• BAW-Gerät-Durchmesser 50.8mm 1 Zoll AlN-Aluminium-Nitrid-Wafer
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BAW-Gerät-Durchmesser 50.8mm 1 Zoll AlN-Aluminium-Nitrid-Wafer

BAW-Gerät-Durchmesser 50.8mm 1 Zoll AlN-Aluminium-Nitrid-Wafer

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: ZMKJ
Modellnummer: UTI-AlN-1inch einzelner Kristall

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1PCS
Preis: by case
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenbehälter im Reinigungsraum
Lieferzeit: in 30days
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10PCS/Month
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Detailinformationen

Material: AlN-Kristall Stärke: 400um
Orientierung: 0001 Anwendung: hohe Leistung/Hochfrequenzelektronische geräte
Anwendung 2: Geräte 5G saw/BAW Ra: 0.5nm
Oberfläche poliert: Algesicht cmp, N-Gesichtswartungstafel Kristallart: 2H
Markieren:

AlN-Aluminium-Nitrid-Oblate

,

50.8mm Aluminium-Nitrid-Oblate

,

BAW-Geräte AlN-Oblate

Produkt-Beschreibung

Substrat dia50.8mm 2inch 1inch AlN/einzelne Kristallscheiben AlN

10x10mm oder Durchmesser 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, einzelne Kristallscheiben AlN Substrat dia50.8mm AlN

 

Anwendungen von   AlN-Schablone
 
wir haben Serien von eigenen Prozessen und von Technologien entwickelt, um zu fabrizieren
hochwertige AlN-Schablonen. Zur Zeit ist unser Soem die einzige Firma weltweit, wer Zoll AlN produzieren kann 2-6
Schablonen in der umfangreichen Fähigkeit der industriellen Industrieproduktion mit der Kapazität von 300.000 Stücken im Jahre 2020, explosives zu treffen
Marktnachfrage von der drahtlosen Kommunikation UVC-LED, 5G, von den UVdetektoren und von den Sensoren usw.
 
Wir versehen z.Z. Kunden mit standardisiertem Stickstoff 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm hoher Qualität
Aluminium sondern Sie Kristallsubstratprodukte aus, und kann Kunden mit apolarem 10-20mm auch versehen
M-Flächenaluminium-nitrid-einzelnes Kristallsubstrat oder nichtstandardisierte 5mm-50.8mm zu den Kunden besonders anfertigen
Polieraluminium-nitrid-einzelnes Kristallsubstrat. Dieses Produkt ist als Spitzensubstratmaterial weitverbreitet
Verwendet in UVC-LED Chips, in den UVdetektoren, in den UVlasern und in der verschiedenen hohen Leistung
/High-Temperatur/Hochfrequenzfeld des elektronischen Geräts.
 
 
Charakteristische Spezifikation
  • Modell                                                           UTI-AlN-10x10B-single Kristall
  • Durchmesser                                                           10x10±0.5mm; oder dia10mm, dia25.4mm oder dia30mm oder dia45mm;
  •  
  • Substratstärke (µm)                                      400 ± 50
  • Orientierung                                                        C-Achse [0001] +/- 0.5°

     Qualitäts-Grad              S-Grad (Super)    P-Grad (Produktion)       R-Grad (Forschung)

 
  • Sprünge                                                  Kein                      Kein <3mm>
  •                                  
  • FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300>                  0
  • FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200>                 0
  • Oberflächenrauigkeit [5×5µm] (Nanometer)          Al-Gesicht CMP<0>
  •  
  • Verwendbarer Bereich                                       90%
  • Absorption<50>
  •                              
  • 1. der Längenorientierung                                         {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)                                                                       ≤30
  • Bogen (µm)                                                                        ≤30
  • Verzerrung (µm)                                                                    -30~30
  • Anmerkung: Diese Kennzeichnungsergebnisse schwanken möglicherweise etwas abhängig von den Ausrüstungen und/oder der Software, die eingesetzt werden
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Verunreinigungselement    F.E.C O Si-B Na-W.P.S Ti
PPMW                        27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
 
 
Kristallstruktur

Wurtzit

Gitterkonstante (Å) a=3.112, c=4.982
Leitungsbandart Direkte Bandlücke
Dichte (g/cm3) 3,23
Oberflächenmicrohardness (Knoop-Test) 800
Schmelzpunkt (℃) 2750 (Stange 10-100 im N2)
Wärmeleitfähigkeit (W/m·K) 320
Bandlückeenergie (eV) 6,28
Elektronenbeweglichkeit (V·s/cm2) 1100
Elektrisches Zusammenbruchfeld (MV/cm) 11,7

BAW-Gerät-Durchmesser 50.8mm 1 Zoll AlN-Aluminium-Nitrid-Wafer 5

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Ich bin daran interessiert BAW-Gerät-Durchmesser 50.8mm 1 Zoll AlN-Aluminium-Nitrid-Wafer Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
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