Kurzfassung: Folgen Sie der Erzählung, um zu sehen, wie sich kleine Designentscheidungen auf die alltägliche Leistung auswirken. In diesem Video demonstrieren wir den quadratischen Substratwafer aus 6H-Siliziumkarbid (SiC) und demonstrieren dessen Herstellungsprozess, Materialvorteile und reale Anwendungen in Leistungs- und Hochfrequenzgeräten. Sie erfahren, wie seine einzigartigen Eigenschaften einen stabilen Betrieb unter extremen Bedingungen ermöglichen und sehen Beispiele für seinen Einsatz in der Halbleiterforschung und Geräteherstellung.
Verwandte Produktmerkmale:
Hergestellt aus hochreinem 6H-SiC-Einkristallmaterial für fortschrittliche Halbleiteranwendungen.
Quadratisches Design für einfache Handhabung und optimierte Geräteherstellungsprozesse.
Bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und eine hohe elektrische Durchbruchfeldstärke für Leistungsgeräte.
Die große Bandlücke von 3,0 eV gewährleistet eine stabile Leistung in Hochtemperatur- und Hochspannungsumgebungen.
Erhältlich in polierter, halbpolierter oder unpolierter Oberfläche mit anpassbaren Größen und Stärken.
Eine hohe Elektronenmobilität unterstützt eine überlegene Leistung in elektronischen HF- und Mikrowellengeräten.
Ultrahohe Härte und chemische Beständigkeit sorgen für lange Lebensdauer und Zuverlässigkeit.
Geeignet für Leistungshalbleitergeräte, Lasersysteme und Forschungslaboranwendungen.
FAQ:
Was ist der Unterschied zwischen 6H-SiC und 4H-SiC?
4H-SiC wird aufgrund der höheren Elektronenmobilität häufiger in kommerziellen Leistungsgeräten verwendet, während 6H-SiC in bestimmten HF-, Mikrowellen- und speziellen optoelektronischen Anwendungen bevorzugt wird.
Können Sie unpolierte quadratische 6H-SiC-Substrate liefern?
Ja, wir bieten je nach Kundenwunsch polierte, geläppte und unpolierte Oberflächen an.
Unterstützen Sie kleine quadratische Substrate?
Ja, Quadratgrößen bis zu einer Größe von 2×2 mm können an spezifische Projektanforderungen angepasst werden.
Liegen Inspektions- und Testberichte vor?
Ja, auf Anfrage können wir Maßkontrollberichte, Daten zu Widerstandstests und Berichte zur Oberflächenrauheit bereitstellen.