Produkt-Beschreibung

Halbisolierende 3-Zoll-Siliziumkarbidwafer 4H CVD-Orientierung N-Typ: 4.0°±0.5°

Abstract der 3-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer

The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for advanced high-power and high-frequency semiconductor devices that operate well beyond the capabilities of either silicon or gallium arsenide devicesDie wichtigsten Vorteile der SiC-basierten Technologie umfassen reduzierte Schaltverluste, eine höhere Leistungsdichte, eine bessere Wärmeableitung und eine erhöhte Bandbreitenfähigkeit.Dies führt zu sehr kompakten Lösungen mit erheblich verbesserter Energieeffizienz zu geringeren KostenDie rasch wachsende Liste der derzeitigen und geplanten kommerziellen Anwendungen mit SiC-Technologien umfaßt Schaltnetzteile, Wechselrichter für die Erzeugung von Solar- und Windenergie,Industrieantriebsmotoren, HEV und EV-Fahrzeuge und Smart-Grid-Stromübergang.

Das wichtigste Merkmal der halbisolierenden 3-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer

Die 3-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer zeigt wichtige Eigenschaften, die sie für verschiedene Halbleiteranwendungen unerlässlich machen.Diese Wafer stellen ein entscheidendes Substrat für die Herstellung leistungsstarker elektronischer Geräte darDie halbisolierende Eigenschaft, die auf einen gewissen Grad der elektrischen Isolierung hinweist, ist ein bestimmendes Merkmal, das das Leck verringert und die Leistung elektronischer Komponenten verbessert.

Siliziumkarbid (SiC), das Hauptmaterial für Baumaterial, ist eine Verbindung, die für ihre außergewöhnlichen Eigenschaften bekannt ist.so dass es ideal für anspruchsvolle AnwendungenDie halbisolierende Natur dieser Wafer ist für Mikrowellen- und Radiofrequenzgeräte wie Leistungsverstärker und HF-Schalter von Vorteil.wenn die elektrische Isolierung für eine optimale Leistung entscheidend ist.

Eine der wichtigsten Anwendungen von Halbdämmstoff-Silikonkarbid-Wafern ist in Leistungselektronikgeräten.Diese Wafer werden in der Herstellung von SiC-Schottky-Dioden und SiC-Feldwirkungstransistoren (FETs) verwendet, die zur Entwicklung der Hochspannungs- und Hochtemperaturleistungselektronik beiträgt.Die einzigartigen Eigenschaften des Materials machen es für Umgebungen geeignet, in denen herkömmliche Halbleiter möglicherweise schwer funktionieren.

Darüber hinaus finden diese Wafer Anwendungen in der Optoelektronik, insbesondere bei der Herstellung von SiC-Fotodioden.Die Empfindlichkeit von Siliziumkarbid gegenüber ultraviolettem Licht macht es in optischen Anwendungen wertvollIn extremen Bedingungen, wie hohen Temperaturen und rauen Umgebungen, werden in Sensoren und Steuerungssystemen halbisolierende SiC-Wafer eingesetzt.

Im Bereich von Anwendungen bei hohen Temperaturen und in extremen Umgebungen werden halbisolierende Siliziumkarbidwafer aufgrund ihrer Stabilität und Widerstandsfähigkeit bevorzugt.Sie spielen eine entscheidende Rolle in Sensor- und Steuerungssystemen, die für den Betrieb unter schwierigen Bedingungen konzipiert sind.

In Kernenergieanwendungen ist die Strahlungsstabilität von Siliziumkarbid vorteilhaft.

Diese wesentlichen Eigenschaften positionieren zusammen 3-Zoll-Siliziumkarbid-Semi-Isolierende Wafer als kritische Komponenten in fortschrittlichen Halbleitertechnologien.Die Bedeutung von Elektrotechnik in modernen Elektronik- und technologieorientierten Industriezweigen wird durch die Anwendungen bei hoher Temperatur unterstrichen.Die kontinuierlichen Fortschritte in der SiC-Technologie festigen die Bedeutung dieser Wafer bei der Erschließung der Grenzen der elektronischen Leistung und Zuverlässigkeit.

