• Oberflächenattrappen-Hauptgrad SIC-Oblate der Reinheits-6N Undoped HPSI DSP
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Oberflächenattrappen-Hauptgrad SIC-Oblate der Reinheits-6N Undoped HPSI DSP

Oberflächenattrappen-Hauptgrad SIC-Oblate der Reinheits-6N Undoped HPSI DSP

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: ZMKJ
Modellnummer: e-hoh der Reinheit 4inch Oblaten sic

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 2pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 1-4weeks
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1-50pcs/month
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: Sic einzelnes Kristall-4h-N Grad: Produktionsgrad
Thicnkss: 2mm oder 0.5mm Suraface: DSP
Anwendung: Epitaxial- Durchmesser: 4Inch
Farbe: farblos MPD: <1cm-2>
Markieren:

Karborundum Siliziumscheibe

,

blinde Grad Siliziumscheibe

,

Monokristalline Siliziumscheibe DSP

Produkt-Beschreibung

Barren Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/Silikonkarbid Durchmessers 150mm des hohen Reinheitsgrades 4H-N 4inch 6inch einzeln

 

UNO-lackiertes 4" 6" Produktion Oblate 4Inch 6inch 4h-semi sic blinder Grad

 

Über Silikon-Karbid-(sic) Kristall

 

Silikonkarbid (sic), alias Karborundum, ist ein Halbleiter, der sic Silikon und Kohlenstoff mit chemischer Formel enthält. Sic wird in den Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohe Spannungen funktionieren, oder both.SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, ist es ein populäres Substrat für das Wachsen von GaN-Geräten, und es dient auch als Hitzespreizer in starker LED.

 

1. Beschreibung
Eigentum 4H-SiC, einzelner Kristall 6H-SiC, einzelner Kristall
Gitter-Parameter a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Stapeln von Reihenfolge ABCB ABCACB
Mohs-Härte ≈9.2 ≈9.2
Dichte 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Expansions-Koeffizient 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Brechungs-Index @750nm

keine = 2,61
Ne = 2,66

keine = 2,60
Ne = 2,65

Dielektrizitätskonstante c~9.66 c~9.66
(N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

Bandlücke eV 3,23 eV 3,02
Zusammenbruch-elektrisches Feld 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit 2.0×105m/s 2.0×105m/s

4 Zoll n-lackierte Karbid-sic Wafer des Silikon-4H

4H-N 4inch Durchmesser Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation

 
Durchmesser 2inch Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation  
Grad Nullmpd-Grad Produktions-Grad Forschungs-Grad Blinder Grad  
 
Durchmesser 100. mm±0.38mm 150±0.5mm  
 
Stärke  500±25um oder andere kundengebundene Stärke 
 
Oblaten-Orientierung Weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu <1120> ±0.5° für 4H-N/4H-SI auf Achse: <0001> ±0.5° für 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Micropipe-Dichte ≤0.4cm-2 ≤1cm-2 ≤5cm-2 cm2 ≤10  
 
Widerstandskraft 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm  
 
4/6H-SI ≥1E7 Ω·cm  
 
Primärebene {10-10} ±5.0°  
 
Flache hauptsächlichlänge 18,5 mm±2.0 Millimeter  
 
Flache zweitenslänge 10.0mm±2.0 Millimeter  
 
Flache zweitensorientierung Silikon nach oben: 90° CW. von flachem Haupt±5.0°  
 
Randausschluß 1 Millimeter  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Rauheit Polnisches Ra≤1 Nanometer  
 
CMP Ra≤0.5 Nanometer  
 
Sprünge durch Licht der hohen Intensität Kein 1 gewährt, ≤2 Millimeter Kumulatives Länge ≤ 10mm, einzelnes length≤2mm  
 
 
Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität Kumulativer Bereich ≤1% Kumulativer Bereich ≤1% Kumulativer Bereich ≤3%  
 
Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität Kein Kumulativer Bereich ≤2% Kumulativer Bereich ≤5%  
 
