• Al2O3 6Inch Sapphire Wafer DSP mit Kerbe kundengebundenem Saphirfenster der Stärke-hohen Präzision
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Al2O3 6Inch Sapphire Wafer DSP mit Kerbe kundengebundenem Saphirfenster der Stärke-hohen Präzision

Al2O3 6Inch Sapphire Wafer DSP mit Kerbe kundengebundenem Saphirfenster der Stärke-hohen Präzision

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: 8INCH*0.725mmt

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 10pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: im Oblatenkasten der Kassette 25pcs unter Raum der Reinigung 100grade
Lieferzeit: 3-5weeks
Zahlungsbedingungen: T / T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pcs pro Monat
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: einzelner Kristall des Saphirs Orientierung: C-Achse
Oberfläche: SSP oder DSP Stärke: 0.5mm oder besonders angefertigt
Anwendung: Fördermaschine des geführten oder optischen Glases/Halbleiter Wachstums-Methode: KY
TTV: <5um> VON DER ART: Kerbe
Markieren:

Saphir-Oblate

,

Silikonsubstrat

Produkt-Beschreibung

 

Machsen6"/6inch dia150mm C-Fläche Saphirs SSP/DSP 8inch/6inch/5inch/2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/a-axis/r-axis/Oblaten mit Stärke 650um/1000um mit Kerbenart für HalbleiterTrägerplatten/PAS pss/optisches

 

Ungefähr synthetischer Saphirkristall

Sapphire Properties

                                                
GENERAL
Chemische Formel   Al2O3
Crystal Stucture   Sechseckiges System ((HK O 1)
Einheits-Zellmaß   a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c: a=2.730
SYSTEMTEST
    MetrischEnglisch (Kaiser)
Dichte   3,98 g/cc 0,144 lb/in3
Härte   1525 - 2000 Knoop, 9 Mhos3700° F
Schmelzpunkt   2310 K (2040° C)  
STRUKTURELL
Dehnfestigkeit   MPa 275 zu MPa 400 40.000 bis 58.000 P/in
  an 20° MPa 400 58.000 P/in (Entwurf Min.)
  an 500° C MPa 275 40.000 P/in (Entwurf Min.)
  an 1000° CMPa 355 52.000 P/in (Entwurf Min.)
Flexural Stength  MPa 480 zu MPa 895 70.000 bis 130.000 P/in
Kompressions-Stärke   2,0 GPa (entscheidend) 300.000 P/in (entscheidend)
                   

Der Kyropoulos-Prozess (KY-Prozess) für Kristallwachstum des Saphirs wird z.Z. von vielen Firmen in China verwendet, um Saphir für die Elektronik- und Optikindustrien zu produzieren.
, Aluminiumoxyd von hohem Reinheitsgrad wird in einem Tiegel an über 2100 Grad Celsius geschmolzen. Gewöhnlich wird der Tiegel vom Wolfram oder vom Molybdän hergestellt. Ein genau orientiertes Impfkristall wird in die flüssige Tonerde eingetaucht. Das Impfkristall wird langsam aufwärts gezogen und wird gedreht möglicherweise gleichzeitig. Indem man genau die Temperaturgradienten, Rate des Ziehens und Rate der Temperaturabnahme steuert, ist es möglich, ein großes, Einzelkristall, ungefähr Stab zu produzieren von der Schmelze.
Nach einzelnem Kristallsaphir werden Boules gewachsen, werden sie in zylinderförmige Stangen Kern-gebohrt, werden die Stangen oben in die gewünschte Fensterstärke geschnitten und poliert schließlich zum gewünschten Oberflächenende.

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Al2O3 6Inch Sapphire Wafer DSP mit Kerbe kundengebundenem Saphirfenster der Stärke-hohen Präzision 1

Gebrauch als Substrat für Halbleiterstromkreise
Dünne Saphiroblaten waren der erste erfolgreiche Gebrauch eines isolierenden Substrates, nach dem, Silikon niederzulegen, um die integrierten Schaltungen bekannt als Silikon auf Saphir oder „PAS“, außer seinen ausgezeichneten elektrischen isolierenden Eigenschaften herzustellen, Saphir hohe Wärmeleitfähigkeit hat. Cmos-Chips auf Saphir sind für starke Anwendungen der Hochfrequenz (Rf) wie die besonders nützlich, die in den Mobiltelefonen, in den Bandradios der öffentlichen Sicherheit und in den Verbindung- über Satellitsystemen gefunden werden.
Oblaten des Einzelkristallsaphirs werden auch in der Halbleiterindustrie als Substrate für das Wachstum von den Geräten benutzt, die auf Galliumnitrid (GaN) basieren. Der Gebrauch des Saphirs verringert erheblich die Kosten, weil er ungefähr ein siebtel die Kosten des Germaniums hat. Galliumnitrid auf Saphir ist in den blauen Leuchtdioden (LED) allgemein verwendet.

