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Detailinformationen |
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| Anbaumethode: | FZ | Orientierung: | < 111> |
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| Ausgerichtet: | 4±0,5 Grad bis zum nächstgelegenen <110> | Art/Dopant: | P/Boron |
| Widerstand: | 10-20 W.cm | RRV: | ≤15% (maximaler Rand-Cen) /Cen |
| TTV: | ≤ 5 mm | Bogen: | ≤ 40 μm |
| Verzerrung: | ≤ 40 μm | ||
| Markieren: | Orientierung100 Silikonwafer,500+/-20 Widerstand Silikonwafer,4 Zoll Dicke Siliziumwafer |
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Produkt-Beschreibung
Siliziumwafer 4 Zoll Dicke 500+/-20 Widerstandsfähigkeit 1-10 Ohm·cm Orientierung100 doppelseitige Polierung
Produktabstrakt
Unser Präzisions-Ultra-Reines Silizium-Substrat ist sorgfältig entwickelt, um als Grundlage für leistungsstarke Halbleiter-Geräte zu dienen.Hergestellt mit fortgeschrittener Mono-Kristall-Silizium-Float-Zone-Technologie, bietet dieses Substrat eine außergewöhnliche Reinheit und Gleichmäßigkeit und sorgt für überlegene elektronische Eigenschaften.Unser Substrat ermöglicht die Herstellung hochmoderner Halbleitergeräte mit verbesserter Zuverlässigkeit und LeistungOb in integrierten Schaltungen, Leistungselektronik oder Photovoltaik-Anwendungen, unser Silizium-Substrat ermöglicht Innovationen in verschiedenen Branchen.die technologischen und technischen Fortschritte vorantreiben.
Produktvitrine
Eigenschaften des Erzeugnisses
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Ultra-Reines Silizium: Unser Substrat besteht aus mono-kristallinem Silizium in der Schwimmzone, das für hochleistungsfähige Halbleitergeräte ein außergewöhnliches Reinheitsniveau gewährleistet.
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Einheitliche Kristallstruktur: Das Substrat verfügt über eine einheitliche Kristallstruktur, frei von Defekten oder Unregelmäßigkeiten, die eine gleichbleibende elektrische Eigenschaft über die gesamte Oberfläche gewährleistet.
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Niedrige Verunreinigungswerte: Durch eine sorgfältige Kontrolle der Verunreinigungskonzentrationen zeigt unser Substrat geringe Mengen an Dopanten und Verunreinigungen.Minimierung unerwünschter elektronischer Effekte und Gewährleistung der Zuverlässigkeit des Geräts.
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Hohe thermische Stabilität: Das Substrat weist eine hohe thermische Stabilität auf und ermöglicht einen zuverlässigen Betrieb in einem breiten Temperaturbereich ohne Beeinträchtigung der Leistung oder Integrität.
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Präzise Dimensionskontrolle: Jedes Substrat wird mit präziser Dimensionskontrolle hergestellt, um eine gleichbleibende Dicke und Flachheit zu gewährleisten, um genaue Herstellungsprozesse zu erleichtern.
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Ausgezeichnete Oberflächenqualität: Unser Substrat verfügt über eine glatte und fehlerfreie Oberflächenveredelung, die für die Ablagerung dünner Folien und die Bildung hochwertiger Geräteoberflächen unerlässlich ist.
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Anpassbare Spezifikationen: Wir bieten eine Reihe anpassbarer Spezifikationen, einschließlich Dopingkonzentration, Widerstandsfähigkeit und Ausrichtung,zur Erfüllung der spezifischen Anforderungen verschiedener Halbleiteranwendungen.
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Kompatibilität mit Halbleiterprozessen: Das Substrat ist mit verschiedenen Halbleiterverarbeitungstechniken kompatibel, einschließlich Epitaxie, Lithographie und Ätzung,eine nahtlose Integration in bestehende Fertigungsarbeiten ermöglicht.
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Elektrische Leistung: Unser Substrat weist ausgezeichnete elektrische Eigenschaften auf, einschließlich hoher Trägermobilität, geringer Leckströme und gleichmäßiger elektrischer Leitfähigkeit,wesentlich für die Optimierung der Leistung und Effizienz des Geräts.
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Zuverlässigkeit und Langlebigkeit:Unser Substrat unterliegt strengen Qualitätskontrollmaßnahmen, um eine gleichbleibende Leistung und Langlebigkeit während seiner gesamten Lebensdauer zu gewährleisten..
