Produkt-Beschreibung

Abstract

 
Die 4-HHalbisolierendes SiCDas Substrat ist ein hochleistungsfähiges Halbleitermaterial mit einer Vielzahl von Anwendungen.Dieses Substrat weist außergewöhnliche elektrische Eigenschaften auf., einschließlich hoher Widerstandsfähigkeit und geringer Trägerkonzentration, was es zu einer idealen Wahl für Funkfrequenz-, Mikrowellen- und Leistungselektronikgeräte macht.
 
Hauptmerkmale des 4-H-SystemsHalbisolierendes SiCDas Substrat weist hoch einheitliche elektrische Eigenschaften, eine geringe Verunreinigungskonzentration und eine hervorragende thermische Stabilität auf.Diese Eigenschaften machen es für die Herstellung von Hochfrequenz-HF-Leistungseinrichtungen geeignet, Hochtemperatur-elektronische Sensoren und Mikrowellenelektronik.Seine hohe Aufbruchfeldfestigkeit und seine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit positionieren es auch als bevorzugtes Substrat für Hochleistungsgeräte.
 
Außerdem ist die 4-H-Halbisolierendes SiCDas Substrat weist eine ausgezeichnete chemische Stabilität auf, so dass es in korrosiven Umgebungen funktioniert und sein Anwendungsspektrum erweitert wird.Es spielt eine entscheidende Rolle in Industriezweigen wie der Halbleiterherstellung, Telekommunikation, Verteidigung und Hochenergiephysik Experimente.
 
Zusammenfassend: Die 4-HHalbisolierendes SiCSubstrat mit seinen hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften,ist im Bereich Halbleiter vielversprechend und bietet eine zuverlässige Grundlage für die Herstellung leistungsstarker elektronischer Geräte.
 

Eigenschaften

Elektrische Geräte mit hoher LeistungHalbisolierendes SiCIdeal für Hochleistungs- und Hochfrequenz-Elektronikgeräte aufgrund seiner hohen Abbruchspannung und hohen Wärmeleitfähigkeit.
 
HF-Geräte: Aufgrund ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und geringen VerlustenHalbisolierendes SiCwird in HF-Geräten wie Mikrowellen-Leistungsverstärkern und HF-Transistoren eingesetzt.
 
Optoelektronische Geräte:Halbisolierendes SiCAußerdem weist er hervorragende optoelektronische Eigenschaften auf, die ihn für die Herstellung von LEDs, Lasern und Photodetektoren geeignet machen.
 
Elektronische Geräte bei hohen Temperaturen: Der hohe Schmelzpunkt des Materials und seine ausgezeichnete chemische Stabilität machen es für dieHalbisolierendes SiCweit verbreitet in elektronischen Geräten, die in hochtemperaturen Umgebungen arbeiten, z. B. in der Luft- und Raumfahrt, in der Automobilindustrie und in der industriellen Prozesssteuerung.
 
Strahlungsbeständige Geräte:Halbisolierendes SiCist sehr strahlungsbeständig und daher für strahlungsbeständige elektronische Geräte in Kernreaktoren und Raumfahrtanwendungen geeignet.
 
Sensoren: Die einzigartigen Eigenschaften vonHalbisolierendes SiCMaterial für die Herstellung verschiedener Arten von Sensoren wie Temperatursensoren, Drucksensoren und chemischen Sensoren geeignet.
 

Eigenschaften:

Hohe Widerstandsfähigkeit:Halbisolierendes SiChat einen sehr hohen Widerstand, was bedeutet, dass er den Stromfluss wirksam behindern kann, was ihn für den Einsatz als Isolationsschicht in Hochleistungsgeräten eignet
 
Hochwärmeleitfähigkeit:SiCDas Material weist eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit auf, die dazu beiträgt, die Wärme von Geräten schnell und effizient abzuleiten und so die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit des Geräts zu verbessern.
 
Hochspannung:Halbisolierendes SiChat eine sehr hohe Ausfallspannung, was bedeutet, dass es in Hochspannungsanwendungen ohne elektrischen Ausfall arbeiten kann.
 
Ausgezeichnete chemische Stabilität:SiCbleibt chemisch über einen breiten Temperaturbereich hinweg stabil und ist sehr resistent gegen die meisten Säuren und Basen.
 
Hoher Schmelzpunkt:SiChat einen außergewöhnlich hohen Schmelzpunkt von ca. 2.730 °C (4,946 °F), so dass es in extremen Hochtemperaturumgebungen seine Stabilität beibehalten kann.
 
Strahlentoleranz: HalbisolierendSiCEr weist eine hohe Strahlentoleranz auf, wodurch er in Kernreaktoren und Raumfahrtanwendungen hervorragend funktioniert.
 
Ausgezeichnete mechanische EigenschaftenSiCist ein sehr hartes Material mit hervorragender Verschleißfestigkeit und hoher Festigkeit.
 
Breite Bandbreite Halbleiter:SiCist ein breitbandreicher Halbleiter mit hoher Elektronenmobilität und geringem Leckstrom, was zu hervorragenden Leistungen bei hohen Temperaturen und hohen Frequenzen bei elektronischen Geräten führt.
 

Verpackung und Versand:

SiC-Wafer sind dünne Scheiben von Halbleitermaterial, die hauptsächlich für Leistungselektronik verwendet werden.es ist wichtig, die richtigen Verpackungs- und Versandanweisungen zu befolgen.

Verpackung

• Die Wafer müssen in einer ESD-sicheren Verpackung geliefert werden.
• Jede Wafer sollte in ein ESD-sicheres Material wie ESD-Schaum oder Blasenfolie eingewickelt werden.
• Die Verpackung sollte mit ESD-Tape versiegelt werden.
• Die Verpackung sollte mit dem ESD-Sichersymbol und dem Aufkleber "Fragile" versehen sein.