SiC-Ofen PVT Lely TSSG & LPE Kristallwachstumssysteme für die Produktion von Siliziumkarbid

Produkt-Beschreibung

SiC-Ofen: PVT-, Lely-, TSSG- und LPE-Kristallwachstumssysteme für die Herstellung von hochwertigem Siliziumkarbid

Abstrakt des Wachstumsöfen für Siliziumkarbidkristalle

Wir bieten eine ganze Palette vonSilikonkarbid (SiC) Kristallwachstumsöfen, einschließlichPVT (physischer Dampftransport),Lely (Induktionsmethode), undTSSG/LPE (Wachstum der Flüssigphase)Technologien.

UnserePVT-ÖfenSie liefern hochwertige SiC-Kristalle mit präziser Temperaturkontrolle, ideal für Halbleiter.Lely-ÖfenBei der Erhöhung der SiC-Kristallgröße mit ausgezeichneter Einheitlichkeit und minimalen Defekten werden elektromagnetische Induktionsheizungen verwendet.TSSG/LPE-ÖfenSpezialisiert auf die Herstellung von ultra-reinen SiC-Kristallen und epitaxialen Schichten für fortschrittliche Energie- und optoelektronische Geräte.

Dank fortschrittlicher Automatisierung, Präzisionssystemen und robusten Konstruktionen erfüllen unsere Öfen verschiedene industrielle und Forschungsbedürfnisse.Hochleistungslösungen für das Wachstum von SiC-Kristallen zur Unterstützung modernster Anwendungen in der Herstellung von Hightech-Materialien.

Eigenschaften des Silikonkarbid-Kristallwachstumsöfen

1. PVT-Methode (physikalischer Dampftransport)

• Grundsätze: Verwendet Widerstandsheizung, um SiC-Quellmaterial zu sublimieren, das dann auf einem Samenkristall kondensiert, um SiC-Kristalle zu bilden.

• Anwendung: Hauptsächlich zur Herstellung von SiC-Einzelkristallen in Halbleiterqualität.

• Vorteile:
  • Kostenwirksame Produktion.
  • Gut geeignet für mittleres Kristallwachstum.

• Wesentliche Merkmale:
  • Es verwendet hochreine Graphitkomponenten wie Tiegel und Saatguthalter.
  • Erweiterte Temperaturkontrolle über Thermoelemente und Infrarot-Sensoren.
  • Vakuum- und Inertgasstromsysteme sorgen für eine kontrollierte Atmosphäre.
  • Automatisierte SPS-Systeme erhöhen die Präzision und Wiederholgenauigkeit.
  • Integrierte Kühl- und Abgasreinigungssysteme erhalten die Prozessstabilität.

2Lely-Methode (Induktionsheizung)

• Grundsätze: Verwendet Hochfrequenz-elektromagnetische Induktion, um den Schmelztiegel zu erhitzen und SiC-Pulver für das Kristallwachstum zu sublimieren.

• Anwendung: Ideal für das Wachstum von SiC-Kristallen großer Größe aufgrund der überlegenen Temperaturgleichheit.

• Vorteile:
  • Hohe thermische Effizienz und gleichmäßige Heizung.
  • Verringert Kristallfehler während des Wachstums.

• Wesentliche Merkmale:
  • Ausgerüstet mit Kupferinduktionsspulen und SiC-beschichteten Schmelztiegeln.
  • Es verfügt über Hochtemperatur-Vakuumkammern für einen stabilen Betrieb.
  • Genaue Kontrolle der Temperatur und des Gasstroms.
  • PLC- und Fernüberwachungssysteme für eine verbesserte Automatisierung.
  • Effiziente Kühl- und Abgassysteme für Sicherheit und Zuverlässigkeit.

3. TSSG/LPE-Methode (Wachstum in flüssiger Phase)

• Grundsätze: Löscht SiC in einem hochtemperaturen geschmolzenen Metall und bildet Kristalle durch kontrollierte Kühlung (TSSG) oder legt SiC-Schichten auf ein Substrat (LPE) ab.