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Spezifikation für monokristallines Silizium FZ
Typ Leitungsart Orientierung Durchmesser ((mm) Leitfähigkeit ((Ω•cm) Hoher Widerstand N & P <100>&<111> 76.2-200 > 1000 NT1 N <100>&<111> 76.2-200 30 bis 800 CFZ N & P <100>&<111> 76.2-200 1 bis 50 GD N & P <100>&<111> 76.2-200 0.001-300 Spezifikation der Wafer
Parameter für Ingot Artikel Beschreibung Anbaumethode FZ Orientierung < 111> Ausgerichtet 4±0,5 Grad bis zum nächstgelegenen <110> Typ/Dopant P/Boron Widerstand 10-20 W.cm RRV ≤15% (maximaler Rand-Cen) /Cen Waferparameter Artikel Beschreibung Durchmesser 150±0,5 mm Stärke 675 ± 15 mm Primärflächige Länge 57.5±2,5 mm Primäre flache Orientierung <011>±1 Grad Sekundäre flache Länge Keine Sekundäre flache Ausrichtung Keine TTV ≤ 5 mm Verbeugen ≤ 40 μm Warpgeschwindigkeit ≤ 40 μm Randprofil SEMI-Standard Vorderfläche Chemisch-mechanische Polierung LPD ≥ 0,3 um@≤ 15 Stück Rückenoberfläche Säuregraut Frühlingschips Keine Paket Vakuumverpackung; Innen aus Kunststoff, Außen aus Aluminium -
Anwendungen von Produkten
Integrierte Schaltungen (ICs): Unser hochpräzisionsreines Siliziumsubstrat dient als Grundbaustein für die Herstellung von ICs, die in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verwendet werden.einschließlich Smartphones, Computer und Automobilelektronik.
Leistungselektronik: Das Substrat wird in Leistungshalbleitergeräten wie Dioden, Transistoren und Thyristoren verwendet.die effiziente Energieumwandlung und -steuerung in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen ermöglichen, erneuerbare Energiesysteme und industrielle Automatisierung.
Photovoltaik (PV): Unser Substrat spielt eine entscheidende Rolle bei der Herstellung hocheffizienter Solarzellen.eine stabile und einheitliche Basis für die Ablagerung von Halbleiterschichten und Metallkontakten, was zu einer verbesserten Effizienz bei der Umwandlung von Solarenergie führt.
Lichtdioden (LEDs): Bei der Herstellung von LEDs dient unser Substrat als Plattform für das epitaxiale Wachstum von Halbleiterschichten,Gewährleistung der Einheitlichkeit und Zuverlässigkeit der LED-Leistung für Anwendungen wie Beleuchtung, Anzeigen und Automobilbeleuchtung.
Mikroelektromechanische Systeme (MEMS): Unser Substrat erleichtert die Herstellung von MEMS-Geräten, einschließlich Beschleunigungsmessern, Gyroskopen und Drucksensoren,die eine präzise Erfassung und Steuerung von Unterhaltungselektronik ermöglicht, Automobilsysteme und Medizinprodukte.
Radiofrequenzgeräte (RF): Das Substrat wird bei der Herstellung von RF-Geräten wie RF-Verstärkern, Oszillatoren und Filtern verwendet, die drahtlose Kommunikationssysteme, Satellitenkommunikation unterstützen,und Radarsysteme mit Hochfrequenzbetrieb und Zuverlässigkeit.
Optoelektronische Geräte: Unser Substrat ermöglicht die Entwicklung optoelektronischer Geräte wie Photodetektoren, optische Modulatoren und Laserdioden,Beitrag zu Anwendungen in der Telekommunikation, Datenkommunikation und optische Sensorik.
Biomedizinische Sensoren: In der biomedizinischen Technik wird unser Substrat für die Herstellung von Biosensoren und bioelektronischen Geräten für Anwendungen wie medizinische Diagnostik,Drogenliefersysteme, und implantierbare Medizinprodukte.
Luft- und Raumfahrt und Verteidigung: Das Substrat wird in Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen eingesetzt, einschließlich Radarsystemen, Kommunikationssatelliten und Raketenführungssystemen, bei denen Zuverlässigkeit, Stabilität,und Leistung in rauen Umgebungen kritisch sind.
Aufstrebende Technologien: Unser Substrat unterstützt Fortschritte in aufstrebenden Technologien wie Quantencomputing, neuromorphes Computing und fortschrittliche Sensoren, was Innovationen im Computing vorantreibt.Künstliche Intelligenz, und Sensorenanwendungen.