• 8 Zoll AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For Mikro-LED
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8 Zoll AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For Mikro-LED

8 Zoll AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For Mikro-LED

Produktdetails:

Herkunftsort: CHINA
Markenname: zmkj
Modellnummer: Si Epiwafer 8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-auf-Stunde

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1pcs
Preis: 1200~2500usd/pc
Verpackung Informationen: einzelner Oblatenkasten durch Vakuumverpackung
Lieferzeit: 1-5weeks
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 50PCS pro Monat
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: GaN-Schicht auf dem sI-Substrat Größe: 8 Zoll / 6 Zoll
GaN-Dicke: 2-5UM Typ: N-TYPE
Anwendung: Halbleiterbauelement
Markieren:

GaN Gallium Nitride Wafer

,

Aluminium-Nitrid-Oblate für Mikro-LED

,

8 Zoll-Galliumarsenid-Wafer

Produkt-Beschreibung

 

8 Zoll 6 Zoll AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer für Micro-LED für HF-Anwendungen

 

Eigenschaften der GaN-Wafer

  1. III-Nitrid ((GaN,AlN,InN)

Galliumnitrid ist eine Art von breitgeschnittenen Verbindungshalbleitern.

Ein hochwertiges Einzelkristall-Substrat, das mit der ursprünglichen HVPE-Methode und Waferverarbeitungstechnologie hergestellt wird, die ursprünglich seit mehr als 10 Jahren in China entwickelt wurde.Die Merkmale sind hochkristalline., gute Gleichförmigkeit und überlegene Oberflächenqualität.Die Entwicklung von Anwendungen für Leistungs- und Hochfrequenz-elektronische Geräte hat Fortschritte gemacht..

 

Die verbotene Bandbreite (Lichtemission und -absorption) umfasst ultraviolettes, sichtbares und Infrarotlicht.

Anwendung

GaN kann in vielen Bereichen eingesetzt werden, wie beispielsweise bei LED-Displays, hochenergetischer Detektion und Bildgebung,
Laserprojektionsbildschirm, Stromgerät usw.

  • Laserprojektionsbildschirm, Stromgerät usw. Datenspeicherung
  • Energieeffiziente Beleuchtung Vollfarb-FLA-Display
  • Laserprojektionen Hochleistungsgeräte
  • Hochfrequente Mikrowellengeräte Hochenergie-Erkennung und Vorstellung
  • Neue Energien Solarwasserstofftechnologie Umwelt Detektion und Biomedizin
  • Terahertzband der Lichtquelle

8 Zoll AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For Mikro-LED 0

Spezifikation des Produkts

Artikel 2 Werte und Anwendungsbereich
Substrat - Ja.
Waferdurchmesser 4 ¢/ 6 ¢ / 8- Ich weiß.
Epi-Schichtdicke 4-5μm
Waferbogen < 30μmTypisch
Oberflächenmorphologie RMS < 0,5 nm in 5 × 5 μm²
Schranke Das ist alles.X- Ich weiß.1-XN, 0
Deckelschicht In-situSiNoder GaN (D-Modus); p-GaN (E-Modus)
2DEG-Dichte > 9E12/cm2(20nm Al0.25GaN)
Elektronenmobilität > 1800 cm2/Vs(20nm Al0.25GaN)

8 Zoll AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For Mikro-LED 1

Produktspezifikation

Artikel 2 Werte und Anwendungsbereich
Substrat HR_Si/SiC
Waferdurchmesser 4 ¢/6 ¢ fürSiC, 4/ 6/ 8 fürHR_Si
Epilepsie-Schichtdicke 2-3μm
Waferbogen < 30μmTypisch
Oberflächenmorphologie RMS < 0,5 nm in 5 × 5 μm²
Schranke AlGaNoderAlNoderInAlN
Deckelschicht In-situSiNoder GaN

8 Zoll AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For Mikro-LED 2

 

Artikel 2 GaN-on-Si GaN-on-Saphir
4/ 6/ 8- Ich weiß. 2/ 4/ 6
Epi-Schichtdicke < 4μm < 7μm
Durchschnittliche Dominanz/SpitzeWellenlänge 400 bis 420 nm, 440 bis 460 nm,510 bis 530 nm 270 bis 280 nm, 440 bis 460 nm,510 bis 530 nm
FWHM

< 20 nm für blau/nahe UV

< 40 nm für Grün

< 15 nm für UVC

< 25 nm für Blau

< 40 nm für Grün

Waferbogen < 50μm < 180μm

 

 

Über unsere OEM-Fabrik

8 Zoll AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For Mikro-LED 3

 

Unsere Vision für Factroy Enterprise
Wir werden mit unserer Fabrik hochwertiges GaN-Substrat und Anwendungstechnologie für die Industrie bereitstellen.
Ein hochwertiges GaN-Material ist der Einschränkungsfaktor für die Anwendung von III-Nitrid, z. B. lange Lebensdauer
und hohe Stabilität LDs, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeit Mikrowellengeräte, hohe Helligkeit
und hocheffiziente, energiesparende LEDs.

- Häufig gestellte Fragen
F: Was können Sie für Logistik und Kosten liefern?
(1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF usw.
(2) Wenn Sie eine eigene Expressnummer haben, ist das großartig.
Wenn nicht, können wir Ihnen bei der Lieferung helfen.

F: Wie ist die Lieferzeit?
(1) Für die Standardprodukte wie 2 Zoll 0,33 mm Wafer.
Für Lagerbestände: Lieferung ist 5 Werktage nach Bestellung.
Für maßgeschneiderte Produkte: Lieferung ist 2 bis 4 Werkwochen nach Bestellung.

F: Wie zahlen?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, sichere Zahlung und Handelssicherung.

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(1) Für Lagerbestände beträgt die MOQ 5 Stück.
(2) Für kundenspezifische Produkte beträgt die MOQ 5-10 Stück.
Es hängt von der Quantität und der Technik ab.

F: Haben Sie einen Inspektionsbericht für das Material?
Wir können ROHS-Bericht liefern und Berichte für unsere Produkte erreichen.

 

 

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert 8 Zoll AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For Mikro-LED Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
Auf deine Antwort wartend.