• SiC-Keramik-Tray-Platte für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und benutzerdefinierte Größe
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SiC-Keramik-Tray-Platte für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und benutzerdefinierte Größe

SiC-Keramik-Tray-Platte für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und benutzerdefinierte Größe

Produktdetails:

Markenname: ZMSH
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Reinheit: 990,9% Farbe: Schwarz
Dichte: 3.14 g/cm3 Flexibilität: 410Mpa
Young's Modulus: 430 GPa Poisson-Verhältnis: 0,17
Bruchfestigkeit: 2 ̊3MPa m1/2 Der Wärmeausdehnungskoeffizient: 4.1x10-6 [Normtemperatur ~ 800°C]
Hervorheben:

2 Zoll SiC-Keramik-Träger

,

SiC-Keramik-Trägerplatten in individueller Größe

,

4 Zoll SiC-Keramikplatte

Produkt-Beschreibung

SiC-Keramikplatte, für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und individuelle Größe

 

 

SiC-Keramik-Träger

 

SiC (Silicon Carbide) Keramikplatten sind spezielle Komponenten, die für Hochleistungsanwendungen, insbesondere in der Halbleiterindustrie, entwickelt wurden.Diese Trays spielen eine entscheidende Rolle bei der Herstellung von Halbleitergeräten, die eine stabile und zuverlässige Plattform für die Verarbeitung von Siliziumwafern bietet.SiC-Keramik-Träger können den hohen Temperaturen standhalten, die während der verschiedenen Stufen der Waferverarbeitung erforderlich sind, wie etwa Epitaxie, Diffusion und Oxidation.

Neben ihren thermischen Eigenschaften weisen SiC-Träger eine bemerkenswerte mechanische Festigkeit auf, die es ihnen ermöglicht, schwere Substrate zu tragen, ohne zu deformieren oder zu knacken.Ihre ausgezeichnete chemische Beständigkeit sorgt für eine hohe Haltbarkeit in Gegenwart von korrosiven Materialien, die häufig in Halbleiterherstellungsprozessen vorkommen.

Darüber hinaus tragen SiC-Keramikplatten zu einer verbesserten Wärmeverteilung bei, die für die Aufrechterhaltung gleichbleibender Verarbeitungsbedingungen auf der Waferoberfläche unerlässlich ist.Diese Funktion hilft, Defekte zu minimieren und die Qualität von Halbleitergeräten zu verbessern.

Diese vielseitigen Trays können auch in verschiedenen Größen und Formen angepasst werden, um spezifische Produktionsanforderungen zu erfüllen, was sie zu einem unverzichtbaren Kapital in der Halbleiterindustrie macht.wenn Präzision und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind.

 

SiC-Keramik-Tray-Platte für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und benutzerdefinierte Größe 0

 


 

 

Eigenschaften von SiC-Keramikplatten

 

Hohe thermische Stabilität:

SiC-Keramikplatten können extremen Temperaturen standhalten und eignen sich somit für Anwendungen bei hohen Temperaturen wie Sintern und Halbleiterverarbeitung.

 

Ausgezeichnete mechanische Festigkeit:

Sie besitzen eine überlegene Festigkeit und Härte, wodurch sie schwere Lasten ohne Verformung tragen können, was eine hohe Haltbarkeit und Langlebigkeit gewährleistet.

 

Chemische Resistenz:

SiC-Treys sind sehr resistent gegen Korrosion und chemische Angriffe, was sie ideal für den Einsatz in aggressiven Umgebungen, insbesondere in der chemischen Verarbeitung und Halbleiterherstellung, macht.

 

Wärmeleitfähigkeit:

Diese Platten weisen eine gute Wärmeleitfähigkeit auf und fördern eine effiziente Wärmeverteilung, die in Prozessen, bei denen eine einheitliche Temperaturkontrolle erforderlich ist, unerlässlich ist.

 

Leichtgewicht:

Trotz ihrer Festigkeit sind SiC-Keramikschalen relativ leicht und erleichtern so die Handhabung und den Transport während der Herstellungsprozesse.

 

Elektrische Isolierung:

SiC-Materialien bieten ausgezeichnete elektrische Dämmungseigenschaften und eignen sich daher für elektronische Anwendungen, bei denen die elektrische Leitfähigkeit minimiert werden muss.

