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Karbid-Substrat des Silikon-4Inch, hoher Reinheitsgrad-Hauptattrappe ordnen halb ultra sic Oblaten 4H-
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | e-hoh Reinheit 4inch |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1pcs |
|---|---|
| Preis: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| Verpackung Informationen: | einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden |
| Lieferzeit: | 1-6weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1-50pcs/month |
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Detailinformationen |
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| Material: | Sic einzelne Kristall-Art 4H-N | Grad: | Attrappe/Forschungs/Production-Grad |
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| Thicnkss: | 350um oder 500um | Suraface: | CMP/MP |
| Anwendung: | Geräthersteller-Poliertest | Durchmesser: | 100±0.3mm |
| Markieren: | Silikonkarbidsubstrat,Silikon auf Saphiroblaten |
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Produkt-Beschreibung
Des Silikonkarbids Durchmessers 150mm des hohen Reinheitsgrades 4H-N 4inch 6inch Substratoblaten des einzelnen Kristalles (sic), sic Kristallder barren Halbleitersubstrate sic, wie-geschnittene sic Oblaten Silikon-Karbid-Kristallscheibe Customzied
Über Silikon-Karbid-(sic) Kristall
Silikonkarbid (sic), alias Karborundum, ist ein Halbleiter, der sic Silikon und Kohlenstoff mit chemischer Formel enthält. Sic wird in den Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohe Spannungen funktionieren, oder both.SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, ist es ein populäres Substrat für das Wachsen von GaN-Geräten, und es dient auch als Hitzespreizer in starker LED.
EIGENSCHAFTEN des einzelnen Kristalles 4H-SiC
- Gitter-Parameter: a=3.073Å c=10.053Å
- Stapeln von Reihenfolge: ABCB
- Mohs-Härte: ≈9.2
- Dichte: 3,21 g/cm3
- Therm. Expansions-Koeffizient: 4-5×10-6/K
- Brechungs-Index: no= 2,61 ne= 2,66
- Dielektrizitätskonstante: 9,6
- Wärmeleitfähigkeit: a~4.2 W/cm·K@298K
- (N-artig, 0,02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
- Wärmeleitfähigkeit: a~4.9 W/cm·K@298K
- (Halb-Isolieren) c~3.9 W/cm·K@298K
- Bandlücke: 3,23 eV Bandlücke: eV 3,02
- Zusammenbruch-elektrisches Feld: 3-5×10 6V/m
- Sättigungs-Driftgeschwindigkeit: 2.0×105m/
Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation Durchmesser des hohen Reinheitsgrades 4inch
4 Zoll Durchmesser Silikon-Karbid-Substrat-Spezifikationen hohen Reinheitsgrad-4H
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SUBSTRAT-EIGENTUM |
Produktions-Grad |
Forschungs-Grad |
Blinder Grad |
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Durchmesser |
100,0 Millimeter +0.0/-0.5Millimeter |
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Oberflächenorientierung |
{0001} ±0.2° |
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Flache hauptsächlichorientierung |
<11->20> ± 5,0 ̊ |
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Flache zweitensorientierung |
90,0 ̊ CW von Primär-± 5,0 ̊, Silikon nach oben |
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Flache hauptsächlichlänge |
32,5 Millimeter ±2.0 Millimeter |
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Flache zweitenslänge |
18,0 Millimeter ±2.0 Millimeter |
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Oblaten-Rand |
Abschrägung |
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Micropipe-Dichte |
cm2 ≤5 micropipes/ |
≤10micropipes/cm2 |
cm2 ≤50 micropipes/ |
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Polytype-Bereiche durch Intensitätslicht |
Keine ermöglichten |
≤10%Bereich |
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Widerstandskraft |
≥1E5 Ω·cm |
(Bereich 75%) ≥1E5 Ω·cm |
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Stärke |
350,0 μm ± 25,0 μm oder 500,0 μm ± 25,0 μm |
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TTV |
≦10μm |
≦15μm |
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Bogen (absoluter Wert) |
≦25μm |
≦30μm |
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Verzerrung |
≦45 μm |
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Oberflächenende |
Doppeltes Seiten-Polnisches, Si-Gesicht CMP (Chemikalienpolieren) |
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Oberflächenrauigkeit |
Cmp-Si-Gesicht Ra≤0.5 Nanometer |
N/A |
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Sprünge durch Intensitätslicht |
