• Stärke des hoher Reinheitsgrad-dünne Saphir-Oblaten-Saphir-einzelnen Kristall-0.7mm
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Stärke des hoher Reinheitsgrad-dünne Saphir-Oblaten-Saphir-einzelnen Kristall-0.7mm

Stärke des hoher Reinheitsgrad-dünne Saphir-Oblaten-Saphir-einzelnen Kristall-0.7mm

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: Rachsenfördermaschinen-Saphiroblate

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 10pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: im Oblatenkasten der Kassette 25pcs unter Raum der Reinigung 100grade
Lieferzeit: 3-5weeks
Zahlungsbedingungen: T / T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pcs pro Monat
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: einzelner Kristall des Saphirs Orientierung: R-Achse
Oberfläche: ssp oder dsp Stärke: 0.7mm
Anwendung: FÖRDERMASCHINE Wachstumsmethode: KY
TTV: <3um> Größe: 4.125inch/6.125inch/6inch/8inch
Markieren:

Saphiroblate

,

Silikonsubstrat

Produkt-Beschreibung

Machsen6"/6inch dia150mm C-Fläche Saphirs SSP/DSP 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/a-axis/r-axis/Oblaten mit Stärke 650um/1000um

TTV<3um 4="">

Über synthetischen Saphirkristall

Der Kyropoulos-Prozess (KY-Prozess) für Kristallwachstum des Saphirs wird z.Z. von vielen Firmen in China verwendet, um Saphir für die Elektronik- und Optikindustrien zu produzieren.
, Aluminiumoxyd von hohem Reinheitsgrad wird in einem Tiegel an über 2100 Grad Celsius geschmolzen. Gewöhnlich wird der Tiegel vom Wolfram oder vom Molybdän hergestellt. Ein genau orientiertes Impfkristall wird in die flüssige Tonerde eingetaucht. Das Impfkristall wird gezogen langsam aufwärts und wird gleichzeitig gedreht möglicherweise. Indem man genau die Temperaturgradienten, Rate des Ziehens und Rate der Temperaturabnahme steuert, ist es möglich, ein großes, Einzelkristall, ungefähr Stab zu produzieren von der Schmelze.
Nachdem Boules Saphir des einzelnen Kristalles gewachsen sind, werden sie in zylinderförmige Stangen Kern-gebohrt, werden die Stangen oben in die gewünschte Fensterstärke geschnitten und poliert schließlich zum gewünschten Oberflächenende.

Stärke des hoher Reinheitsgrad-dünne Saphir-Oblaten-Saphir-einzelnen Kristall-0.7mm 0

Gebrauch als Substrat für Halbleiterstromkreise
Dünne Saphiroblaten waren der erste erfolgreiche Gebrauch eines isolierenden Substrates, nach dem, Silikon niederzulegen, um die integrierten Schaltungen bekannt als Silikon auf Saphir oder „PAS“, außer seinen ausgezeichneten elektrischen isolierenden Eigenschaften herzustellen, Saphir hohe Wärmeleitfähigkeit hat. Cmos-Chips auf Saphir sind für starke Hochfrequenz (RF)-Anwendungen wie die besonders nützlich, die in den Mobiltelefonen, in den Bandradios der öffentlichen Sicherheit und in den Verbindung- über Satelittesystemen gefunden werden.
Oblaten des Einzelkristallsaphirs werden auch in der Halbleiterindustrie als Substrate für das Wachstum von den Geräten benutzt, die auf Galliumnitrid (GaN) basieren. Der Gebrauch des Saphirs verringert erheblich die Kosten, weil er ungefähr ein siebtel die Kosten des Germaniums hat. Galliumnitrid auf Saphir ist in den blauen Leuchtdioden (LEDs) allgemein verwendet.


Verwendet als Fenstermaterial
Der synthetische Saphir (manchmal gekennzeichnet als Saphirglas) ist als Fenstermaterial, weil er beide ist, die zu den Wellenlängen des Lichtes zwischen 150 Nanometer in hohem Grade transparent sind (UV) und 5500 Nanometer (IR) (das sichtbare Spektrum, verlängert ungefähr 380 Nanometer bis 750 Nanometer und außerordentlich Kratzer-beständiges allgemein verwendet. Der Schlüsselnutzen von Saphirfenstern ist:
* sehr breites Lichtwellenleiterübertragungsband von UV zu fast-Infrarot
* erheblich stärker als andere optische Materialien oder Glasfenster
* in hohem Grade beständig gegen das Verkratzen und Abnutzung (9 auf der Mohs-Skala der Mineralhärteskala, die 3. härteste natürliche Substanz nahe bei moissanite und die Diamanten)
* extrem hochschmelzende Temperatur (°C) 2030

 

Stärke des hoher Reinheitsgrad-dünne Saphir-Oblaten-Saphir-einzelnen Kristall-0.7mm 1