Anwendungsbereich der halbisolierenden 3-Zoll-Silikonkarbidwafer

Die 3-Zoll-Siliziumkarbidwafer spielt eine zentrale Rolle in verschiedenen Halbleiteranwendungen.mit einzigartigen Eigenschaften, die zur Weiterentwicklung elektronischer Geräte und Systeme beitragenMit einem Durchmesser von 3 Zoll sind diese Wafer bei der Herstellung leistungsstarker elektronischer Komponenten besonders einflussreich.

Die halbisolierende Eigenschaft dieser Wafer ist ein wichtiges Merkmal, das eine elektrische Isolierung zur Minimierung von Stromlecks bietet.Diese Eigenschaft ist für Anwendungen von entscheidender Bedeutung, bei denen die Aufrechterhaltung eines hohen elektrischen Widerstands unerlässlich ist, wie z. B. bei bestimmten Arten von elektronischen Geräten und integrierten Schaltungen.

Eine bedeutende Anwendung von halbisolierenden 3-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern ist die Herstellung von Hochfrequenz- und Hochleistungs-elektronischen Geräten.Die ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und der große Bandbruch von Siliziumkarbid machen es für die Herstellung von Geräten wie Schottky-Dioden geeignetDiese Geräte finden Anwendungen in Leistungsumwandlern, Verstärkern und Radiofrequenzsystemen.

Die Halbleiterindustrie nutzt diese Wafer auch bei der Entwicklung von Sensoren und Detektoren für extreme Bedingungen.Die Robustheit von Siliziumkarbid bei hohen Temperaturen und in rauen Umgebungen macht es gut geeignet, Sensoren zu entwickeln, die schwierigen Bedingungen standhalten könnenDiese Sensoren werden in verschiedenen Branchen eingesetzt, darunter Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie und Energie.

In der Optoelektronik werden Halbisolierende Siliziumkarbidwafer zur Herstellung von Photodioden und Lichtdioden (LEDs) verwendet.Die einzigartigen optischen Eigenschaften von Siliziumkarbid machen es für Anwendungen geeignet, die eine Empfindlichkeit gegenüber ultraviolettem Licht erfordernDies ist insbesondere bei optischen Sensoren und Kommunikationssystemen von Vorteil.

Die Kernindustrie profitiert von der Strahlungsbeständigkeit von Siliziumkarbid, und diese Wafer finden Anwendungen in Strahlungsdetektoren und Sensoren, die in Kernreaktoren verwendet werden.Die Fähigkeit, der rauen Strahlungsumgebung standzuhalten, macht Siliziumkarbid zu einem wesentlichen Material für solche kritischen Anwendungen..

Forscher und Wissenschaftler erforschen weiterhin neue Anwendungen für halbisolierende 3-Zoll-Silikonkarbid-Wafer, angetrieben durch die außergewöhnlichen Eigenschaften des Materials.Es wird erwartet, dass diese Wafer eine wichtige Rolle in aufstrebenden Bereichen wie Quantenrechen spielen., wo robuste und leistungsfähige Materialien unerlässlich sind.

Zusammengefasst erstrecken sich die Anwendungen der 3-Zoll-Siliziumkarbid-Semi-Isolier-Wafer auf eine Vielzahl von Branchen, von der Leistungselektronik und Optoelektronik bis hin zu Sensorik und Kerntechnologien.Seine Vielseitigkeit und seine einzigartigen Eigenschaften machen ihn zu einem wichtigen Faktor für die Entwicklung fortschrittlicher elektronischer Systeme, die in anspruchsvollen Umgebungen effizient arbeiten..

Datendiagramm der halbisolierenden 3-Zoll-Silikonkarbidwafer

* Typische Produktionswerte Kontaktieren Sie uns für Standardvorgaben oder kundenspezifische Anfragen
** gemessen durch Interferometrie des weißen Lichts (250 μm x 350 μm)

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