März 2025 ZMSH offizielle Ankündigung

ZMSH ist stolz, die offizielle Veröffentlichung unseres12-Zoll-Siliziumkarbid- (SiC) Einzelkristallwafer, die einewichtiger MeilensteinDieses hochmoderne Produkt steht nun weltweit für Kunden zur Verfügung und unterstützt die rasch wachsende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen (EV), erneuerbaren Energien,und industrielle Stromversorgungssysteme.

Als führender Akteur in der Halbleiterindustrie setzt sich ZMSH dafür ein, innovative Lösungen bereitzustellen, die die Zukunft von Energie und Technologie vorantreiben.Die Einführung dieser 12-Zoll-SiC-Wafer stellt einen Durchbruch in der Produktion von Hochleistungs-Leistungsgeräten dar, ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Elektrofahrzeuge (EV), erneuerbare Energiesysteme und Stromnetze.

Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumwafern bieten SiC-Wafer eine überlegene Wärmeleitfähigkeit, eine höhere Spannungstoleranz und eine bessere Effizienz, was sie zu einem entscheidenden Material für moderne Energiesysteme macht.Mit der Einführung der 12-Zoll-Wafer, ist ZMSH jetzt in der Lage, größere, effizientere Wafer zu liefern, so dass mehr Leistungseinrichtungen pro Wafer zu geringeren Kosten hergestellt werden können.

Dieses neue Angebot von ZMSH wird es den Herstellern ermöglichen, ihre Produktion von SiC-basierten Leistungsgeräten auszubauen.Kosten senken und gleichzeitig der wachsenden weltweiten Nachfrage nach nachhaltigen und leistungsstarken Energielösungen gerecht werden.

Wir laden Sie ein, das Potenzial unserer 12-Zoll-SiC-Single-Crystal-Wafer zu erforschen und zu sehen, wie sie Ihre Projekte und Anwendungen in der Welt der Leistungselektronik revolutionieren können.Kontaktieren Sie ZMSH noch heute, um mehr über unser neuestes Produkt zu erfahren und wie es Ihrem Unternehmen zugute kommen kann.

Bleiben Sie mit ZMSH im Vordergrund, Ihrem Partner in der Next-Generation Power-Elektronik.

Produktempfehlung

12 Zoll SiC-Wafer 300 mm Siliziumkarbid-Wafer Leitfähige Dummy-Grad N-Typ Forschungsgrad

8 Zoll 12 Zoll 4H-N Typ SiC Wafer Dicke 500±25um 1000±50 N Doped Dummy Prime Forschungsgrad