 |
Silikon-Karbid-Oblate 6H-N/4 H-N Dummy sic Crystal Wafers For Device Test 2Inch 4inch
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | 2inch*0.625mmt |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 10pcs |
|---|---|
| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden |
| Lieferzeit: | 2-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1-50pcs/month |
|
Detailinformationen |
|||
| Material: | Sic einzelne Kristall-Art 4H-N | Grad: | Attrappe/Forschung Produktionsgrad |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.625MM | Suraface: | wie-geschnitten |
| Anwendung: | polnischer Gerättest | Durchmesser: | 50.8mm |
| Markieren: | Silikonkarbidsubstrat,sic Oblate |
||
Produkt-Beschreibung
Einzelne (sic) wie-geschnittene sic Oblaten Barren Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/des Silikonkarbids Durchmessers 150mm des hohen Reinheitsgrades 4H-N 4inch 6inch der Substrate wafersS/Customzied des Kristalles
Über Silikon-Karbid-(sic) Kristall
Silikonkarbid (sic), alias Karborundum, ist ein Halbleiter, der sic Silikon und Kohlenstoff mit chemischer Formel enthält. Sic wird in den Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohe Spannungen funktionieren, oder both.SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, ist es ein populäres Substrat für das Wachsen von GaN-Geräten, und es dient auch als Hitzespreizer in starker LED.
SILIKON-KARBID-MATERIALEIGENSCHAFTEN
|
Eigentum |
4H-SiC, einzelner Kristall |
6H-SiC, einzelner Kristall |
|
Gitter-Parameter |
a=3.076 Å c=10.053 Å |
a=3.073 Å c=15.117 Å |
|
Stapeln von Reihenfolge |
ABCB |
ABCACB |
|
Mohs-Härte |
≈9,2 |
≈9,2 |
|
Dichte |
3,21 g/cm3 |
3,21 g/cm3 |
|
Therm. Expansions-Koeffizient |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
|
Brechungs-Index @750nm |
keine = 2,61 Ne = 2,66 |
keine = 2,60 Ne = 2,65 |
|
Dielektrizitätskonstante |
c~9.66 |
c~9.66 |
|
(N-artiges, 0,02 ohm.cm) der Wärmeleitfähigkeit |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
|
Wärmeleitfähigkeit (Halb-Isolieren) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
|
Bandlücke |
eV 3,23 |
eV 3,02 |
|
Zusammenbruch-elektrisches Feld |
3-5×106V/cm |
3-5×106V/cm |
|
Sättigungs-Driftgeschwindigkeit |
2,0×105 m/s |
2,0×105 m/s |
2 Zoll Durchmesser Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation
|
Grad |
Produktions-Grad |
Forschungs-Grad |
Blinder Grad |
|
|
Durchmesser |
50,8 mm±0.38 Millimeter |
|||
|
Stärke |
330 μm±25μm oder customzied |
|||
|
Oblaten-Orientierung |
Auf Achse: <0001> ±0.5° für 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI weg von der Achse: 4.0° in Richtung zu 1120 ±0.5° für 4H-N/4H-SI |
|||
|
Micropipe-Dichte |
cm2 ≤5 |
cm2 ≤15 |
cm2 ≤50 |
|
|
Widerstandskraft |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
||
|
6H-N |
0.02~0.1 Ω·cm |
|||
|
4/6H-SI |
>1E5 Ω·cm |
(90%) >1E5 Ω·cm |
||
|
Primärebene |
{10-10} ±5.0° |
|||
|
Flache hauptsächlichlänge |
15,9 mm±1.7 Millimeter |
|||
|
Flache zweitenslänge |
8,0 mm±1.7 Millimeter |
|||
|
Flache zweitensorientierung |
Silikon nach oben: 90° CW. von flachem Haupt±5.0° |
|||
|
Randausschluß |
1 Millimeter |
|||
|
TTV/Bow /Warp |
≤15μm/≤25μm/≤25μm |
|||
|
Rauheit |
Polnisches Ra≤1 Nanometer |
|||
|
CMP Ra≤0.5 Nanometer |
||||
|
|
Kein |
Kein |
1 gewährt, ≤1 Millimeter |
|
|
Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität |
Kumulatives area≤ 1% |
Kumulatives area≤ 1% |
Kumulatives area≤ 3% |
|
|
|
Kein |
Kumulatives area≤ 2% |
Kumulatives area≤5% |
|
|
|
3 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer |
5 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer |
8 Kratzer zur kumulativen Länge des Durchmessers 1×wafer |
|
|
Randchip |
Kein |
3 gewährt, ≤0.5 Millimeter jeder |
5 gewährt, ≤1 Millimeter jeder |
|
|
4 H-N Type/Oblate/Barren des hohen Reinheitsgrades sic
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
3 N-artiger sic Wafer des Zoll 4H 4 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H 6 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H |
2 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
3 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 4 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend 6 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend |
|
N-artige sic Oblate 6H
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 6H |
Customzied-Größe für 2-6inch
|
Über ZMKJ Company
ZMKJ kann zur Verfügung stellt Oblate des einzelnen Kristalles der hohen Qualität sic (Silikon-Karbid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie. Sic ist Oblate ein Halbleitermaterial der nächsten Generation, mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und die ausgezeichneten thermischen Eigenschaften, verglichen mit Siliziumscheibe und GaAs-Oblate, sic Oblate ist für Gerätanwendung der hohen Temperatur und der hohen Leistung passender. Sic kann Wafer im Zoll des Durchmessers 2-6 sic geliefert werden, 4H und 6H, N-artiges, der Stickstoff, der lackiert werden, und die halb-isolierende verfügbare Art. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.
Unsere Beziehungs-Produkte
Kristallsic Oblaten Saphir wafer& Linse LiTaO3 LaAlO3/SrTiO3/Oblaten Ruby Ball/Gap-Oblaten
FAQ:
Q: Was ist die Weise des Verschiffen- und Kosten- und Lohnausdruckes?
: (1) nehmen wir 100% T/T im Voraus durch DHL, Fedex, EMS etc. an.
(2) wenn Sie Ihr eigenes Eilkonto haben, ist es groß. Wenn nicht, könnten wir Ihnen helfen, sie zu versenden.
Fracht stimmt mit der tatsächlichen Regelung überein.
Q: Was ist Ihr MOQ?
: (1) für Inventar, ist das MOQ 2pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10pcs oben.
Q: Kann ich die Produkte besonders anfertigen, die auf meinem Bedarf basieren?
: Ja können wir das Material, die Spezifikationen und die Form, die Größe besonders anfertigen, die auf Ihrem Bedarf basiert.
Q: Was ist die Lieferfrist?
: (1) für die Standardprodukte
Für Inventar: die Lieferung ist, 5 Arbeitstage nachdem Sie den Auftrag vergeben.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder, 3 Wochen nachdem Sie den Auftrag vergeben.
(2) für die speziell-förmigen Produkte, ist die Lieferung 4 Arbeitswochen, nachdem Sie den Auftrag vergeben.