• 4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
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4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate

4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: ZMKJ
Modellnummer: GaN-Saphir 4inch

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 5pcs
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenbehälter im Reinigungsraum
Lieferzeit: in 30days
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 50PCS/Month
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Detailinformationen

Substrat: Saphiroblate Schicht: GaN-Schablone
Schichtstärke: 1-5um Leitfähigkeitsart: N/P
Orientierung: 0001 Anwendung: hohe Leistung/Hochfrequenzelektronische geräte
Anwendung 2: Geräte 5G saw/BAW Silikonstärke: 525um/625um/725um
Markieren:

5G sah gan Schablonen

,

4" gan Schablonen

,

GaN-Halbleiter Substrat

Produkt-Beschreibung

2inch 4inch 4" Saphir basierte GaN-Schablonen GaN-Film auf Saphirsubstrat

 

Eigenschaften von GaN

 

Chemische Eigenschaften von GaN

1) Bei Zimmertemperatur ist GaN im Wasser, in der Säure und im Alkali unlöslich.

2)Aufgelöst in einer heißen alkalischen Lösung mit einer sehr langsamen Rate.

3) NaOH, H2SO4 und H3PO4 können die geringe Qualität von GaN schnell korrodieren, können für diese verwendet werden Kristalldefektentdeckung geringe Qualität GaN.

4) GaN im HCL oder im Wasserstoff, an der hohen Temperatur stellt instabile Eigenschaften dar.

5) GaN ist unter Stickstoff das stabilste.

Elektrische Eigenschaften von GaN

1) Die elektrischen Eigenschaften von GaN sind die wichtigsten Faktoren, die das Gerät beeinflussen.

2) Das GaN ohne das Lackieren war n in allen Fällen, und die Elektronendichte der besten Probe war über 4* (10^16) /c㎡.

3) Im Allgemeinen werden die vorbereiteten p-Proben in hohem Grade kompensiert.

Optische Eigenschaften von GaN

1) Verbindungshalbleitermaterial der großen Bandlücke mit hoher Bandbreite (2.3~6.2eV), kann das rote Gelbgrün umfassen, blau, violett und ultraviolettes Spektrum, ist bis jetzt, dass sonstige Halbleitermaterialien nicht imstande sind zu erzielen.

2) Hauptsächlich verwendet im blauen und violetten lichtemittierenden Gerät.

Eigenschaften von GaN Material

1) Hochfrequenzeigentum, kommen in 300G Hz an. (Si ist 10G u. ist GaAs 80G)

2) Eigentum der hohen Temperatur, normale Arbeit an 300℃, sehr passend für Luftfahrt-, Militär- und andere Umwelt der hohen Temperatur.

3) Der Elektronantrieb hat hohe Sättigungsgeschwindigkeit, niedrige Dielektrizitätskonstante und gute Wärmeleitfähigkeit.

4) Säure- und Alkaliwiderstand, Korrosionsbeständigkeit, kann in der rauen Umwelt verwendet werden.

5) Hochspannungseigenschaften, Schlagzähigkeit, hohe Zuverlässigkeit.

6) Große Energie, die Telekommunikationsgeräte ist sehr eifrig.

 
Anwendung von GaN

Hauptverwendung von GaN:

1) lichtemittierende Dioden, LED

2) Feldeffekttransistoren, FET

3) Laserdioden, LD

 
             Spezifikation
 
 
Aracteristic4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 0Spezifikation C

 

Andere relaterd 4INCH GaN Template Spezifikation

 

 

     
  GaN-/al ₂ O ₃ Substrate (4") 4inch
Einzelteil UNO-lackiert N-artig

Hoch-lackiert

N-artig

Größe (Millimeter) Φ100.0±0.5 (4")
Substrat-Struktur GaN auf Saphir (0001)
SurfaceFinished (Standard: SSP-Wahl: DSP)
Stärke (μm) 4.5±0.5; 20±2; Besonders angefertigt
Leitungs-Art UNO-lackiert N-artig Hoch-lackiertes N-artiges
Widerstandskraft (Ω·cm) (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
GaN Thickness Uniformity
 
≤±10% (4")
Versetzungsdichte (cm2)
 
≤5×108
Verwendbare Fläche >90%
Paket Verpackt in einer Reinraumumwelt der Klasse 100.
 

4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 1

4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 24" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 3

Kristallstruktur

Wurtzit

Gitterkonstante (Å) a=3.112, c=4.982
Leitungsbandart Direkte Bandlücke
Dichte (g/cm3) 3,23
Oberflächenmicrohardness (Knoop-Test) 800
Schmelzpunkt (℃) 2750 (Stange 10-100 im N2)
Wärmeleitfähigkeit (W/m·K) 320
Bandlückeenergie (eV) 6,28
Elektronenbeweglichkeit (V·s/cm2) 1100
Elektrisches Zusammenbruchfeld (MV/cm) 11,7

4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 4

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