• Anwendung: Produziert hochreine SiC-Kristalle und epitaxiale Schichten für Energie und Optoelektronik.

• Vorteile:
  • Niedrige Defektdichte und hochwertiges Kristallwachstum.
  • Geeignet sowohl für die Ablagerung von Kristallen als auch für die Ablagerung von Dünnschichten.

• Wesentliche Merkmale:
  • Verwendet SiC-kompatible Tiegel (z. B. Graphit oder Tantal).
  • Mit präzisen Heizsystemen für Temperaturen bis zu 2100°C.
  • Hochsteuerbare Rotations-/Positionsmechanismen für ein gleichmäßiges Wachstum.
  • Automatisierte Prozesssteuerung und effiziente Kühlsysteme.
  • Anpassungsfähig für verschiedene Anwendungen, einschließlich Hochleistungselektronik.

Die Fotos von Silicon Carbide Crystal Growth Furnace

Unser Dienst

1. Maßgeschneiderte Lösungen
   Wir bieten maßgeschneiderte Lösungen für Siliziumkarbid (SiC) -Öfen, einschließlich PVT-, Lely- und TSSG/LPE-Technologien, die auf Ihre spezifischen Bedürfnisse zugeschnitten sind.Wir stellen sicher, dass unsere Systeme Ihren Produktionszielen entsprechen..
    

2. Ausbildung der Kunden
   Wir bieten umfassende Schulungen an, um sicherzustellen, dass Ihr Team vollständig versteht, wie unsere Öfen betrieben und gewartet werden.
    

3. Installation vor Ort und Inbetriebnahme
   Unser Team installiert und stellt die SiC-Öfen an Ihrem Standort persönlich in Betrieb. Wir sorgen für eine reibungslose Einrichtung und führen eine gründliche Überprüfung durch, um zu gewährleisten, dass das System voll funktionsfähig ist.
    

4. Unterstützung nach dem Verkauf
   Unser Team ist bereit, bei Reparaturen und Fehlerbehebungen vor Ort zu helfen, um Ausfallzeiten zu minimieren und Ihre Geräte reibungslos zu betreiben.
    

Wir sind bestrebt, hochwertige Öfen und kontinuierliche Unterstützung anzubieten, um Ihren Erfolg beim Wachstum von SiC-Kristallen zu gewährleisten.

Fragen und Antworten

- Was ist das?Was ist die physikalische Dampftransportmethode von PVT?

A:DiePhysischer Dampftransport (PVT)Bei PVT wird eine Methode zum Anbau von hochwertigen Kristallen, insbesondere für Materialien wie Siliziumkarbid (SiC), verwendet.Ein festes Material wird im Vakuum oder unter niedrigem Druck erhitzt, um es zu sublimieren (direkt aus einem festen Material in einen Dampf umzuwandeln), die dann durch das System fließt und sich als Kristall auf einem kühleren Substrat ablagert.

- Was ist das?Wie wächst SiC?

Eine:Physischer Dampftransport (PVT)

PVT beinhaltet das Erhitzen von SiC-Material im Vakuum, um es zu verdampfen und dann zu erlauben, dass sich der Dampf auf einem kühleren Substrat ablagert.

Chemische Dampfdeposition (CVD)

Bei CVD werden gasförmige Vorläufer wie Silan und Propan in eine Kammer eingeführt, in der sie auf einem Substrat zu SiC reagieren.Lely-Methode (Induktionsheizung)

Die Lely-Methode verwendet Induktionsheizung, um große SiC-Kristalle anzubauen.

Lösungswachstum (TSSG/LPE)

Bei dieser Methode wird SiC aus einer geschmolzenen Lösung angebaut, wodurch hochreine Kristalle und epitaxiale Schichten entstehen, die sich ideal für Hochleistungsgeräte eignen.