• Art 15°-Halbleiter-Substrat-Si eine 4 Zoll-N lackierte GaAs-Wafer SSP
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Art 15°-Halbleiter-Substrat-Si eine 4 Zoll-N lackierte GaAs-Wafer SSP

Art 15°-Halbleiter-Substrat-Si eine 4 Zoll-N lackierte GaAs-Wafer SSP

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: zmkj
Modellnummer: GaAs-N-3inch

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 5pcs
Preis: 100-200usd/pcs
Verpackung Informationen: einzelnes oder der Kassette 25pcs im Oblatenfall durch Vakuumverpackung
Lieferzeit: 2-4weeks
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 2000pcs pro Monat
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: GaAs-Kristall Methode: VGF
Größe: dia76.2mm thickess: 350um
Oberfläche: DSP Anwendung: geführt, ld-Gerät
Art: N-artig Lackieren: Si-lackiert
Markieren:

Si lackierte GaAs Wafe

,

Halbleiter-Substrat GaAs Wafe

,

N-Art ssp Oblate

Produkt-Beschreibung

 
 
VFG-metod N-artiges 2inch/3inch, 4inch, Galliumarsenid-Oblaten 6inch dia150mm GaAs N-artig
Halb-isolierende Art für Mikroelektronik,
 
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------
(GaAs) Galliumarsenid-Oblaten
Galliumarsenid (GaAs) ist ein Mittel der Elemente Gallium und Arsen. Es ist ein III-V direkter Bandlückehalbleiter
mit einer Kristallstruktur der Zinkblende.
Galliumarsenid wird in der Fertigung von Geräten wie Mikrowellenfrequenzintegrierten schaltungen benutzt, monolithisch
Mikrowellenintegrierte schaltungen, Infrarotleuchtdioden, Laserdioden, Solarzellen und optische Fenster. [2]
 
GaAs ist als Substratmaterial für die Epitaxie anderer III-V Halbleiter einschließlich IndiumGalliumarsenid häufig benutzt,
Aluminiumgalliumarsenid und andere.
 
.
GaAs-Oblaten-Eigenschaft und Anwendung

EigenschaftEinsatzbereich
Hohe ElektronenbeweglichkeitLichtemittierende Dioden
HochfrequenzLaserdioden
Hohe Umwandlungs-LeistungsfähigkeitFoto-voltaische Geräte
Leistungsaufnahme der geringen EnergieHoher Elektronenbeweglichkeits-Transistor
Direkte BandlückeHeterojunctions-bipolar Transistor

Art 15°-Halbleiter-Substrat-Si eine 4 Zoll-N lackierte GaAs-Wafer SSP 0
Spezifikation
Undoped GaAs
Halb-isolierende GaAs-Spezifikationen
 

Wachstums-MethodeVGF
DopantKohlenstoff
Oblate Shape*Runde (Durchmesser: 2", 3", 4" und 6")
Oberflächenorientierung **(100) ±0.5°

“ Oblaten *5 verfügbar auf Anfrage
** Andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage
 

Widerstandskraft (Ω.cm)≥1 × 107≥1 × 108
Mobilität (cm2/V.S)≥ 5.000≥ 4.000
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2)1,500-5,0001,500-5,000

 

Oblaten-Durchmesser (Millimeter)50.8±0.376.2±0.3100±0.3150±0.3
Stärke (µm)350±25625±25625±25675±25
TTV [P/P] (µm)≤ 4≤ 4≤ 4≤ 4
TTV [P/E] (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 10
VERZERRUNG (µm)≤10≤10≤10≤5
VON (Millimeter)17±122±132.5±1KERBE
VON/, WENN (Millimeter)7±112±118±1N/A
Polish*E/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished
Art 15°-Halbleiter-Substrat-Si eine 4 Zoll-N lackierte GaAs-Wafer SSP 1

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Paket u. Lieferung
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FAQ U. KONTAKT
   Dieses ist Eric Wang, Verkaufsleiter von zmkj, unsere Firma, die in Shanghai, China gelegen ist. Unsere Service-Zeit ist von Montag - Samstag beispiellos. Es tut uns leid für die Unannehmlichkeit verursacht durch Zeitunterschied. Wenn irgendwelche Fragen, Sie meiner E-Mail eine Mitteilung lassen und mein WeChat auch addieren können, was App ist, Skype, ich sein online. Willkommen, zum mit ich in Verbindung zu treten!
 
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller? : Wir haben unsere Selbst für die Oblatenfabrikation.
 Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist? : Im Allgemeinen ist es 1-5 Tage, wenn die Waren auf Lager sind, wenn nicht, es für 2-3weeks ist
Q: Stellen Sie Proben zur Verfügung? ist es frei oder Extra? : Ja könnten wir freie Probe durch irgendeine Größe anbieten.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen? : für das erste Geschäft ist 100% vor Lieferung.
 
 
 
 

 

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