller Steckerorientierung und -größe der Kundennachfrage. |
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| Standard-Verpacken: | saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken |
Anwendung
GaN kann in vielen Bereichen wie LED-Anzeige, energiereicher Entdeckung und Darstellung verwendet werden,
Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.
- Laser-Projektions-Anzeige, Starkstromgerät, etc.
- Datumsspeicher
- Energiesparende Beleuchtung
- Farbenreiche fla Anzeige
- Laser Projecttions
- Hoch- Leistungsfähigkeits-elektronische Geräte
- Hochfrequenzmikrowellen-Geräte
- Energiereiche Entdeckung und stellen sich vor
- Neue Energie solor Wasserstofftechnologie
- Umwelt-Entdeckung und biologische Medizin
- Lichtquelle terahertz Band
Spezifikationen:
| Apolare freistehende GaN-Substrate (Einfläche und Mfläche) | ||
| Einzelteil | GaN-Rumpfstation-ein | GaN-Rumpfstation-m |
| Maße | 5.0mm×5.5mm | |
| 5.0mm×10.0mm | ||
| 5.0mm×20.0mm | ||
| Kundengebundene Größe | ||
| Stärke | 350 ± 25 µm | |
| Orientierung | Einfläche ± 1° | Mfläche ± 1° |
| TTV | µm ≤15 | |
| BOGEN | µm ≤20 | |
| Leitungs-Art | N-artig | |
| Widerstandskraft (300K) | < 0=""> | |
| Versetzungsdichte | Kleiner als 5x106 cm-2 | |
| Verwendbare Fläche | > 90% | |
| Polnisch | Vordere Oberfläche: Ra < 0=""> | |
| Hintere Oberfläche: Feiner Boden | ||
| Paket | Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100, in den einzelnen Oblatenbehältern, unter einer Stickstoffatmosphäre. | |