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SiC-Wafer

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October 13, 2022
Kategorieverbindung: Silikon-Karbid-Oblate
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Tags:
#Silikonkarbidsubstrat #sic Oblate #Silikon auf Saphiroblaten
Kurzfassung: Entdecken Sie das leistungsstarke 2-Zoll- und 4-Zoll-Dummy-Prime-SiC-Substrat, das für Thermoschockbeständigkeit und hervorragende Haltbarkeit ausgelegt ist. Diese Siliziumkarbid-Wafer eignen sich ideal für Halbleiterelektronik und Hochleistungs-LED-Anwendungen und sind in anpassbaren Größen und Typen erhältlich, einschließlich 4H-N und 6H-N. Entdecken Sie mit ZMKJ die nächste Generation von Halbleitermaterialien.
Verwandte Produktmerkmale:
  • Anpassbare Größen: 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll verfügbar.
  • Hochreine SiC-Wafer vom Typ 4H-N und 6H-N für überragende Leistung.
  • Ausgezeichnete thermische Stoßbeständigkeit bei hohen Temperaturen.
  • Ideal für Halbleiterelektronik und Hochleistungs-LED-Geräte.
  • Erhältlich sowohl als N-Typ als auch als halbisolierende Ausführung.
  • Mohs-Härte von ≈9,2 für außergewöhnliche Haltbarkeit.
  • Wärmeleitfähigkeit bis zu 4,9 W/cm*K für effiziente Wärmeableitung.
  • Geeignet für Hochspannungs- und Hochtemperaturumgebungen.
FAQ:
  • Welche Größen sind für die SiC-Wafer verfügbar?
    Die SiC-Wafer sind in den Größen 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll erhältlich, mit Anpassungsoptionen.
  • Welche Arten von SiC-Wafern bietet ZMKJ an?
    ZMKJ bietet 4H-N-Typ-, 6H-N-Typ- und halbisolierende SiC-Wafer an, die verschiedenen industriellen Anforderungen gerecht werden.
  • Wie lange ist die Lieferzeit für maßgeschneiderte SiC-Wafer?
    Bei kundenspezifischen Produkten beträgt die Lieferzeit in der Regel 2-4 Wochen nach Auftragsbestätigung.
  • Wie kommt die Wärmeleitfähigkeit von SiC-Wafern den Anwendungen zugute?
    Die hohe Wärmeleitfähigkeit (bis zu 4,9 W/cm*K) sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und macht sie ideal für Hochleistungs- und Hochtemperaturgeräte.
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