Keine ermöglichten |
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Randchips/-einzüge durch verbreitete Beleuchtung |
Keine ermöglichten |
Qty.2<> 1,0-Millimeter-Breite und -tiefe |
Qty.2<> 1,0-Millimeter-Breite und -tiefe |
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Verwendbarer totalbereich |
≥90% |
≥80% |
N/A |
*The andere Spezifikationen kann entsprechend den Anforderungen des Kunden besonders angefertigt werden
6-Zoll hoch - Reinheit, die Spezifikationen der Substrat-4H-SiC Halb-isoliert
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Eigentum |
Grad U (ultra) |
Grad P (Produktion) |
Grad R (Forschung) |
(Blinder) Grad D |
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Durchmesser |
150,0 mm±0.25 Millimeter |
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Oberflächenorientierung |
{0001} ± 0.2° |
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Flache hauptsächlichorientierung |
<11-20> ± 5,0 ̊ |
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Flache zweitensorientierung |
N/A |
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Flache hauptsächlichlänge |
47,5 Millimeter ±1.5 Millimeter |
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Flache zweitenslänge |
Kein |
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Oblaten-Rand |
Abschrägung |
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Micropipe-Dichte |
≤1 /cm2 |
≤5 /cm2 |
≤10 /cm2 |
≤50 /cm2 |
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Polytype-Bereich durch Intensitätslicht |
Kein |
≤ 10% |
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Widerstandskraft |
≥1E7 Ω·cm |
(Bereich 75%) ≥1E7 Ω·cm |
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Stärke |
350,0 μm ± 25,0 μm oder 500,0 μm ± 25,0 μm |
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TTV |
≦10μm |
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Bogen (absoluter Wert) |
≦40μm |
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Verzerrung |
≦60μm |
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Oberflächenende |
C-Gesicht: Optisches Polier, Si-Gesicht: CMP |
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Rauheit (10μm ×10μm) |
Cmp-Si-Gesicht Ra<> 0,5 Nanometer |
N/A |
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Sprung durch Intensitätslicht |
Kein |
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Rand-Chips/Einzüge durch verbreitete Beleuchtung |
Kein |
Qty≤2, die Länge und Breite von jedem<> 1mm |
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Nutzfläche |
≥90% |
≥80% |
N/A |
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* Defektgrenzen treffen auf gesamte Oblatenoberfläche außer dem Randsperrgebiet zu. # sollten die Kratzer auf nur Sigesicht überprüft werden.
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Art 4H-N/Oblate/Barren des hohen Reinheitsgrades sic
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
3 N-artiger sic Wafer des Zoll 4H 4 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H 6 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H |
sic Halb-isolierendes 4H/Oblate des hohen Reinheitsgrades 2 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
3 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 4 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 6 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend |
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N-artige sic Oblate 6H
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 6H |
Customzied-Größe für 2-6inch
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Verkäufe u. Kundendienst
Material-Kauf
Die Einkaufsabteilung der Materialien ist verantwortlich, alle Rohstoffe zu erfassen, die benötigt werden, um Ihr Produkt zu produzieren. Komplette Nachweisbarkeit aller Produkte und Materialien, einschließlich chemische und körperliche Analyse sind immer verfügbar.
Qualität
Während und nach der Fertigung oder der maschinellen Bearbeitung Ihrer Produkte, wird Qualitätskontrollabteilung miteinbezogen, wenn man sich vergewissert, dass alle Materialien und Toleranzen Ihre Spezifikation treffen oder übersteigen.
Service
Wir pride, wenn wir Absatzvorbereitungspersonal mit in 5 Jahren Erfahrungen in der Halbleiterindustrie haben. Sie werden ausgebildet, um Fachfragen zu beantworten sowie fristgerechte Zitate für Ihren Bedarf zur Verfügung zu stellen.
wir sind an Ihrer Seite bis jederzeit, wenn Sie Problem haben, und lösen es in 10hours.