Der Wettbewerb von sic und GaN

Seit gegen 2001 hat Verbindungshalbleitergalliumnitrid eine beleuchtende Revolution ausgelöst, die irgendwie die schnellste technologische Revolution in der Menschheitsgeschichte ist. Entsprechend einer Studie durch die Internationale Energiebehörde, hat der Anteil von Nitrid-ansässigen Leuchtdioden des Galliums im globalen beleuchtenden Markt sich von null bis vorbei 50% in gerade zwei Jahrzehnte erhöht. Forschungsfirma-Mordor-Intelligenz sagte vor kurzem voraus, dass LED-Beleuchtung verringert, Leistungsaufnahme durch 30% bis 40% in den folgenden sieben Jahren global zu beleuchten. Entsprechend Daten vom Umwelt-Programm der Vereinten Nationen, erklärt Beleuchtung ungefähr 20% von Stromverbrauch und 6% von Kohlendioxydemissionen global.

Diese Revolution ist weit von vorbei. Tatsächlich ist sie im Begriff, zu einem hochgradigen zu springen. Die Halbleitertechnik, die die beleuchtende Industrie umgewandelt hat, Galliumnitrid (GaN), ist auch Teil der Leistungselektronikrevolution, die balanciert wird, um sich zu entfernen. Weil einer der Verbindungshalbleiter, Silikonkarbid (sic), angefangen hat zu ersetzen, basierte Silikon elektronische Produkte auf dem enormen und wichtigen Gebiet der Leistungselektronik.

GaN und sic Geräte führen besseres durch und sind leistungsfähiger als die Silikonkomponenten, die sie ersetzen. Es gibt Hunderte von den Millionen solcher Geräte weltweit, von denen viele einige Stunden lang pro Tag funktionieren, also ist das Energiesparen bedeutend. Verglichen mit GaN LED, das Glühlampen und andere traditionelle Beleuchtung ersetzt, hat der Aufstieg von GaN und sic Leistungselektronik schließlich eine größere positive Auswirkung auf das Klima der Erde.

In fast allen Plätzen, in denen es notwendig ist, Wechselstrom in Gleichstrom oder Gleichstrom in Gleichstrom umzuwandeln, wird vergeudete Energie verringert. Diese Umwandlung tritt in den Wandladegeräten für Handys oder Laptops, größere Ladegeräte und Inverter auf, die Energieelektro-mobile und anderswo. Da andere Silikonbollwerke auch in neue Halbleiter fallen, gibt es ähnliche Einsparungen. Drahtlose Basisstationsverstärker sind eine der wachsenden Anwendungen, in denen diese auftauchenden Halbleiter offenbar Vorteile haben. In der Bemühung, Klimawandel ist abzuschwächen, Leistungsaufnahme und Abfall beseitigend ein handliches Ergebnis, und diese Halbleiter sind die Weise, die wir sie ernten.

Dieses ist ein neues Beispiel eines allgemeinen Musters in der Technikgeschichte: die simultane Leistung von zwei konkurrierenden Innovationen. Wie alles wird dieses los? In welchen Verwendungsgebieten herrscht sic vor, und in welchen Bereichen herrscht GaN vor? Sorgfältige Untersuchung der relativen Vorteile dieser zwei Halbleiter kann uns mit einigen zuverlässigen Anhaltspunkten versehen.

Galliumnitrid und Silikonkarbid: ihre wettbewerbsfähigen Bereiche

Heute, beherrscht sic EV-Inverter und wird gewöhnlich lokalisiert, wo das Spannungsblockieren und -energie, die Fähigkeiten behandelt, kritisch sind und Frequenzen niedrig sind. GaN ist die bevorzugte Technologie für kritische die Hochfrequenzleistung, wie Basisstationen 5G und 6G und Radar und Hochfrequenzenergieaufbereitungsanwendungen, wie Anschlusssteckeradapter, microinverters und Stromversorgung.

Aber das Tauziehen zwischen GaN und sic hat gerade angefangen. Unabhängig davon den Wettbewerb eine Anwendung, ein Markt, ein Markt, können wir sicher sagen, dass die Umwelt der Erde einem Sieger steht. Als dieser neue Zyklus von technologischen Erneuerungs- und Wiederbelebungsbewegungen unaufhaltsam vorwärts, werden Milliarden Tonnen Treibhausgasemissionen in den kommenden Jahren vermieden.