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2 Film-Silikon basierte des Zoll-1000nm AlN Aluminium-Nitrid-Halbleiter-Substrat
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | UTI-AlN-100 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 3pcs |
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| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenbehälter im Reinigungsraum |
| Lieferzeit: | in 30days |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, Paypal |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 50PCS/Month |
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Detailinformationen |
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| Substrat: | Siliziumscheibe | Schicht: | AlN-Schablone |
|---|---|---|---|
| Schichtstärke: | 200-1000nm | Leitfähigkeitsart: | N/P |
| Orientierung: | 0001 | Anwendung: | hohe Leistung/Hochfrequenzelektronische geräte |
| Anwendung 2: | Geräte 5G saw/BAW | Silikonstärke: | 525um/625um/725um |
| Markieren: | AlN-Film Halbleiter-Substrat,AlN-Aluminium-Nitrid-Substrat,Oblate des Aluminium-Nitrids 1000nm |
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Produkt-Beschreibung
Silikon-ansässiger AlN Film Schablonen 500nm AlN 4inch 6inch auf Silikonsubstrat
Anwendungen von AlN-Schablone
Silikon-ansässige Halbleitertechnik hat seine Grenzen erreicht und den Anforderungen von Zukunft nicht gerecht werden konnte
elektronische Geräte. Als typische Art Material des Halbleiters 3rd/4th-generation, hat Aluminium-Nitrid (AlN)
überlegene körperliche und chemische Eigenschaften wie große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit, hoher Zusammenbruch archivierten,
hoher elektronischer Mobilitäts- und Korrosions-/Strahlungswiderstand und ist ein perfektes Substrat für optoelektronische Geräte,
Gerät-, starke/Hochfrequenzelektronische geräte der Hochfrequenz (Rf), ETC… besonders, AlN-Substrat ist
bester Kandidat für UV-LED, UVdetektoren, UVlaser, 5G-starke/Hochfrequenz-Rf-Geräte und 5G SAW/BAW
Geräte, die im Umweltschutz allgemein verwendet werden konnten, Elektronik, drahtlose Kommunikationen, Drucken,
des Gesundheitswesens, Militär- und anderen Felder der Biologie, wie UVreinigung/Sterilisation, UVkurieren, photocatalysis, coun?
terfeit Entdeckung, Lagerung mit hoher Dichte, medizinische Entdeckung, drahtloser und sicherer Kommunikation der Phototherapie, der Drogen,
Luftfahrt-/Tiefraumentdeckung und andere Felder.
wir haben Serien von eigenen Prozessen und von Technologien entwickelt, um zu fabrizieren
hochwertige AlN-Schablonen. Zur Zeit ist unser Soem die einzige Firma weltweit, wer Zoll AlN produzieren kann 2-6
Schablonen in der umfangreichen Fähigkeit der industriellen Industrieproduktion mit der Kapazität von 300.000 Stücken im Jahre 2020, explosives zu treffen
Marktnachfrage von der drahtlosen Kommunikation UVC-LED, 5G, von den UVdetektoren und von den Sensoren usw.
Das factroy ist ein innovatives High-Tech-Unternehmen, das im Jahre 2016 von den bekannten chinesischen Überseefachleuten vom semicon gegründet wird? ductor Industrie.
sie richten sein Hauptgeschäft auf Entwicklung und Kommerzialisierung von 3rd/4th-genera? tion ultra-weite Bandlückehalbleiter AlN-Substrate,
AlN-Schablonen, vollautomatische PVT-Wachstumsreaktoren und verwandte Produkte und Services für verschiedene High-Tech-Industrien.
es ist als globaler Führer auf diesem Gebiet erkannt worden. Unsere Kernprodukte sind die Schlüsselstrategiematerialien, die in „gemacht in China“ aufgelistet werden.
sie haben Serien von eigenen Technologien und Wachstumsreaktoren und -anlagen D-Zustandvon-d art PVT zu entwickelt
fabrizieren Sie verschiedene Größen von hochwertigen Monokristall-AlN-Oblaten, AlN-temlpates. Wir sind eins von den wenigen Welt-führenden
High-Tech-Unternehmen die eigenes volles AlN-Herstellung capa?
die bilities, zum von von hochwertigen Boules und Oblaten AlN zu produzieren und liefern profes? sional Services und schlüsselfertige Lösungen zu unseren Kunden,
vereinbart vom Wachstum Reaktor- und hotzoneentwurf, vom Modellieren und von der Simulation, vom Prozessentwurf und von der Optimierung, Kristallwachstum,
wafering und materielles characteriza? tion. Bis April 2019, haben sie mehr als 27 Patente angewendet (einschließlich PCT).
Spezifikation
Charakteristische Spezifikation
- Modell UTI-AlN-100S
- Leitfähigkeits-Art C-Fläche der einzelnen Kristallscheibe des Si
- Widerstandskraft (Ω) 2500-8000
- AlN-Struktur Wurtzit
- Durchmesser (Zoll) 4inch
- Substratstärke (µm) 525 ± 15
- AlN-Dicke (µm) 500nm
- Orientierung C-Achse [0001] +/- 0.2°
- Verwendbarer Bereich ≥95%
- Sprünge Kein
- FWHM-2θXRD@ (0002) ≤0.22°
- FWHM-HRXRD@ (0002) ≤1.5°
- Oberflächenrauigkeit [5×5µm] (Nanometer) RMS≤6.0
- TTV (µm) ≤7
- Bogen (µm) ≤30
- Verzerrung (µm) -30~30
- Anmerkung: Diese Kennzeichnungsergebnisse schwanken möglicherweise etwas abhängig von den Ausrüstungen und/oder der Software, die eingesetzt werden
| Kristallstruktur |
Wurtzit |
| Gitterkonstante (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Leitungsbandart | Direkte Bandlücke |
| Dichte (g/cm3) | 3,23 |
| Oberflächenmicrohardness (Knoop-Test) | 800 |
| Schmelzpunkt (℃) | 2750 (Stange 10-100 im N2) |
| Wärmeleitfähigkeit (W/m·K) | 320 |
| Bandlückeenergie (eV) | 6,28 |
| Elektronenbeweglichkeit (V·s/cm2) | 1100 |
| Elektrisches Zusammenbruchfeld (MV/cm) | 11,7 |
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