Zum Ende des Jahres 2025 steht der Siliziumkarbid (SiC)-Markt vor erheblichen Veränderungen, mit einer deutlichen Divergenz in den Preistrends und der Rolle des Materials in verschiedenen Branchen. Während die Preise für Bulk-SiC aufgrund steigender Rohstoffkosten steigen, erleben 6-Zoll-SiC-Wafer aggressive Preisreduzierungen, die durch ein Überangebot ausgelöst werden. Die thermischen Eigenschaften des Materials treiben es jedoch in neue, hochwertige Anwendungen, insbesondere in der künstlichen Intelligenz (KI) und im Hochleistungsrechnen (HPC).
In den letzten Wochen sind die Preise für Bulk-SiC-Materialien, wie z. B. grüne und schwarze SiC-Pulver, stetig gestiegen. Branchenquellen zufolge hat der Preis für SiC kürzlich 6.271 CNY pro metrischer Tonne erreicht, was einem leichten Anstieg von 0,21 % gegenüber der Vorwoche entspricht. Dieser Preisanstieg wird durch mehrere Faktoren getrieben, darunter eine Verknappung der Rohstoffversorgung, eine höhere Nachfrage im nachgelagerten Bereich und Produktionsbeschränkungen aufgrund von Umweltvorschriften.
Diese Faktoren üben einen Aufwärtsdruck auf die Kosten für rohes SiC aus, der sich entlang der Lieferkette auswirkt und alles von Distributoren bis zu Endverbrauchern betrifft. Im Gegensatz dazu, während Basismaterialien aus SiC steigenden Preisen ausgesetzt sind, ist der Preistrend für 6-Zoll-SiC-Wafer genau das Gegenteil.
Das Überangebot an 6-Zoll-SiC-Substraten hat einen Wettbewerbsmarkt geschaffen, in dem die Preise drastisch gesunken sind. Da die großen Hersteller die Produktion hochfahren, hat ein Überangebot zu einem deutlichen Rückgang der Substratpreise geführt. Ende 2025 ist der Preis für 6-Zoll-SiC-Wafer auf unter 500 USD pro Einheit gefallen, was einer Preisreduzierung von 20 % seit Mitte 2024 entspricht. In einigen Fällen bieten Lieferanten diese Wafer zu nahezu Selbstkostenpreisen an, um ihren Marktanteil zu halten.
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Dieser Trend verschärft den Wettbewerb und könnte den globalen SiC-Substratmarkt potenziell neu gestalten, da kleinere Lieferanten darum kämpfen, in einem gesättigten Markt zu überleben. Da die Waferpreise weiter sinken, scheint eine weitere Marktkonsolidierung unvermeidlich.
Während der SiC-Markt mit Preisdruck konfrontiert ist, entwickelt sich seine Anwendung in KI und HPC zur treibenden Kraft für das weitere Wachstum des Materials. Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC, die bis zu 500 W/m·K erreichen kann, macht es zu einem idealen Kandidaten für das Management der extremen Hitze, die von KI-Prozessoren der nächsten Generation erzeugt wird. Herkömmliche Kühllösungen reichen nicht mehr aus, was einen dringenden Bedarf an fortschrittlichen Materialien wie SiC schafft.
Einige bemerkenswerte Entwicklungen sind:
NVIDIA integriert SiC in die Rubin-Plattform: NVIDIA plant, SiC-Substrate in seine Rubin-Plattform 2025 zu integrieren und traditionelles Silizium durch SiC-Interposer zu ersetzen. Diese Umstellung ist entscheidend für das Management der thermischen Belastungen, die von KI-Beschleunigern erzeugt werden, und ermöglicht eine höhere Effizienz und Leistung in KI-Chips der nächsten Generation.
TSMCs Fokus auf 12-Zoll-SiC für HPC: TSMC treibt aggressiv die Entwicklung von 12-Zoll-Einkristall-SiC als Hochleistungs-Wärmeträger voran. Diese Wafer mit großem Durchmesser sollen herkömmliche Keramiksubstrate in HPC-Systemen ersetzen, die ein hocheffizientes Wärmemanagement erfordern.
