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Neueste Unternehmenslösungen zu Fallstudie: Die Innovation von ZMSH mit dem neuen 4H/6H-P 3C-N SiC-Substrat
2024-09-19

Fallstudie: Die Innovation von ZMSH mit dem neuen 4H/6H-P 3C-N SiC-Substrat

Hintergrund ZMSH ist seit langem führend in der Wafer- und Substrattechnologie für Siliziumkarbid (SiC), indem es 6H-SiC- und 4H-SiC-Kristallsubstrate für die Herstellung von Hochfrequenz-, Hochleistungs- und Hochtemperatur-und strahlungsbeständige elektronische GeräteDa die Marktnachfrage nach ...
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