• Industrielles F.E. des Halbleiter-Substrat-S Zn lackierte InP-Indium-Phosphid-einzelne Kristallscheibe
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Industrielles F.E. des Halbleiter-Substrat-S Zn lackierte InP-Indium-Phosphid-einzelne Kristallscheibe

Industrielles F.E. des Halbleiter-Substrat-S Zn lackierte InP-Indium-Phosphid-einzelne Kristallscheibe

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: inp 2-4inch

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 3pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten
Lieferzeit: 2-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: Western Union, T/T, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100PCS
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Detailinformationen

Material: Einzelne Kristallscheibe InP Größe: 2inch/3inch/4inch
Art: N/P Vorteil: hohe elektronische Grenzantriebgeschwindigkeit, guter Strahlungswiderstand und gute Wärmeleitfähigke
lackiert: Fe/s/zn/undoped apsplications: für Festkörperbeleuchtung Mikrowellenkommunikation, Glasfaserkommunikation,
Markieren:

gasb Substrat

,

Oblatensubstrat

Produkt-Beschreibung

 

2inch/3inch/4inch S/Fe/Zn lackierte InP-Indium-Phosphid einzelnen Crystal Wafer

 

Indiumphosphid (InP) ist ein wichtiges Verbindungshalbleitermaterial mit den Vorteilen der hohen elektronischen Grenzantriebgeschwindigkeit, des guten Strahlungswiderstands und der guten Wärmeleitfähigkeit. Passend für Herstellungshochfrequenz, hohe Geschwindigkeit, Mikrowellengeräte der hohen Leistung und integrierte Schaltungen. Sie ist auf Festkörperbeleuchtung, Mikrowellenkommunikation, Glasfaserkommunikation, Solarzellen, Anleitung/Navigation, Satelliten und anderen Gebieten von Zivil- und Militäranwendungen weitverbreitet.

 

zmkj Dose bietet InP-Oblate – Indium-Phosphid an, die durch LEC (flüssiges eingekapseltes Czochralski) oder VGF (vertikaler Steigungs-Frost) als epi-bereiter oder mechanischer Grad mit n-Art, p-Art oder dem halb-Isolieren in der unterschiedlichen Orientierung (111) gewachsen werden oder (100).

Indiumphosphid (InP) ist ein binärer Halbleiter, der aus Indium und Phosphor besteht. Es hat eine flächenzentrierte Kubik („Zinkblende ") Kristallstruktur, die zu der von GaAs und zu die meisten III-V Halbleiter identisch ist. Indiumphosphid kann aus der Reaktion des Jodids des weißen Phosphors und des Indiums [die Erklärung benötigt worden] bei 400 °C., [5] durch direkte Kombination der gereinigten Elemente mit hoher Temperatur und Druck oder durch thermische Aufspaltung einer Mischung eines trialkyl Indiummittels und -phosphids auch vorbereitet werden. InP wird in der starken und Hochfrequenzelektronik [das Zitat benötigt] wegen seiner überlegenen Elektronengeschwindigkeit in Bezug auf die allgemeineren Halbleiter Silikon und Galliumarsenid benutzt.

 

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InP-Oblatenverarbeitung
4 Zoll-halb- isolierender Indium-Phosphid-Wafer für LD-Laserdiode
Jeder Barren wird in Oblaten, die eingehüllt werden, poliert und in die Oberfläche, die für Epitaxie vorbereitet wird geschnitten. Der Gesamtprozeß wird nachstehend einzeln aufgeführt.

4 Zoll-halb- isolierender Indium-Phosphid-Wafer für LD-Laserdiode
Flache Spezifikation und Identifizierung Die Orientierung wird auf den Oblaten durch zwei Ebenen angezeigt (lang flach für Orientierung, kleine Ebene für Identifizierung). Normalerweise wird der E.J.-Standard (europäisch-japanisch) verwendet. Die abwechselnde flache Konfiguration (US) wird größtenteils für Ø 4" Oblaten verwendet.
4 Zoll-halb- isolierender Indium-Phosphid-Wafer für LD-Laserdiode
Orientierung des Boule Entweder genaue (100) oder misoriented Oblaten werden angeboten.
4 Zoll-halb- isolierender Indium-Phosphid-Wafer für LD-Laserdiode
Genauigkeit der Orientierung von In Erwiderung auf den Bedarf der optoelektronischen Industrie, wir Angebotoblaten mit ausgezeichneter Genauigkeit von der Orientierung: < 0="">
 4 Zoll-halb- isolierender Indium-Phosphid-Wafer für LD-Laserdiode
Randprofil Es gibt zwei allgemeine Spezifikt.: chemischer verarbeitender oder mechanisches Randverarbeitender Rand (mit einem Randschleifer).
4 Zoll-halb- isolierender Indium-Phosphid-Wafer für LD-Laserdiode
Polnisch Oblaten werden mittels eines Chemikalie-mechanischen Prozesses mit dem Ergebnis einer flachen, Schaden-freien Oberfläche poliert. wir stellen beide doppel-seitigen Polier- und Simplex polierten (mit eingehüllter und geätzter Rückseite) Oblaten zur Verfügung.
4 Zoll-halb- isolierender Indium-Phosphid-Wafer für LD-Laserdiode
Abschließendes Vorbereiten der Oberfläche und Verpacken Oblaten laufen viele chemischen Schritte, das Oxid zu entfernen durch, das während des Polierens und eine saubere Oberfläche mit stabiler und einheitlicher Oxidschicht zu schaffen produziert wird, die zur Epitaxie - epiready Oberfläche und die verringert Spurenelemente auf extrem - niedrige Stände bereit ist. Nach Endprüfung werden die Oblaten auf eine Art verpackt, die die Oberflächensauberkeit beibehält.
Spezifische Anweisungen für Oxidabbau sind für alle Arten Epitaxial- Technologien (MOCVD, MBE) verfügbar.
4 Zoll-halb- isolierender Indium-Phosphid-Wafer für LD-Laserdiode
Datenbank Als Teil unseres statistischen prozesskontrollierten/des umfassenden Qualitätsmanagements Programms sind die umfangreiche Datenbank, welche die elektrischen und mechanischen Eigenschaften für jeden Barren sowie Kristallqualitäts- und Oberflächenanalyse von Oblaten notiert, verfügbar. An jedem Verarbeitungsgrad, wird das Produkt kontrolliert, bevor man zum folgenden Stadium, zum einer hohen Stufe der Qualitätsübereinstimmung von Oblate zu Oblate und von Boule zu Boule beizubehalten überschreitet.

 

pecification s für 2-4inch

 

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Über unsere Firma
SHANGHAI BERÜHMTE GESCHÄFTSco., Ltd. findet in der Stadt von Shanghai, das die beste Stadt von China ist, und unsere Fabrik wird in Wuxi-Stadt im Jahre 2014 gegründet.
Wir spezialisieren uns, auf, eine Vielzahl von Materialien zu den Oblaten, zu Substraten und zu custiomized optischem Glas-parts.components zu verarbeiten, die auf Elektronik, Optik, Optoelektronik und vielen anderen Gebieten weitverbreitet sind. Wir auch haben nah mit vielen inländischen gearbeitet und Überseeuniversitäten, Forschungsinstitutionen und Firmen, stellen kundengebundene Produkt und Service für ihre R&D-Projekte zur Verfügung.
Es ist unsere Vision zum Beibehalten eines guten Verhältnisses von Zusammenarbeit mit unseren allen Kunden durch unsere guten reputatiaons.
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