SiC-Leistungsbauelemente in Rechenzentren: Da immer mehr Rechenzentren 800-V-HVDC-Stromversorgungssysteme einsetzen, werden SiC-Leistungsbauelemente zu einer wesentlichen Komponente. Die Fähigkeit von SiC, hohen Spannungen und Hitze standzuhalten, ist besonders wertvoll für die Stromversorgung der wachsenden Infrastruktur, die für KI- und Cloud-Computing-Anwendungen benötigt wird.
SiC in fortschrittlichen optischen Systemen: Mit einem Brechungsindex von 2,6–2,7 ist SiC gut positioniert, um die Anforderungen von Augmented-Reality- (AR) und Mixed-Reality- (MR) Geräten der nächsten Generation zu erfüllen. Seine optischen Eigenschaften machen es zu einem potenziellen Kandidaten für den Einsatz in leichten, hochleistungsfähigen optischen Elementen in AR/MR-Headsets.
Trotz aktueller Preisschwankungen in bestimmten Segmenten des SiC-Marktes sind die langfristigen Aussichten für SiC sehr positiv. Seine außergewöhnlichen Eigenschaften sowohl im thermischen als auch im optischen Bereich machen es in Spitzentechnologien wie KI, HPC und fortschrittlichen optischen Geräten zunehmend unentbehrlich. Da die Nachfrage nach KI steigt und sich Rechenzentren weiterentwickeln, wird SiC eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der Zukunft der Hochleistungstechnologie spielen.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der SiC-Markt zwar mit Herausforderungen im Zusammenhang mit Rohstoffpreisen und dem Wettbewerb um Substrate konfrontiert ist, seine aufkommenden Anwendungen in KI und HPC jedoch eine vielversprechende Zukunft sichern. Mit technologischen Fortschritten, die den Weg für vielfältigere Anwendungen ebnen, ist SiC prädestiniert, ein Eckpfeilermaterial in der nächsten Generation von High-Tech-Lösungen zu werden.
Zum Ende des Jahres 2025 steht der Siliziumkarbid (SiC)-Markt vor erheblichen Veränderungen, mit einer deutlichen Divergenz in den Preistrends und der Rolle des Materials in verschiedenen Branchen. Während die Preise für Bulk-SiC aufgrund steigender Rohstoffkosten steigen, erleben 6-Zoll-SiC-Wafer aggressive Preisreduzierungen, die durch ein Überangebot ausgelöst werden. Die thermischen Eigenschaften des Materials treiben es jedoch in neue, hochwertige Anwendungen, insbesondere in der künstlichen Intelligenz (KI) und im Hochleistungsrechnen (HPC).
In den letzten Wochen sind die Preise für Bulk-SiC-Materialien, wie z. B. grüne und schwarze SiC-Pulver, stetig gestiegen. Branchenquellen zufolge hat der Preis für SiC kürzlich 6.271 CNY pro metrischer Tonne erreicht, was einem leichten Anstieg von 0,21 % gegenüber der Vorwoche entspricht. Dieser Preisanstieg wird durch mehrere Faktoren getrieben, darunter eine Verknappung der Rohstoffversorgung, eine höhere Nachfrage im nachgelagerten Bereich und Produktionsbeschränkungen aufgrund von Umweltvorschriften.
Diese Faktoren üben einen Aufwärtsdruck auf die Kosten für rohes SiC aus, der sich entlang der Lieferkette auswirkt und alles von Distributoren bis zu Endverbrauchern betrifft. Im Gegensatz dazu, während Basismaterialien aus SiC steigenden Preisen ausgesetzt sind, ist der Preistrend für 6-Zoll-SiC-Wafer genau das Gegenteil.
Das Überangebot an 6-Zoll-SiC-Substraten hat einen Wettbewerbsmarkt geschaffen, in dem die Preise drastisch gesunken sind. Da die großen Hersteller die Produktion hochfahren, hat ein Überangebot zu einem deutlichen Rückgang der Substratpreise geführt. Ende 2025 ist der Preis für 6-Zoll-SiC-Wafer auf unter 500 USD pro Einheit gefallen, was einer Preisreduzierung von 20 % seit Mitte 2024 entspricht. In einigen Fällen bieten Lieferanten diese Wafer zu nahezu Selbstkostenpreisen an, um ihren Marktanteil zu halten.
