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350 dick um 2 Zoll-einzelner Kristall InP-Halbleiter-Substrat Haupt
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February 20, 2023
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Germanium-Indium-Phosphid-/Galliumarsenid-Oblate
InP-Oblate
Indium-Phosphid basierte Epitaxial- Oblate
Einzelner Kristall InP-Indium-Phosphid-Oblaten 350 - Stärke 650um
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3 Zoll InP Indiumphosphat Substrat N-Typ Halbleiter VGF Wachstumsmethode 111 100 Ausrichtung
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Siliziumwafer 4 Zoll Dicke 500+/-20 Widerstandsfähigkeit 1-10 Ohm·cm Orientierung100 doppelseitige Polierung
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Epi-fertige 4 Zoll InP-Wafer N-Typ-P-Typ EPF < 1000cm^2 mit einer Dicke von 325um±50um
Kontakt
Silikonwafer CZ-Orientierung111 Widerstandsfähigkeit: 1-10 (ohm.cm) Einseitige oder doppelseitige Polierung
Kontakt
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