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Oblate des einzelnen Kristall-5*5mm 6 H-N Polished Silicon Carbide
Produktdetails:
| Herkunftsort: | CHINA |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | Kundengebundene Größe |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1pcs |
|---|---|
| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden |
| Lieferzeit: | 1-6weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1-50pcs/month |
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Detailinformationen |
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| Material: | Sic einzelne Kristall-Art 6H-N | Grad: | Prüfen Sie Grad |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.35mm 0.5mm | Suraface: | Polier |
| Anwendung: | Tragfähigkeitsprüfung | Durchmesser: | 2inch oder 10x10mmt, 5x10mmt: |
| Farbe: | Grün | ||
| Markieren: | Poliersilikon-Karbid-Oblate,6 H-N Silicon Carbide Wafer,Karbid-sic Substrat Chips Wafer |
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Produkt-Beschreibung
Einzelne (sic) wie-geschnittene sic Oblaten Barren Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/des Silikonkarbids Durchmessers 150mm des hohen Reinheitsgrades 4H-N 4inch 6inch der Substrate wafersS/Customzied des Kristalles
6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt 5*5mm Poliersubstratchips Oblate des silikon-Karbids sic
Über Silikon-Karbid-(sic) Kristall
Silikonkarbid (sic), alias Karborundum, ist ein Halbleiter, der sic Silikon und Kohlenstoff mit chemischer Formel enthält. Sic wird in den Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohe Spannungen funktionieren, oder both.SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, ist es ein populäres Substrat für das Wachsen von GaN-Geräten, und es dient auch als Hitzespreizer in starker LED.
| Eigentum | 4H-SiC, einzelner Kristall | 6H-SiC, einzelner Kristall |
| Gitter-Parameter | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Stapeln von Reihenfolge | ABCB | ABCACB |
| Mohs-Härte | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Dichte | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Expansions-Koeffizient | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Brechungs-Index @750nm |
keine = 2,61 |
keine = 2,60 |
| Dielektrizitätskonstante | c~9.66 | c~9.66 |
| (N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit |
a~4.2 W/cm·K@298K |
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| Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
| Bandlücke | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Zusammenbruch-elektrisches Feld | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Sättigungs-Driftgeschwindigkeit | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation Durchmesser des hohen Reinheitsgrades 4inch
| Durchmesser 2inch Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation | ||||||||||
| Grad | Nullmpd-Grad | Produktions-Grad | Forschungs-Grad | Blinder Grad | ||||||
| Durchmesser | 50,8 mm±0.2mm | |||||||||
| Stärke | 330 μm±25μm oder 430±25um | |||||||||
| Oblaten-Orientierung | Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu <1120> ±0.5° für 4H-N/4H-SI auf Achse: <0001> ±0.5° für 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Micropipe-Dichte | cm2 ≤0 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤100 | ||||||
| Widerstandskraft | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Primärebene | {10-10} ±5.0° | |||||||||
| Flache hauptsächlichlänge | 18,5 mm±2.0 Millimeter | |||||||||
| Flache zweitenslänge | 10.0mm±2.0 Millimeter | |||||||||
| Flache zweitensorientierung | Silikon nach oben: 90° CW. von flachem Haupt±5.0° | |||||||||
| Randausschluß | 1 Millimeter | |||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤10μm/≤10μm/≤15μm | |||||||||
| Rauheit | Polnisches Ra≤1 Nanometer | |||||||||
| CMP Ra≤0.5 Nanometer | ||||||||||
| Sprünge durch Licht der hohen Intensität | Kein | 1 gewährt, ≤2 Millimeter | Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm | |||||||
| Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität | Kumulativer Bereich ≤1% | Kumulativer Bereich ≤1% | Kumulativer Bereich ≤3% | |||||||
| Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität | Kein | Kumulativer Bereich ≤2% | Kumulativer Bereich ≤5% | |||||||
| Kratzer durch Licht der hohen Intensität | 3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer | |||||||
| Randchip | Kein | 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder | 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder | |||||||
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4 H-N Type/Oblate/Barren des hohen Reinheitsgrades sic
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
3 N-artiger sic Wafer des Zoll 4H 4 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H 6 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H |
sic Halb-isolierendes 4H/Oblate des hohen Reinheitsgrades 2 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
3 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 4 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 6 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend |
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N-artige sic Oblate 6H
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 6H |
Customzied-Größe für 2-6inch
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Sic Anwendungen
Verwendungsgebiete
- 1 Hochfrequenz- und Schottky-Dioden der elektronischen Geräte der hohen Leistung, JFET, BJT, PiN,
- Dioden, IGBT, MOSFET
- 2 optoelektronische Geräte: hauptsächlich verwendet in GaN/im sic blauen LED-Substratmaterial (GaN/sic) LED
>Verpacken – Logistcs
wir betreffen jedes Details des Pakets, die Reinigung, antistatisch, Schocktherapie.
Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes, nehmen wir einen anderen Verpackenprozeß! Fast durch einzelne Oblatenkassetten oder Kassette 25pcs im Reinigungsraum mit 100 Graden.