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6H-N Halbisolierende SiC-Substarte / Wafer für MOSFETs、JFETs BJTs Hohe Widerstandsfähigkeit Breite Bandbreite
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMSH |
| Modellnummer: | 4H SiC-Substrat/Wafer mit Halbdämmung |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Lieferzeit: | 2-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
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Detailinformationen |
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| Zulassung: | Produktionstyp Forschungstyp Dummy-Typ | Durchmesser: | 100.0 mm +/- 0,5 mm |
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| Stärke: | 500 um +/- 25 um (halbisolierender Typ), 350 um +/- 25 um (N-Typ) | Oblaten-Orientierung: | Auf der Achse: <0001> +/- 0,5° für 4H-SI Abseits der Achse: 4,0° in Richtung <11-20> +/- 0,5° für 4H |
| Elektrische Widerstandsfähigkeit (Ohm-cm): | 4H-N 0,015 ~ 0,028 4H-SI>1E5 | Dopingkonzentration: | N-Typ: ~ 1E18/cm3 SI-Typ (V-Doped): ~ 5E18/cm3 |
| Primäre Wohnung: | 32.5 mm +/- 2,0 mm | Flache zweitenslänge: | 18.0 mm +/- 2,0 mm |
| Flache zweitensorientierung: | Silikon nach oben: 90° CW von Primärfläche +/- 5,0° | ||
| Markieren: | 6H-N Halbisolierende SiC-Substarte,6H-N SiC-Wafel mit Halbdämmung,Breite Bandbreite Halbisolierende SiC Substarte |
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Produkt-Beschreibung
6H-N Halbisolierende SiC-Substrate/Wafer für MOSFETs, JFETs, BJTs, hohe Widerstandsfähigkeit, breite Bandbreite
Abstrakt des halbisolierenden SiC-Substrats/Wafer
Halbisolierende Siliziumcarbid (SiC) -Substrate/Wafer sind als entscheidende Materialien im Bereich fortschrittlicher elektronischer Geräte entstanden.hohe WärmeleitfähigkeitDiese Zusammenfassung gibt einen Überblick über die Eigenschaften und Anwendungen von SiC-Substraten/Wafern zur Halbdämmung.Es bespricht ihr halbisoliertes Verhalten., die die Freizügigkeit von Elektronen hemmt und so die Leistung und Stabilität elektronischer Geräte verbessert.Die breite Bandbreite von SiC ermöglicht hohe Elektronen- und Sättigungsgeschwindigkeiten, die für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen unerlässlich sind.mit einer Breite von mehr als 20 mm,Die chemische Stabilität und die mechanische Härte von SiC erhöhen seine Zuverlässigkeit und Haltbarkeit in verschiedenen Anwendungen.Halbisolierende SiC-Substrate/Wafer bieten eine überzeugende Lösung für die Entwicklung elektronischer Geräte der nächsten Generation mit verbesserter Leistung und Zuverlässigkeit.
