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Durchmessers 200mm AlGaN Si Art Epi-Wafer-N für Mikro-LED 6 Zoll
Produktdetails:
| Herkunftsort: | CHINA |
| Markenname: | zmkj |
| Modellnummer: | Si Epiwafer 8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-auf-Stunde |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1pcs |
|---|---|
| Preis: | 1200~2500usd/pc |
| Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenkasten durch Vakuumverpackung |
| Lieferzeit: | 1-5weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 50PCS pro Monat |
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Detailinformationen |
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| Material: | GaN-Schicht auf dem sI-Substrat | Größe: | 8 Zoll / 6 Zoll |
|---|---|---|---|
| GaN-Dicke: | 2-5UM | Typ: | N-TYPE |
| Anwendung: | Halbleiterbauelement | ||
| Markieren: | Epi-Oblate Si Durchmessers 200mm,6 Zoll-Si Epi-Wafer,AlGaN-Galliumarsenid-Oblate |
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Produkt-Beschreibung
8 Zoll 6 Zoll AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer für Micro-LED für HF-Anwendungen
Eigenschaften der GaN-Wafer
- III-Nitrid ((GaN,AlN,InN)
Galliumnitrid ist eine Art von breitgeschnittenen Verbindungshalbleitern.
Ein hochwertiges Einzelkristall-Substrat, das mit der ursprünglichen HVPE-Methode und Waferverarbeitungstechnologie hergestellt wird, die ursprünglich seit mehr als 10 Jahren in China entwickelt wurde.Die Merkmale sind hochkristalline., gute Gleichförmigkeit und überlegene Oberflächenqualität.Die Entwicklung von Anwendungen für Leistungs- und Hochfrequenz-elektronische Geräte hat Fortschritte gemacht..
Für die Stromanwendung
Spezifikation des Produkts
| Artikel 2 | Werte und Anwendungsbereich |
| Substrat | - Ja. |
| Waferdurchmesser | 4 ¢/ 6 ¢ / 8- Ich weiß. |
| Epi-Schichtdicke | 4-5μm |
| Waferbogen | < 30μmTypisch |
| Oberflächenmorphologie | RMS < 0,5 nm in 5 × 5 μm² |
| Schranke | Das ist alles.X- Ich weiß.1-XN, 0 |
| Deckelschicht | In-situSiNoder GaN (D-Modus); p-GaN (E-Modus) |
| 2DEG-Dichte | > 9E12/cm2(20nm Al0.25GaN) |
| Elektronenmobilität | > 1800 cm2/Vs(20nm Al0.25GaN) |
Für RF-Anwendungen
Produktspezifikation
| Artikel 2 | Werte und Anwendungsbereich |
| Substrat | HR_Si/SiC |
| Waferdurchmesser | 4 ¢/6 ¢ fürSiC, 4/ 6/ 8 fürHR_Si |
| Epilepsie-Schichtdicke | 2-3μm |
| Waferbogen | < 30μmTypisch |
| Oberflächenmorphologie | RMS < 0,5 nm in 5 × 5 μm² |
| Schranke | AlGaNoderAlNoderInAlN |
| Deckelschicht | In-situSiNoder GaN |
Für LED-Anwendungen
Über unsere OEM-Fabrik
Unsere Vision für Factroy Enterprise
Wir werden mit unserer Fabrik hochwertiges GaN-Substrat und Anwendungstechnologie für die Industrie bereitstellen.
Ein hochwertiges GaN-Material ist der Einschränkungsfaktor für die Anwendung von III-Nitrid, z. B. lange Lebensdauer
und hohe Stabilität LDs, hohe Leistung und hohe Zuverlässigkeit Mikrowellengeräte, hohe Helligkeit
und hocheffiziente, energiesparende LEDs.
- Häufig gestellte Fragen
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(1) Für die Standardprodukte wie 2 Zoll 0,33 mm Wafer.
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