Neue 12-Zoll-SiC-Wafer eingeführt, die eine Revolution in der Hochleistungs-Halbleiterindustrie vorantreiben

Neue 12-Zoll-SiC-Wafer eingeführt, die eine Revolution in der Hochleistungs-Halbleiterindustrie vorantreiben

Shanghai, 20. Februar 2025 Shanghai Famous Trade Co., Ltd. freut sich, die Einführung seiner neuen12 Zoll (300 mm) Siliconkarbid (SiC) Wafer, ein bedeutender Durchbruch auf dem Gebiet der Hochleistungs-Halbleitermaterialien.Dieses Produkt erfüllt die strengen Anforderungen sowohl der Forschungs- als auch der Produktionsumgebung, und wird in Industriezweigen wie Elektrofahrzeugen (EVs), Leistungselektronik und Funkfrequenz (RF) -Technologie weit verbreitet.

Haupteigenschaften der Hochleistungs-SiC-Wafer

Die neue 12-Zoll-SiC-Wafer verfügt über eine 4H-N-Kristallorientierung und eine Dicke von 750±25μm und bietet außergewöhnliche elektrische, thermische und mechanische Eigenschaften.Im Vergleich zu traditionellen SiliziummaterialienDie hohe Wärmeleitfähigkeit, die hohe Abbruchspannung und die ausgezeichnete Elektronenmobilität von SiC ̇ ermöglichen es, bei höheren Spannungen, Temperaturen und Frequenzen zu arbeiten.erhebliche Verbesserung der Effizienz und Zuverlässigkeit des Geräts.

• Materielle Vorteile: SiC hat eine breite Bandbreite, eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eine hohe Spannungstoleranz, was es ideal für Hochleistungs- und Hochtemperaturelektronikgeräte wie Leistungs-MOSFETs und Leistungsdioden macht.
• Mechanische Eigenschaften: Die Härte und Steifheit von SiC ̊ übersteigt bei weitem die traditionellen Siliziummaterialien und erhöht die Haltbarkeit und strukturelle Integrität von Geräten.
• Weite Anwendungsbereiche: Die neue 12-Zoll-SiC-Wafer eignet sich besonders für hohe Leistungsanforderungen in Elektrofahrzeugen, Leistungselektronik, Hochfrequenzkommunikation, LED-Beleuchtung und mehr,Förderung des Fortschritts in Branchen wie Fahrzeugen mit neuer Energie, erneuerbare Energien und industrielle Energiesysteme.

Produktspezifikationen

• Durchmesser: 300 mm
• Stärke: 750 ± 25 μm
• Kristallorientierung: Typ 4H-N, <0001> (auf der Achse) und 4° abseits der Achse <1120>
• Widerstand: 0,015 0,03 Ω·cm
• Mikropipendichte (MPD): ≤ 10/cm2
• Oberflächenrauheit: Polnischer Ra ≤1nm, CMP Ra ≤0,2nm
• Verpackung: Einfach gefüllter Waferbehälter

Durchbruchsprospekte für die Anwendung

Die neue 12-Zoll-SiC-Wafer wird in leistungsstarken elektronischen Produkten, insbesondere in Strommanagementsystemen für Elektrofahrzeuge, intelligenten Netzen, Energiespeichern und Stromumwandlungssystemen, weit verbreitet verwendet.SiC ′s Hochtemperaturstabilität, starke Leistungsmanagement-Fähigkeiten und schnelle Schaltfunktionen machen es zu einer idealen Wahl für energieeffiziente Halbleitergeräte der nächsten Generation mit geringer Leistung.

Darüber hinaus werden diese Wafer eine Schlüsselrolle bei Hochfrequenzanwendungen wie 5G-Kommunikation, Luft- und Raumfahrt und militärischen Radarsystemen spielen.Da die Nachfrage nach leistungsstarken elektronischen Geräten weiter steigt, wird die 12-Zoll-SiC-Wafer zu einer wichtigen Triebfeder in der Halbleiterindustrie.

Über die Shanghai Famous Trade Co., Ltd.

Shanghai Famous Trade Co., Ltd. ist auf die Forschung, Entwicklung und Lieferung von Hochleistungs-Halbleitermaterialien spezialisiert.Wir verpflichten uns, den globalen Kunden modernste Technologien und hochwertige Produkte anzubieten.Mit jahrelanger technologischer Expertise und Markterfahrung sind wir zu einem anerkannten Marktführer und zuverlässigen Partner in der Branche geworden.

Für weitere Produktinformationen oder Bestellfragen besuchen Sie bitte unsere offizielle Website oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam.Wir freuen uns darauf, mit Ihnen die nächste Generation von Hochleistungs-Halbleitern zu entwickeln..