 

Niedrige thermische Ausdehnung:

Der geringe Wärmeausdehnungskoeffizient sorgt für eine stabile Dimension unter unterschiedlichen Temperaturbedingungen und verringert so das Risiko von Verformungen oder Rissen.

 

Hersteller   ASUZAC ASUZAC Firma A Firma B Gesellschaft C
Produktbezeichnung   ASiC SiC3N      
Herstellungsart   Sinterung unter Normaldruck Sinterung unter Normaldruck Warmpressen Herz-Kreislauf-Erkrankungen Si-SiC
Dichte g·cm3 3.15 3.18 3.15 3.21 3.05
Vicker-Härte   28 28 22 26 - Was?
Flexibilität MPa 410 450 600 590 220
Elastizität Durchschnitt 430 430 390 450 280
Bruchfestigkeit MPa/cm^0.5 2.5 2.5 4.4 - Was? - Was?
Thermische Ausdehnung E-6/K 4.1 4.1 4.3 4 4.8
Wärmeleitfähigkeit W/m•K 170 140 230 250 225

 

Anpassbarkeit:

SiC-Keramikplatten können in verschiedenen Größen und Formen hergestellt werden, sodass sie individuell angepasst werden können, um spezifische Anwendungsbedürfnisse zu erfüllen.

Diese Eigenschaften machen SiC-Keramikplatten zu einem wesentlichen Bauteil in verschiedenen Branchen, insbesondere in der Halbleiterherstellung, dem Hochtemperatursintern und der chemischen Verarbeitung.

 


Anwendungen für SiC-Keramik-Träger

 

Halbleiterherstellung:

SiC-Keramikplatten werden häufig zur Unterstützung von Siliziumwafern während verschiedener Herstellungsprozesse, einschließlich Epitaxie, Diffusion und Oxidation, verwendet.Ihre hohe thermische Stabilität und mechanische Festigkeit sorgen für optimale Verarbeitungsbedingungen und minimieren Defekte.

 

mit einer Breite von mehr als 20 mm,

Bei der Herstellung fortschrittlicher Keramik und Materialien werden SiC-Tays in Hochtemperatursinterprozessen verwendet.die Bereitstellung einer zuverlässigen Plattform, die extremen Bedingungen ohne Verformung standhält.

 

Chemische Verarbeitung:

Aufgrund ihrer hervorragenden chemischen Beständigkeit eignen sich SiC-Keramikfächer ideal für den Umgang mit aggressiven Chemikalien in Laboren und Industrieanlagen.Destillationskolonnen, und sonstige Geräte, die eine Beständigkeit gegen ätzende Stoffe erfordern.

 

Elektronische und elektrische Komponenten:

SiC-Träger dienen als Substrate bei der Herstellung elektronischer Geräte und Bauteile,bei denen ihre Isolierungseigenschaften und Wärmeleitfähigkeit für die Aufrechterhaltung der Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit entscheidend sind.

 

Optische Anwendungen:

Bei der Herstellung von optischen Bauteilen werden SiC-Träger zur Unterstützung und Verarbeitung von Materialien verwendet, die eine präzise Temperaturkontrolle und Stabilität erfordern, um eine hohe Qualität der Endprodukte zu gewährleisten.

 

Luft- und Raumfahrtindustrie:

SiC-Keramikplatten werden aufgrund ihrer Leichtigkeit und hohen Festigkeit in der Luftfahrt und im Automobilbereich eingesetzt.besonders bei Bauteilen, die eine thermische Steuerung und Korrosionsbeständigkeit erfordern.

 

Forschung und Entwicklung:

In Forschungs- und Entwicklungsumgebungen werden SiC-Träger häufig für experimentelle Aufbauten verwendet, bei denen hohe Temperaturen oder ätzende Chemikalien eingesetzt werden, wodurch eine robuste Plattform für die Erprobung innovativer Materialien geschaffen wird.

 


Si-C-Keramik-Tablets auf der Ausstellung

 

SiC-Keramik-Tray-Platte für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und benutzerdefinierte Größe 1SiC-Keramik-Tray-Platte für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und benutzerdefinierte Größe 2

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