TGV-Verfahren (Through Glass Via).

TGV (Through Glass).Über)ist einfortschrittlich VerpackungTechnologie, die vertikal durch Mikrovias in ultradünnen Glassubstraten erzeugt und diese metallisiertaktivieren VertikaleVerbindung zwischenChips. MitniedrigVerlustin der HöheFrequenzen, niedrige ThermikStressund Kostenvorteile, TGV istbetrachtetals eine der Schlüssellösungen für2,5D/3DVerpackungund ChipletIntegration.

Kern Prinzip

Der TGVVerfahren beinhaltet fabrizierenDurchgangslöcher im Mikrometerbereich,typischerweise 10–50 μmInDurchmesser, In100–700 μm ultradünne Glassubstratewie Borosilikatglas oder Quarz. DieseDurchkontaktierungenwerden dann mit gefülltKupferdurch Galvanisieren zu formenVertikaleleitfähigKanäle, dient alsAlternativezu traditionellTSV-Silizium-Interposer.

Standard Verfahren Fließen

1. Untergrundvorbehandlung

Das Glassubstrat wird gereinigt, getrocknet und mit Fotolack beschichtet, gefolgt von einer FotolithografieentfernenSchadstoffe unddefinierenDieüber Muster.

2.Laser Über Bildung

Das ist dasKernStufe des TGVVerfahren. Ein UltraschnellerLaser, beispielsweise eine Pikosekunde oder eine FemtosekundeLaser, wird im Inneren des Glases fokussiertinduzierenMikrorisse bzwmodifiziert Regionen, bildet hoch-Aspekt-Verhältnis über Kanäle. DerAspekt Verhältniskann bis zu erreichen150:1, mitüber Durchmesserso klein wie3 μmund von Loch zu LochGleichmäßigkeit übersteigend 95 %über Millionen vonDurchkontaktierungen.

3. NassRadierung/ÜberVergrößerung / Reinigung

HF oder BHFRadierungist es gewohntentfernenDieLaser-modifiziert Regionen, glätten Sie dieüberSeitenwände undgenauKontrolliere das Finaleüber Durchmesser. Das Substrat ist danngründlichgereinigtentfernen RestVerunreinigungen.

4. Metallisierung

SamenSchichtAblagerung:
Ein Ti/Cu- oder AlN/Cu-KeimSchichtIsthinterlegtdurch Sputtern zusicherstellenstarkHaftungzumüberSeitenwände.

KupferGalvanisieren:
Impulsoder DC-Galvanik wird verwendet, um eine vollständige, lunkerfreie Herstellung zu erreichenKupferFüllung im InnerenDurchkontaktierungen.

Oberfläche Behandlung:
CMP wird durchgeführt, um das zu planarisierenOberfläche, gefolgt von einer Antioxidationsbeschichtung, wennerforderlich.

5. RDL-Bildung / Bumping

Eine Umverteilungsschicht wird typischerweise mit feinen Linien/Abständen hergestellt≤2 μm, gefolgt von der Platzierung von Lötkugeln oder der Bildung von Kupfersäulen für das anschließende Chip-Bonden.

6. Testen / Würfeln

Es werden elektrische Tests durchgeführt, gefolgt vom Wafer-Dicing und der Endkontrolle des Produkts.

Zusammenfassung

Mit seinen Vorteilen vonverlustarme Hochfrequenzleistung, geringe thermische Belastung und wettbewerbsfähige KostenTGV ist in der Post-Moore-Ära zu einer Schlüsseltechnologie für die 3D-Vernetzung geworden. Seine wichtigsten technischen Durchbrüche liegen inLaserdurchkontaktierung und lunkerfreie Kupfergalvanisierung. Da sich die Technologie im Jahr 2026 auf die Massenproduktion zubewegt, wird sie voraussichtlich eine wichtige Rolle dabei spielenKI-Computing, 5G/6G-RF-Geräte, fortschrittliche Verpackung und Chiplet-Integration.