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Dieser Trend verschärft den Wettbewerb und könnte den globalen SiC-Substratmarkt potenziell neu gestalten, da kleinere Lieferanten darum kämpfen, in einem gesättigten Markt zu überleben. Da die Waferpreise weiter sinken, scheint eine weitere Marktkonsolidierung unvermeidlich.
Während der SiC-Markt mit Preisdruck konfrontiert ist, entwickelt sich seine Anwendung in KI und HPC zur treibenden Kraft für das weitere Wachstum des Materials. Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC, die bis zu 500 W/m·K erreichen kann, macht es zu einem idealen Kandidaten für das Management der extremen Hitze, die von KI-Prozessoren der nächsten Generation erzeugt wird. Herkömmliche Kühllösungen reichen nicht mehr aus, was einen dringenden Bedarf an fortschrittlichen Materialien wie SiC schafft.
Einige bemerkenswerte Entwicklungen sind:
NVIDIA integriert SiC in die Rubin-Plattform: NVIDIA plant, SiC-Substrate in seine Rubin-Plattform 2025 zu integrieren und traditionelles Silizium durch SiC-Interposer zu ersetzen. Diese Umstellung ist entscheidend für das Management der thermischen Belastungen, die von KI-Beschleunigern erzeugt werden, und ermöglicht eine höhere Effizienz und Leistung in KI-Chips der nächsten Generation.
TSMCs Fokus auf 12-Zoll-SiC für HPC: TSMC treibt aggressiv die Entwicklung von 12-Zoll-Einkristall-SiC als Hochleistungs-Wärmeträger voran. Diese Wafer mit großem Durchmesser sollen herkömmliche Keramiksubstrate in HPC-Systemen ersetzen, die ein hocheffizientes Wärmemanagement erfordern.
SiC-Leistungsbauelemente in Rechenzentren: Da immer mehr Rechenzentren 800-V-HVDC-Stromversorgungssysteme einsetzen, werden SiC-Leistungsbauelemente zu einer wesentlichen Komponente. Die Fähigkeit von SiC, hohen Spannungen und Hitze standzuhalten, ist besonders wertvoll für die Stromversorgung der wachsenden Infrastruktur, die für KI- und Cloud-Computing-Anwendungen benötigt wird.
SiC in fortschrittlichen optischen Systemen: Mit einem Brechungsindex von 2,6–2,7 ist SiC gut positioniert, um die Anforderungen von Augmented-Reality- (AR) und Mixed-Reality- (MR) Geräten der nächsten Generation zu erfüllen. Seine optischen Eigenschaften machen es zu einem potenziellen Kandidaten für den Einsatz in leichten, hochleistungsfähigen optischen Elementen in AR/MR-Headsets.
Trotz aktueller Preisschwankungen in bestimmten Segmenten des SiC-Marktes sind die langfristigen Aussichten für SiC sehr positiv. Seine außergewöhnlichen Eigenschaften sowohl im thermischen als auch im optischen Bereich machen es in Spitzentechnologien wie KI, HPC und fortschrittlichen optischen Geräten zunehmend unentbehrlich. Da die Nachfrage nach KI steigt und sich Rechenzentren weiterentwickeln, wird SiC eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung der Zukunft der Hochleistungstechnologie spielen.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass der SiC-Markt zwar mit Herausforderungen im Zusammenhang mit Rohstoffpreisen und dem Wettbewerb um Substrate konfrontiert ist, seine aufkommenden Anwendungen in KI und HPC jedoch eine vielversprechende Zukunft sichern. Mit technologischen Fortschritten, die den Weg für vielfältigere Anwendungen ebnen, ist SiC prädestiniert, ein Eckpfeilermaterial in der nächsten Generation von High-Tech-Lösungen zu werden.