Kurzfassung: Sehen Sie sich diese Übersicht an, um zu erfahren, warum viele Fachleute dem High-Purity CVD/SSiC Siliziumkarbid-Tray für die Halbleiterwafer-Verarbeitung Aufmerksamkeit schenken. Erfahren Sie mehr über seine außergewöhnliche mechanische Festigkeit, thermische Stabilität und Maßgenauigkeit, die für anspruchsvolle industrielle Anwendungen konzipiert sind.
Verwandte Produktmerkmale:
Konstruiert mit mehrzonigen Ringschlitzen zur Gewichtsreduzierung und Optimierung des Wärmeabflusses.
Verfügt über ein verstärktes radiales Rippennetzwerk für erhöhte mechanische Festigkeit und Rotationsstabilität.
Hochpräzisionsbearbeitete Oberfläche gewährleistet Ebenheit und Gleichmäßigkeit der Dicke für Halbleiteranwendungen.
Zentralisierte Montageschnittstelle ermöglicht sichere Installation auf rotierenden Wellen und automatisierten Systemen.
Die strukturelle Verstärkung am Außenring verbessert die Vibrationsbeständigkeit und die Stabilität der peripheren Belastung.
Verfügbar in verschiedenen Hochleistungsmaterialien, darunter SSiC, RBSiC, Aluminiumoxid-Keramik und hochfeste Metalle.
Ideal für die Halbleiterfertigung, LED-Produktion, fortschrittliche Materialbearbeitung und Präzisionsmaschinen.
Bietet thermische Effizienz, strukturelle Haltbarkeit, Prozessstabilität und Anpassbarkeit für verschiedene industrielle Anforderungen.
FAQ:
Was ist ein SiC-Keramiktablett?
Ein SiC-Keramiktray ist ein Präzisionsträger aus hochreinem Siliziumkarbid, der zum Halten, Beladen und Transportieren von Wafern oder Substraten während der Herstellung von Halbleitern, LEDs, optischen Komponenten und Vakuumprozessen konzipiert wurde. Er bietet außergewöhnliche thermische Stabilität, mechanische Festigkeit und Verformungsbeständigkeit unter rauen Bedingungen.
Welche Vorteile bietet die Verwendung von SiC-Trays im Vergleich zu Quarz-, Graphit- oder Aluminium-Trays?
SiC-Trays bieten überlegene Leistungsvorteile, darunter Hochtemperaturbeständigkeit bis zu 1600-1800 °C, ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, hervorragende mechanische Festigkeit, geringe Wärmeausdehnung, hohe Korrosionsbeständigkeit und eine längere Lebensdauer unter kontinuierlichen Hochbelastungs-Fertigungsbedingungen.
Für welche Anwendungen werden SiC-Keramiktrays hauptsächlich verwendet?
SiC-Trays werden häufig in der Halbleiter-Wafer-Handhabung, LPCVD-, PECVD-, MOCVD-Wärmeprozessen, Glühen, Diffusion, Oxidation und Epitaxie-Prozessen, dem Laden von Saphir-Wafern/optischen Substraten, Hochvakuum- und Hochtemperaturumgebungen sowie Präzisions-CMP- oder Polierfixturen eingesetzt.