 
Kratzer durch Licht der hohen Intensität 3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer 5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer  
 
 
Randchip Kein 3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder 5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder  

 

Produktionsanzeigenshow

 

 Oberflächenattrappen-Hauptgrad SIC-Oblate der Reinheits-6N Undoped HPSI DSP 1
 
Oberflächenattrappen-Hauptgrad SIC-Oblate der Reinheits-6N Undoped HPSI DSP 2
Oberflächenattrappen-Hauptgrad SIC-Oblate der Reinheits-6N Undoped HPSI DSP 3Oberflächenattrappen-Hauptgrad SIC-Oblate der Reinheits-6N Undoped HPSI DSP 4
KATALOG   ALLGEMEINE GRÖSSE   In UNSERER INVENTAR-LISTE
  
 

 

4 H-N Type/Oblate/Barren des hohen Reinheitsgrades sic
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
3 N-artiger sic Wafer des Zoll 4H
4 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
6 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H

sic Halb-isolierendes 4H/Oblate des hohen Reinheitsgrades

2 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
3 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
4 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
6 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
 
 
N-artige sic Oblate 6H
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 6H
 
 Customzied-Größe für 2-6inch
 
 

Sic Anwendungen

 

Verwendungsgebiete

  • 1 Hochfrequenz- und Schottky-Dioden der elektronischen Geräte der hohen Leistung, JFET, BJT, PiN,
  • Dioden, IGBT, MOSFET
  • 2 optoelektronische Geräte: hauptsächlich verwendet in GaN/im sic blauen LED-Substratmaterial (GaN/sic) LED

>Verpacken – Logistcs
wir betreffen jedes Details des Pakets, die Reinigung, antistatisch, Schocktherapie.

Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes, nehmen wir einen anderen Verpackenprozeß! Fast durch einzelne Oblatenkassetten oder Kassette 25pcs im Reinigungsraum mit 100 Graden.

FAQ
Q1. Sind Sie eine Fabrik?
A1. Ja sind wir ein Berufshersteller von optischen Komponenten, haben wir mehr als Erfahrung 8years in den Oblaten und im Prozess der optischen Linse.
 
Q2. Was ist das MOQ Ihrer Produkte?
A2. Kein MOQ für Kunden, wenn unser Produkt auf Lager ist oder 1-10pcs.
 
Q3: Kann ich kundenspezifisch die Produkte, die auf meiner Anforderung basieren?
A3.Yes, können wir Gewohnheit das Material, die Spezifikationen und die optische Beschichtung für youroptical Komponenten als Ihre Anforderung.
 
Q4. Wie kann ich zu probieren von Ihnen erhalten?
A4. Schicken Sie uns Ihre Anforderungen einfach, dann werden wir sendsamples dementsprechend.
 
Q5. Wieviele Tage sind Proben fertig? Wie über Massenprodukte?
A5. Im Allgemeinen benötigen wir 1~2weeks, die Musterfertigung zu beenden. Was die Massenprodukte anbetrifft, es abhängt von Ihrer Auftragsquantität.
 
Q6. Was ist die Lieferfrist?
A6. (1) für Inventar: die Lieferfrist beträgt 1-3 Werktage. (2) für kundengebundene Produkte: die Lieferfrist beträgt 7 bis 25 Werktage.
Entsprechend der Quantität.
 
Q7. Wie steuern Sie die Qualität?
A7. Mehr als viermal, die Qualität während des Produktionsverfahrens, wir kontrollieren, können den Qualitätsprüfungsbericht zur Verfügung stellen.
 
Q8. Wie über Ihre Produktionsfähigkeit der optischen Linse pro Monat?
A8. Über 1,000pcs/Month. entsprechend der Detailanforderung.

 

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert Oberflächenattrappen-Hauptgrad SIC-Oblate der Reinheits-6N Undoped HPSI DSP Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
Auf deine Antwort wartend.