Saphir-Eigenschaften

ALLGEMEIN
Chemische Formel
 
Al2O3
Kristallstruktur
 
Sechseckiges System ((HK O 1)
Einheits-Zellmaß
 
a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c: a=2.730
KÖRPERLICH
 
 
Metrisch
Englisch (Kaiser)
Dichte
 
3,98 g/cc
0,144 lb/in3
Härte
 
1525 - 2000 Knoop, 9 Mhos
3700° F
Schmelzpunkt
 
2310 K (2040° C)
 
STRUKTURELL
Dehnfestigkeit
 
MPa 275 zu MPa 400
40.000 bis 58.000 P/in
 
an 20°
MPa 400
58.000 P/in (Entwurf Min.)
 
an 500° C
MPa 275
40.000 P/in (Entwurf Min.)
 
an 1000° C
MPa 355
52.000 P/in (Entwurf Min.)
Flexural Stength
 
MPa 480 zu MPa 895
70.000 bis 130.000 P/in
Kompressions-Stärke
 
2,0 GPa (entscheidend)
300.000 P/in (entscheidend)

 

CATALOGU- u. Stcok-Liste
 

Standardoblate

2-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP
3-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP
4-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP
6-Zoll-C-Flächensaphirwafer SSP/DSP
Special-Schnitt
(1120) Saphiroblate der Ein-Fläche
(1102) Saphiroblate der R-Fläche
(1010) Saphiroblate der M-Fläche
(1123) Saphiroblate der N-Fläche
C-Achse mit einem Offcut 0.5°~ 4°, in Richtung zur Ein-Achse oder zur M-Achse
Andere kundengebundene Orientierung
Kundengebundene Größe
10*10mm Saphiroblate
20*20mm Saphiroblate
Ultra dünne Oblate des Saphirs (100um)
8-Zoll-Saphirwafer
 
Kopiertes Saphir-Substrat (PSS)
2-Zoll-C-Fläche PSS
4-Zoll-C-Fläche PSS
 
                         2inch 

 DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt  

 SSP-C-Achse 0.2/0.43mm

(DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm 

 

                         3inch  

  C-Achse 0.43mm/0.5mm DSP/SSP  

 

                          4Inch 

dsp Cachse 0.4mm/0.5mm/1.0mm

ssp Cachse 0.5mm/0.65mm/1.0mmt

 

 

                          6inch

 ssp Cachse 1.0mm/1.3mmm

 

dsp Cachse 0.65mm/0.8mm/1.0mmt 

 

Stärke des hoher Reinheitsgrad-dünne Saphir-Oblaten-Saphir-einzelnen Kristall-0.7mm 2Stärke des hoher Reinheitsgrad-dünne Saphir-Oblaten-Saphir-einzelnen Kristall-0.7mm 3

 

Einzelteil Parameter Spezifikt. Einheit
1 Produkt-Name Saphir-Oblate (Al2O3)  
2 Durchmesser 2" 4" 6" Millimeter
3 Stärke 430± 25 650± 25 ± 1000 25 μm
4 Oberflächenorientierung Gekippte M-Achse 0.2°/0.35°± 0.1° der C-Fläche (0001) Grad
5 Primärebene Ein-Achse (11-20) ± 0.2° Grad
Orientierungs-Länge 16 ± 0,5 31 ± 1,0 47,5 ± 2,0 Millimeter
6 TTV < 10=""> < 10=""> < 25=""> μm
7 Bogen -10 | 0 -15 | 0 -30 | 0 μm
8 Verzerrung 10 20 30 μm
9 Rauheits-Vorderseite 0,5 0,5 0,5 Nanometer
10 Rauheits-Rückseite 1,0 ± 0,3 μm
11 Oblaten-Rand R-artig oder T-artig  
12 Laser-Kennzeichen Fertigen Sie besonders an
 

UNSERE FABRIK

 

Zahlung/Verschiffen

 

Q: Was ist die Weise des Verschiffens und der Kosten?

 

(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.

(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.

(3) befördern =USD35.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

 

Q: Wie man zahlt?

 

(1) T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram und

Versicherungszahlung auf Alibaba und ETC….

(2) Bank-Gebühr: West-Union-USD30.00 (≤USD3000.00),

T/T-USD20.00+, Paypal-5%. Konsultieren Sie bitte die örtliche Bank.

 

Q: Was ist die Liefungszeit?

 

(1) für Inventar: die Lieferfrist beträgt 5 Arbeitstage.
(2) für kundengebundene Produkte: die Lieferfrist beträgt 7 bis 25 Arbeitstage. Entsprechend der Quantität.

 

Q: Kann ich die Produkte besonders anfertigen, die auf meinem Bedarf basieren?

 

Ja können wir das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für Ihre optischen Komponenten besonders anfertigen, die auf Ihrem Bedarf basieren.

 

 

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert Stärke des hoher Reinheitsgrad-dünne Saphir-Oblaten-Saphir-einzelnen Kristall-0.7mm Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
Auf deine Antwort wartend.