• SiC-Keramik-Träger-Platten-Waferhalter für den ICP-Etsch-Prozess bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung
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SiC-Keramik-Träger-Platten-Waferhalter für den ICP-Etsch-Prozess bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung

SiC-Keramik-Träger-Platten-Waferhalter für den ICP-Etsch-Prozess bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: ZMSH
Modellnummer: SiC-Keramik-Tray/Platte/Wafer

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 25
Preis: undetermined
Verpackung Informationen: Schaumstoff+karton
Lieferzeit: 2-4weeks
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 PCS/Woche
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Thermal Conductivity: Excellent heat dissipation, ensures uniform temperature control in high-temperature processes. High-Temperature Stability: Can withstand temperatures up to 2,700°C, making it ideal for high-heat environments.
Wear Resistance: High hardness and durability, ideal for repeated handling and mechanical stress.
Hervorheben:

ICP-Etsprozess Keramikfach

,

Keramisches Tray zur Epitaxial-Wachstumsverarbeitung

,

Keramische Platte zur Verarbeitung von Epitaxialwachstum

Produkt-Beschreibung

SiC-keramisches Tray/Platte/Waferhalter für das ICP-Etschverfahren, das bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung verwendet wird

 

 

Zusammenfassung von SiC- (Siliziumkarbid-) Keramikfächern

 

 

SiC-Keramik ist ein hochleistungsfähiges Material, das in Industriezweigen weit verbreitet ist, in denen Langlebigkeit, hohe Temperaturstabilität und eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit erforderlich sind.für ihre überlegene Härte bekannt, Verschleißbeständigkeit, chemische Trägheit und Wärmeschockbeständigkeit machen sie ideal für anspruchsvolle Anwendungen wie Halbleiterherstellung, Materialbehandlung und Hochtemperaturprozesse.Diese Trays eignen sich besonders gut für die Verwendung in Halbleiterherstellungsprozessen wie ICP (Induktiv gekoppeltes Plasma) Ätzen und epitaxial Wachstum,wenn eine präzise Temperaturkontrolle und die Materialienintegrität von entscheidender Bedeutung sind.

 


SiC-Keramik-Träger-Platten-Waferhalter für den ICP-Etsch-Prozess bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung 0

 

Eigenschaften von SiC-Keramik-Trägern

 

SiC-Keramik-Träger sind so konzipiert, dass sie den hohen Anforderungen in Industriezweigen wie der Halbleiterherstellung und dem Materialumschlag entsprechen.

 

1.Hohe Wärmeleitfähigkeit

 

SiC hat eine der höchsten Wärmeleitfähigkeit unter Keramik.In Industriezweigen wie Halbleiter-Etschen und epitaxial Wachstum, wo eine präzise Temperaturkontrolle entscheidend ist, sorgt die Wärmeleitfähigkeit von SiC ̊ dafür, dass das Material hohen Temperaturen standhält und ohne Abbau arbeitet.

 

2. Ausgezeichnete Verschleißfestigkeit

 

Die inhärente Härte von SiC verleiht ihm eine hervorragende Abnutzungs- und Abriebsbeständigkeit, was besonders in Umgebungen wichtig ist, in denen die Trays mechanischen Belastungen ausgesetzt sind.zum Beispiel beim Wafer-HandlingSiC-Träger sind langlebig und langlebig, was sie zu einer zuverlässigen Wahl für den wiederholten Einsatz in industriellen Anwendungen macht.

 

3. Korrosions- und Chemikalienbeständigkeit

 

SiC ist sehr beständig gegen Korrosion und chemische Angriffe, weshalb es für die Verwendung in Umgebungen geeignet ist, in denen andere Materialien abgebaut werden können.und andere korrosive Stoffe, die üblicherweise bei Halbleiter-Etzverfahren oder chemischen Verarbeitungen vorkommen.

 

4. Hochtemperaturstabilität

 

SiC behält seine strukturelle Integrität auch bei extrem hohen Temperaturen.SiC-Keramikschalen können den hohen Temperaturen in Prozessen wie ICP (Induktiv gekoppelt Plasma) Ätzen und epitaxialen Wachstum standhaltenDiese hohe Temperaturverträglichkeit sorgt dafür, dass SiC-Träger unter extremen Bedingungen nicht verformt oder verformt werden.

 

5. Elektrische Isolierung

 

SiC-Keramika sind elektrisch isolierend, was sie ideal für die Verwendung in Halbleiterverarbeitungsumgebungen macht, in denen elektrische Eigenschaften entscheidend sind.die Handhabung von Wafern während der Ablagerung oder beim Ätzen, können die elektrischen Dämmungseigenschaften von SiC dazu beitragen, unerwünschte elektrische Störungen zu verhindern.

 

SiC-Keramik-Träger-Platten-Waferhalter für den ICP-Etsch-Prozess bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung 1

 


Anwendungen von SiC-Keramik-Trägern

 

SiC-Keramik-Träger werden in einer Vielzahl von Branchen eingesetzt, insbesondere in denen hochtemperaturfähige Stabilität, Verschleißbeständigkeit und chemische Widerstandsfähigkeit erforderlich sind.:

 

1. Halbleiterindustrie

 

In der Halbleiterindustrie werden SiC-Keramikschalen häufig für die Waferbehandlung eingesetzt, insbesondere bei den Ätz- und Epitaxialwachstumsprozessen.eine weit verbreitete Technik zur Musterung dünner FilmeSiC-Träger sind ideal für diesen Prozess geeignet, da sie eine hervorragende thermische Steuerung bieten und den Wärmeschäden an den Wafern minimieren.