Verwendet als Fenstermaterial
Der synthetische Saphir (manchmal gekennzeichnet als Saphirglas) ist als Fenstermaterial, weil er zu den Wellenlängen des Lichtes zwischen 150 Nanometer (UV) und 5500 Nanometer (IR) in hohem Grade transparent ist (das sichtbare Spektrum, verlängert ungefähr 380 Nanometer bis 750 Nanometer und außerordentlich Kratzer-beständiges allgemein verwendet. Der Schlüsselnutzen von Saphirfenstern ist:
* sehr breites Lichtwellenleiterübertragungsband von UV zu fast-Infrarot
* erheblich stärker als andere optische Materialien oder Glasfenster
* in hohem Grade beständig gegen das Verkratzen und Abnutzung (9 auf der Mohs-Skala der Mineralhärteskala, die 3. härteste natürliche Substanz nahe bei moissanite und die Diamanten)
* extrem hochschmelzende Temperatur (°C) 2030

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CATALOGU- u. Stcok-Liste
 

Standardoblate (customzied)

2-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP
3-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP
4-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP
6-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP
Spezieller Schnitt
(1120) Saphiroblate der Ein-Fläche
(1102) Saphiroblate der R-Fläche
(1010) Saphiroblate der M-Fläche
(1123) Saphiroblate der N-Fläche
C-Achse mit einem Offcut 0.5°~ 4°, in Richtung zur Ein-Achse oder zur M-Achse
Andere kundengebundene Orientierung
Kundengebundene Größe
10*10mm Saphiroblate
20*20mm Saphiroblate
Ultra dünne Oblate des Saphirs (100um)
8-Zoll-Saphirwafer
 
Kopierte Sapphire Substrate (PSS)
2-Zoll-C-Fläche PSS
4-Zoll-C-Fläche PSS
 
    
2inch

DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm

/0.5mm/ 1.0mmt

 

SSP-C-Achse 0.2/0.43mm

(DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm

 

 

3inch

 

C-Achse 0.43mm/0.5mm DSP/SSP

 

 

4Inch

 

dsp   Cachse 0.4mm/0.5mm/1.0mm

ssp Cachse 0.5mm/0.65mm/1.0mmt

 

 

6inch

ssp Cachse 1.0mm/1.3mmm

 

dsp Cachse 0.65mm/0.8mm/1.0mmt

 

 

 

Spezifikation für Substrate

Orientierung R-Fläche, C-Fläche, Ein-Fläche, M-Fläche oder eine spezifizierte Orientierung
Orientierungs-Toleranz ± 0.1°
Durchmesser 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 5inch, 6 Zoll, 8 Zoll oder andere
Durchmesser-Toleranz 0.1mm für 2 Zoll, 0.2mm für 3 Zoll, 0.3mm für 4 Zoll, 0.5mm für 6 Zoll
Stärke 0.08mm, 0.1mm, 0.175mm, 0.25mm, 0.33mm, 0.43mm, 0.65mm, 1mm oder andere;
Dickentoleranz 5μm
Flache hauptsächlichlänge 16.0±1.0mm für 2 Zoll, 22.0±1.0mm für 3 Zoll, 30.0±1.5mm für 4 Zoll, 47.5/50.0±2.0mm für 6 Zoll
Flache hauptsächlichorientierung Ein-Fläche (1 1-2 0) ± 0.2°; C-Fläche (0 0-0 1) ± 0.2°, hervorstehende C-Achse 45 +/- 2°
TTV ≤7µm für 2 Zoll, ≤10µm für 3 Zoll, ≤15µm für 4 Zoll, ≤25µm für 6 Zoll
BOGEN ≤7µm für 2 Zoll, ≤10µm für 3 Zoll, ≤15µm für 4 Zoll, ≤25µm für 6 Zoll
Front Surface Epi-Polier (Ra< 0="">
Hintere Oberfläche Feiner Boden (Ra=0.6μm~1.4μm) oder Epi-Polier
Verpacken Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100

 

 

Produkte führen einzeln auf

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Zahlung/Verschiffen

 

Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?

 

(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.

(2) wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, ist es groß.

 

 

Q: Wie man zahlt?

 

(1) T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram und

Versicherungszahlung auf Alibaba und ETC….

(2) Bank-Gebühr: West-Union≤USD1000.00),

T/T -:  über 1000usd bitte durch t/t

 

Q: Was ist, Zeit zu liefern?

 

(1) für Inventar: die Lieferfrist beträgt 5 Arbeitstage.
(2) für kundengebundene Produkte: die Lieferfrist beträgt 7 bis 25 Arbeitstage. Entsprechend der Quantität.

 

Q: Kann ich die Produkte besonders anfertigen, die auf meinem Bedarf basieren?

 

Ja können wir das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihre optischen Komponenten besonders anfertigen, die auf Ihrem Bedarf basieren.

 

Al2O3 6Inch Sapphire Wafer DSP mit Kerbe kundengebundenem Saphirfenster der Stärke-hohen Präzision 9

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