• Kundengebundene Kristallchips 4H-N der Größen-Silikon-Karbid-Oblaten-10x10x0.5mm sic
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Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: ZMKJ
Modellnummer: 10x10x0.5mmt

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 1-6weeks
Zahlungsbedingungen: T / T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1-50pcs/month
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: Art des sic einzelnen Kristalles 4H-N Grad: Blinder /Production-Grad
Thicnkss: 0,5 mm Suraface: Poliert
Anwendung: Tragfähigkeitsprüfung Durchmesser: 10x10x0.5mmt
Farbe: Dunkelbraun
Markieren:

Silikon auf Saphiroblaten

,

sic Oblate

Produkt-Beschreibung

 
Einzelne (sic) wie-geschnittene sic Oblaten Barren Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/des Silikonkarbids Durchmessers 150mm des hohen Reinheitsgrades 4H-N 4inch 6inch der Substrate wafersS/Customzied des Kristalles

Über Silikon-Karbid-(sic) Kristall  

Silikonkarbid (sic), alias Karborundum, ist ein Halbleiter, der sic Silikon und Kohlenstoff mit chemischer Formel enthält. Sic wird in den Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohe Spannungen funktionieren, oder both.SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, ist es ein populäres Substrat für das Wachsen von GaN-Geräten, und es dient auch als Hitzespreizer in starker LED.

1. Beschreibung
Eigentum4H-SiC, einzelner Kristall6H-SiC, einzelner Kristall
Gitter-Parametera=3.076 Å c=10.053 Åa=3.073 Å c=15.117 Å
Stapeln von ReihenfolgeABCBABCACB
Mohs-Härte≈9.2≈9.2
Dichte3,21 g/cm33,21 g/cm3
Therm. Expansions-Koeffizient4-5×10-6/K4-5×10-6/K
Brechungs-Index @750nm

keine = 2,61
Ne = 2,66

keine = 2,60
Ne = 2,65

Dielektrizitätskonstantec~9.66c~9.66
(N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

BandlückeeV 3,23eV 3,02
Zusammenbruch-elektrisches Feld3-5×106V/cm3-5×106V/cm
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit2.0×105m/s2.0×105m/s

 

Karbid-sic Wafer des Silikon-4 Zoll n-lackierter 4H

 Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation Durchmesser des hohen Reinheitsgrades 4inch
 
 
 

Kundengebundene Kristallchips 4H-N der Größen-Silikon-Karbid-Oblaten-10x10x0.5mm sic 1Kundengebundene Kristallchips 4H-N der Größen-Silikon-Karbid-Oblaten-10x10x0.5mm sic 2Kundengebundene Kristallchips 4H-N der Größen-Silikon-Karbid-Oblaten-10x10x0.5mm sic 3
 
KATALOG-COMMON-GRÖSSE                             
 

 

Art 4H-N/Oblate/Barren des hohen Reinheitsgrades sic
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
3 N-artiger sic Wafer des Zoll 4H
4 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
6 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H

 
sic Halb-isolierendes 4H/Oblate des hohen Reinheitsgrades

2 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
3 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
4 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
6 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
 
 
N-artige sic Oblate 6H
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 6H
 
 Customzied-Größe für 2-6inch 
 

Über ZMKJ Company
 
ZMKJ-Dose stellt Oblate des einzelnen Kristalles der hohen Qualität sic (Silikon-Karbid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie zur Verfügung. Sic ist Oblate ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und die ausgezeichneten thermischen Eigenschaften, verglichen mit Siliziumscheibe und GaAs-Oblate, sic Oblate ist für Gerätanwendung der hohen Temperatur und der hohen Leistung passender. Sic kann Wafer im Zoll des Durchmessers 2-6 sic geliefert werden, 4H und 6H, N-artiges, der Stickstoff, der lackiert werden, und die halb-isolierende verfügbare Art. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.

 
Unsere Beziehungs-Produkte 
Saphir wafer& Linse LiTaO3 Kristalles Oblaten sic LaAlO3/SrTiO3/Oblaten Rubin-Ball

Kundengebundene Kristallchips 4H-N der Größen-Silikon-Karbid-Oblaten-10x10x0.5mm sic 4

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