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Das 6 Zoll-Silikon-Karbid beschichtete sic Graphit-Tray High Temperature Resistance Graphite-Platten
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | 6 Zoll |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 5-10pcs |
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| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | notwendiger Satz für Graphitbehälter |
| Lieferzeit: | 1-3weeks |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000PCS/Week |
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Detailinformationen |
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| Produktbezeichnung: | 6 Zoll-Silikon-Karbid | Material: | Graphitsic Oblaten-Behälter |
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| Grade: | GSK-II/HPM-II/HPM-III | Suraface: | poliert/reibend |
| Application: | Electrolysis | Durchmesser: | 6 Zoll. |
| Hervorheben: | Sic überzogener Graphitbehälter,6 Zoll-Graphitbehälter,Silikon-Karbid-überzogene Graphitplatten |
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Produkt-Beschreibung
6 Zoll Siliziumkarbid SiC beschichtet Graphit Tray hochtemperaturbeständige Graphitplatten
Silicon carbide coated epitaxial sheet tray used in epitaxial furnace equipment/Silicon Carbide Coated Graphite SiC/Excellent Bending Strength Anti Corrosion Graphite Tray / Wafer Tray/Graphite composite plate high purity carbon graphite anode plate
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Anwendung
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Halbleiter-Integrationsschaltung
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Reinheitsquotient < 5 ppm
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Nano-Skala-Beschichtung und gute Doping-Einheitlichkeit
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Versiegelungsfähigkeit gut und starke Fähigkeit zur Verklebung durch Lackbeschichtung
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mit einer Breite von mehr als 20 mm,
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professioneller kundenspezifischer Service
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kurze Vorlaufzeit
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internationale Prozessprodukte und stabile Lieferzeiten
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Dienstleistungen zur schnellen Verbesserung der Produktleistung
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KATALOG GELEBTE Größe
| Zulassung | Massendichte | Flexuralstärke | Druckfestigkeit |
Spezifische Widerstandsfähigkeit
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Aschegehalt |
| GSK-II | 10,72 g/cc min | 15 MPa min | 32 MPa Min | 8.0μΩ•m max. | 0Maximal 0,3% |
| HPM-II | 10,78 g/cc min | 18Mpa min | 35 MPa min | 10 μΩ•m max. | 00,1% max. |
| HPM-III | 10,83 g/cc min | 35 MPa min | 68 MPa min | 10 μΩ•m max. | 00,1% max. |
| Wenn Ihr benötigtes Material nicht innerhalb der oben genannten Qualitäten liegt, kontaktieren Sie uns bitte ohne zu zögern.Unser professioneller und erfahrener Ingenieur wählt die am besten geeignete Qualität für Ihre spezifische Anwendung.. | |||||
Über die Firma ZMKJ
ZMKJ kann hochwertige Einzelkristall-SiC-Wafer (Siliziumkarbid) für die elektronische und optoelektronische Industrie liefern.mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften und hervorragenden thermischen Eigenschaften , im Vergleich zu Siliziumwafer und GaAs-Wafer, ist SiC-Wafer für hohe Temperaturen und Hochleistungsgeräte besser geeignet. SiC-Wafer können in Durchmesser 2-6 Zoll geliefert werden, sowohl 4H als auch 6H SiC,N-Typ, Stickstoff- und Halbdämmstoff-Typen sind erhältlich.
Unsere Beziehungsprodukte
Saphirwafer und Linse/ LiTaO3 Kristall/ SiC-Wafer/ LaAlO3 / SrTiO3/Wafer/ Ruby Ball
Häufig gestellte Fragen
F: Wie ist der Versand und die Kosten?
A:(1) Wir akzeptieren DHL, Fedex, EMS usw.
(2) Es ist in Ordnung, wenn Sie ein eigenes Expresskonto haben, wenn nicht, können wir Ihnen helfen, sie zu versenden und
Die Fracht entspricht der tatsächlichen Rechnung.
F: Wie zahlen?
A: T/T 100% Anzahlung vor Lieferung.
F: Was ist Ihr MOQ?
A: (1) Für Lagerbestände beträgt die MOQ 1 Stück. Wenn 2-5 Stück ist es besser.
(2) Für kundenspezifische Waren beträgt die MOQ 10 Stück.
F: Wie ist die Lieferzeit?
A: (1) Für die Standardprodukte
Für Bestände: Die Lieferung erfolgt 5 Werktage nach Bestellung.
Für maßgeschneiderte Produkte: Die Lieferung erfolgt 2 -4 Wochen nach Bestellung.
F: Haben Sie Standardprodukte?
A: Unsere Standardprodukte sind auf Lager.