 

SiC-Träger sind auch in der Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC trägt zur gleichmäßigen Temperaturverteilung bei,der für ein gleichmäßiges Wachstum und hochwertige Schichten auf Siliziumkarbid oder Siliziumwafer entscheidend ist.

 

2. Materialbearbeitung

 

SiC-Keramik-Träger werden für die Handhabung und den Transport von Materialien in Hochtemperaturumgebungen verwendet.und VerbundwerkstoffeSiC-Träger bieten eine robuste Lösung für die Bewegung von Materialien in Öfen, Öfen und anderen extremen Umgebungen.

 

3. LED- und Solarzellenproduktion

 

Die SiC-Eigenschaften sind bei der Herstellung von LEDs und Solarzellen besonders wertvoll.SiC-Keramik-Träger als ideales Material für die Handhabung und Unterstützung der Substrate in verschiedenen ProduktionsstufenAuch bei der Herstellung von Solarzellen werden SiC-Träger zur Handhabung von Wafern bei Prozessen wie Doping und Ätzen verwendet.

 

 

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4Luft- und Raumfahrt und Automobilindustrie

 

SiC-Keramik-Träger werden auch in der Luft- und Raumfahrt und in der Automobilindustrie verwendet, wo die Leistung bei hohen Temperaturen von entscheidender Bedeutung ist.Komponenten, die extremen Bedingungen wie in Turbinen standhalten müssen, Raketentriebwerke und Hochleistungsbremssysteme von der Verwendung von SiC-basierten Materialien profitieren.Diese Trays unterstützen die Handhabung und Verarbeitung von Materialien, die während der Herstellung oder Prüfung bei bestimmten Temperaturen und Umgebungen gehalten werden müssen.

 

 

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Vorteile von SiC-Keramik-Trägern

 

1. Erhöhte Effizienz

 

Die hohe Wärmeleitfähigkeit von SiC sorgt dafür, dass die Wärme effizient abgeworfen wird, wodurch thermische Schäden an sensiblen Komponenten während Prozessen wie Ätzen und Wachstum verhindert werden.Dies führt zu präziseren und konsistenten Ergebnissen, erhöht die Gesamteffizienz der Produktionslinien.

 

2Kostenwirksam.

 

Obwohl SiC ein erstklassiges Material ist, reduzieren seine Langlebigkeit und seine lange Lebensdauer den Bedarf an häufigen Austausch.Da ihre Langlebigkeit und Leistung dazu beitragen, Ausfallzeiten und Wartungskosten zu reduzieren.

 

3. Verstärkte Prozesskontrolle

 

Die Verwendung von SiC-Treys in Hochtemperatur- und Halbleiterverarbeitungsanwendungen ermöglicht eine bessere Kontrolle der Umwelt.Sicherstellung, dass die Wafer oder Substrate optimalen Bedingungen unterzogen werdenDies führt zu besseren Qualitätsprodukten, was in Branchen wie der Halbleiterherstellung, in denen Präzision und Qualität von größter Bedeutung sind, besonders wichtig ist.

 

4. Umweltschutz

 

SiC ′s Beständigkeit gegen Korrosion, Oxidation,und chemische Beschädigungen sorgen dafür, dass SiC-Keramik-Träger den rauen Bedingungen standhalten, denen sich in der Halbleiterherstellung und anderen Hightech-Industrien häufig begegnen.Diese Umweltresilienz trägt zur Langlebigkeit und Zuverlässigkeit der Trays bei anspruchsvollen Anwendungen bei.

 

Schlussfolgerung

 

SiC-Keramik-Träger sind eine wichtige Komponente in Industriezweigen, die hochleistungsfähige Materialien benötigen, die extremen Bedingungen standhalten können.chemische Stabilität, und ihre hohe Temperaturverträglichkeit machen sie unentbehrlich in der Halbleiterherstellung, im Materialhandel und in zahlreichen anderen Anwendungen.und Präzision, SiC-Keramik-Träger bieten den Herstellern eine zuverlässige, langlebige Lösung, die zur Verbesserung der Prozesskontrolle und der Produktqualität beiträgt.Da die Industrie weiterhin höhere Leistungsfähigkeit und widerstandsfähigere Materialien verlangt, wird der Einsatz von SiC-Keramik-Trägern in verschiedenen Hightech-Bereichen nur weiter an Bedeutung gewinnen.

 

 

Fragen und Antworten

 

 

- Was ist das?Können SiC-Keramik-Teller angepasst werden?

 

 

Eine: Ja, SiC-Keramik-Träger können individuell angepasst werden, um spezifische Anforderungen wie Größe, Form und Oberflächenveredelung zu erfüllen.wie z. B. Waferbearbeitung, Transport des Substrats oder spezifische Ätz- und Wachstumsbedingungen.

 

 

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Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert SiC-Keramik-Träger-Platten-Waferhalter für den ICP-Etsch-Prozess bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
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