Produktion von Halbleitern aus Siliziumkarbid wird von 6 bis 8 Zoll Wafer aufgerüstet
July 1, 2024
Produktion von Halbleitern aus Siliziumkarbid wird von 6 bis 8 Zoll Wafer aufgerüstet
Das Produktionsverfahren für Leistungshalbleiter aus Siliziumcarbid (SiC) soll von 6- bis 8-Zoll-Wafern aufgerüstet werden.Bereitstellung von SiC-Leistungshalbleitern zum Markt zu wettbewerbsfähigen PreisenDer Übergang wird im dritten Quartal 2025 beginnen.
Verbesserung der Produktionseffizienz
Francesco Muggeri, Vizepräsident von Power Discrete and Analog Products, teilte in einem kürzlich durchgeführten Interview seine Erkenntnisse mit.Aber wir planen, ab dem dritten Quartal des nächsten Jahres allmählich auf 8 Zoll zu wechseln.Mit der Erhöhung der Wafergröße kann jeder Wafer mehr Chips produzieren, wodurch die Produktionskosten pro Chip gesenkt werden.Dieser strategische Schritt soll die wachsende Marktnachfrage befriedigen und die Preise stabilisieren..
Weltweite Übergangspläne
Das Unternehmen hat einen umfassenden Plan für diesen Übergang vorgelegt. Die Umstellung auf 8-Zoll-Wafer wird in seinem SiC-Waferwerk in Catania, Italien, im dritten Quartal nächsten Jahres beginnen.Ihre Fabrik in Singapur wird ebenfalls auf 8-Zoll-Wafer umsteigenZusätzlich soll ein Joint Venture in China bis zum vierten Quartal desselben Jahres mit der Produktion von 8-Zoll-SiC-Wafern beginnen.
Marktdynamik und Zukunftsprognosen
Das derzeitige Marktszenario für SiC-Leistungshalbleiter ist durch hohe Nachfrage und hohe Preise gekennzeichnet.Die Produkte, die jetzt verkauft werden, basieren auf Aufträgen von vor mehr als zwei Jahren"Wir erwarten, dass die Preise für 2027 und darüber hinaus 15-20% niedriger sein werden als die aktuellen Preise, was auf eine gewisse Preisstabilisierung für SiC-Halbleiter hindeutet", erklärte er.
Auswirkungen auf den Markt für Elektrofahrzeuge
In Bezug auf Bedenken hinsichtlich einer möglichen Verlangsamung des weltweiten Elektrofahrzeugmarktes (EV) blieb Muggeri optimistisch.Während sich das Wachstum in einigen der am schnellsten wachsenden Länder wie Europa verlangsamt hatDie Zahl der Halbleiter, die in der Automobilproduktion verwendet werden, ist gestiegen.und die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern bleibt stark"Muggeri bemerkte.
Er hob die Vorteile von SiC-Leistungs-Halbleitern in Elektrofahrzeugen hervor, wie z. B. eine 18-20%ige Erhöhung der Reichweite.¢Die Anwendungsrate von SiC-Leistungshalbleitern in Fahrzeugen wird voraussichtlich von derzeit 15% auf 60% steigenDie Entwicklung der SiC-Technologie in der Automobilindustrie wird von entscheidender Bedeutung sein.
Schlussfolgerung
Der Übergang zu 8-Zoll-SiC-Wafern ist ein bedeutender Schritt vorwärts bei der Erfüllung der wachsenden Nachfrage nach effizienten und kostengünstigen Leistungshalbleitern.Dieser strategische Schritt soll die Produktionskapazitäten erhöhen und die Marktpreise stabilisieren., unterstützt die laufenden Fortschritte in der Elektrofahrzeugtechnologie und darüber hinaus.
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In dieser Studie wird die Charakterisierung einer 8-Zoll-Wafer aus Siliziumcarbid (SiC) des Typs 4H-N vorgestellt, die für Halbleiteranwendungen bestimmt ist.wurde mit Hilfe modernster Techniken hergestellt und mit Verunreinigungen des Typs n bestückt- Charakterisierungstechniken einschließlich Röntgendiffraktion (XRD), Scanning-Elektronenmikroskopie (SEM) und Messungen des Hall-Effekts wurden eingesetzt, um die Kristallqualität, die Oberflächenmorphologie, dieund elektrische Eigenschaften der WaferDie XRD-Analyse bestätigte die 4H-Polytypstruktur der SiC-Wafer, während die SEM-Bildgebung eine einheitliche und fehlerfreie Oberflächenmorphologie ergab.