Halbisolierende SiC-Substrate/Wafer-Vitrine
Datenkarte des halbisolierenden SiC-Subparts/Wafers (teilweise)
| Die wichtigsten Leistungsparameter | |
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Produktbezeichnung
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Silikonkarbid-Substrat, Silikonkarbid-Wafer, SiC-Wafer, SiC-Substrat
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Wachstumsmethode
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MOCVD
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Kristallstruktur
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6h, 4h
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Gitterparameter
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6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å),
4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å) |
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Abfolge der Stapelung
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6H: ABCACB,
4H: ABCB |
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Zulassung
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Produktions- und Forschungsqualität, Dummyqualität
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Leitungstyp
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N-Typ oder halbisolierend |
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Band-Gap
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3.23 eV
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Härte
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9.2 (Mohs)
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Wärmeleitfähigkeit @300K
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3.2 bis 4.9 W/cm.K
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Dielektrische Konstanten
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Das ist ein sehr schwieriges Problem.33
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Widerstand
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4H-SiC-N: 0,015 bis 0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02 bis 0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm |
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Verpackung
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Klasse 100 saubere Tasche, in Klasse 1000 saubere Raum
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| Standardspezifikation | |||||
| Produktbezeichnung | Orientierung | Standardgröße | Stärke | Polstern | |
| 6H-SiC-Substrat 4H-SiC-Substrat |
<0001> <0001> 4° abwärts in Richtung <11-20> < 11 bis 20 < 10 bis 10> mit einer Breite von mehr als 20 mm |
10x10 mm 10x5 mm 5x5 mm 20x20 mm φ2" x 0,35 mm φ3 x 0,35 mm φ4" x 0,35 mm φ4" x 0,5 mm φ6" x 0,35 mm Oder andere |
0.1 mm 0.2 mm 0.5 mm 1.0 mm 2.0 mm Oder andere |
Schöner Boden Einseitig poliert Polsterung auf doppelter Seite Schmalheit: Ra<3A ((0,3nm) |
Ermittlung Online |
wichtigste Anwendungen:
Halbisolierende Siliziumcarbid (SiC) -Substrate/Wafer finden vielfältige Anwendungen in mehreren Hochleistungs-elektronischen Geräten.
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Leistungselektronik:Halbisolierende SiC-Substrate werden häufig bei der Herstellung von Leistungseinrichtungen wie Metalloxid-Halbleiter-Feldwirkungstransistoren (MOSFETs) verwendet.Transistoren mit Schnittfeldwirkung (JFET)Die große Bandbreite von SiC ermöglicht es diesen Geräten, bei höheren Temperaturen und Spannungen zu arbeiten.Dies führt zu einer verbesserten Effizienz und geringeren Verlusten in Leistungsumwandlungssystemen für Anwendungen wie Elektromobile., erneuerbare Energien und industrielle Stromversorgungen.
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Funkfrequenzgeräte:Die hohe Elektronenmobilität und Sättigungsgeschwindigkeit von SiC ermöglichen die Entwicklung von Hochfrequenz-Hochleistungs-HF-Geräte für Anwendungen wie drahtlose Kommunikation, Radarsysteme und Satellitenkommunikation.
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Optoelektronik:Halbisolierende SiC-Substrate werden bei der Herstellung von ultravioletten (UV) Photodetektoren und Lichtdioden (LED) verwendet.Die Empfindlichkeit von SiC gegenüber UV-Licht macht es für UV-Erkennungsanwendungen in Bereichen wie Flammerkennung geeignet, UV-Sterilisation und Umweltüberwachung.
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Hochtemperaturelektronik:SiC-Geräte funktionieren zuverlässig bei erhöhten Temperaturen und eignen sich daher für Anwendungen mit hohen Temperaturen wie Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie und Bohrungen im Boden.SiC-Substrate werden zur Herstellung von Sensoren verwendet, Antriebe und Steuerungssysteme, die schwierigen Betriebsbedingungen standhalten können.
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Photonik:SiC-Substrate werden bei der Entwicklung von photonischen Geräten wie optischen Schaltern, Modulatoren und Wellenleitungen eingesetzt.Die breite Bandbreite und die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC ermöglichen die Herstellung von, Hochgeschwindigkeitsphotonische Geräte für Anwendungen in der Telekommunikation, Sensorik und optischen Rechentechnik.
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Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen:SiC-Substrate werden bei der Herstellung von Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräten wie Schottky-Dioden, Thyristoren und Hochelektronenmobilitäts-Transistoren (HEMT) verwendet.Diese Geräte finden Anwendungen in Radarsystemen, drahtlose Kommunikationsinfrastruktur und Teilchenbeschleuniger.
Zusammenfassend kann gesagt werden, dass halbisolierende SiC-Substrate/Wafer eine entscheidende Rolle in verschiedenen elektronischen Anwendungen spielen, da sie eine überlegene Leistungsfähigkeit, Zuverlässigkeit,und Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen HalbleitermaterialienIhre Vielseitigkeit macht sie zu einer bevorzugten Wahl für elektronische Systeme der nächsten Generation in mehreren Branchen.
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