Silizium / Siliziumkarbid (SiC) WaferVier-Stufen-Verbundpolierautomationslinie (Integrierte Nachpolier-Handhabungslinie)

Überblick

Diese Vier-Stufen-Verbundpolierautomationslinie ist eine integrierte Inline-Lösung, die für Nachpolier- / Nach-CMP-Operationen von Silizium- und Siliziumkarbid (SiC)-Wafern konzipiert ist. Das System basiert auf Keramikträgern (Keramikplatten) und kombiniert mehrere nachgelagerte Aufgaben in einer koordinierten Linie – so können Fabriken die manuelle Handhabung reduzieren, die Taktzeit stabilisieren und die Kontaminationskontrolle verstärken.

In der Halbleiterfertigung wird effektive Nach-CMP-Reinigung weithin als ein wichtiger Schritt zur Reduzierung von Defekten vor dem nächsten Prozess anerkannt, und fortschrittliche Ansätze (einschließlich Megaschallreinigung) werden häufig zur Verbesserung der Partikelentfernungsleistung diskutiert.

Insbesondere für SiC machen seine hohe Härte und chemische Inertheit das Polieren zu einer Herausforderung (oft verbunden mit einer geringen Materialabtragsrate und einem höheren Risiko von Oberflächen-/Unterflächenschäden), was eine stabile Nachpolierautomatisierung und eine kontrollierte Reinigung/Handhabung besonders wertvoll macht.

Was die Linie tut (Kernfunktionen)

Eine einzige integrierte Linie, die Folgendes unterstützt:

• Wafer-Trennung und -Sammlung (nach dem Polieren)

• Pufferung / Lagerung von Keramikträgern

• Reinigung von Keramikträgern

• Wafer-Montage (Kleben) auf Keramikträgern

• Konsolidierter Einlinienbetrieb für 6–8-Zoll-Wafer

Hauptvorteile

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  Integrierte Automatisierung: Trennung → Pufferung → Reinigung → Montage in einer Linie, wodurch Einzelstationen und die Abhängigkeit von Bedienern reduziert werden.

• Saubererer, konsistenterer Nachpolierfluss: Entwickelt, um eine stabile Nach-CMP- / Nachpolier-Reinheit und eine wiederholbare Montagequalität zu unterstützen. (Die Fachliteratur hebt die Bedeutung der Nach-CMP-Reinigung zur Verringerung der Defektrate hervor.)

• Automatisierung unterstützt die Kontaminationskontrolle: Forschung zur Wafer-Handhabung betont Strategien zur Vermeidung von Waferoberflächenkontakt und zur Reduzierung von Partikelkontaminationen während der Transfers; Reinraumroboter-Designs konzentrieren sich ebenfalls auf die Minimierung von Partikelemissionen.

• 6–8-Zoll-Bereitschaft: Hilft Anlagen, heute auf 6 Zoll zu arbeiten, während sie sich auf den 8-Zoll-Einsatz vorbereiten. Die Industrie entwickelt sich aktiv in Richtung 200 mm (8-Zoll) SiC, mit mehreren öffentlichen Roadmaps und Ankündigungen um 2024–2025.

Technische Daten (Aus dem bereitgestellten Datenblatt)

• Geräteabmessungen (L×B×H): 13643 × 5030 × 2300 mm

• Stromversorgung: AC 380 V, 50 Hz

• Gesamtleistung: 119 kW

• Montagereinheit: 0,5 μm < 50 Stk.; 5 μm < 1 Stk.

• Montageebenheit: ≤ 2 μm

Durchsatzreferenz (Aus dem bereitgestellten Datenblatt)

Konfiguriert durch Keramikträgerdurchmesser und Wafergröße:

• 6-Zoll-Wafer: Träger Ø485, 6 Wafer/Träger, ~3 Min./Träger

• 6-Zoll-Wafer: Träger Ø576, 8 Wafer/Träger, ~4 Min./Träger

• 8-Zoll-Wafer: Träger Ø485, 3 Wafer/Träger, ~2 Min./Träger

• 8-Zoll-Wafer: Träger Ø576, 5 Wafer/Träger, ~3 Min./Träger

Typischer Linienfluss 

1. Zuführung / Schnittstelle vom vorgelagerten Polierbereich

2. Wafer-Trennung & Sammlung

3. Pufferung/Lagerung von Keramikträgern (Taktzeitentkopplung)

4. Reinigung von Keramikträgern

5. Wafer-Montage auf Trägern (mit Reinheits- und Ebenheitskontrolle)

6. Ausgabe an nachgelagerten Prozess oder Logistik

Zielanwendungen

• Nachpolier- / Nach-CMP-Downstream-Automatisierung für Si- und SiC-Waferlinien

• Produktionsumgebungen, die stabile Taktzeit, reduzierte manuelle Arbeitsgänge und kontrollierte Sauberkeit priorisieren

• 6-Zoll- bis 8-Zoll-Übergangsprojekte, insbesondere in Übereinstimmung mit 200 mm SiC-Roadmaps

FAQ 

Q1: Welche Probleme löst diese Linie hauptsächlich?
A: Sie rationalisiert die Nachpolieroperationen, indem sie Wafer-Trennung/-Sammlung, Keramikträgerpufferung, Trägerreinigung und Wafer-Montage in einer koordinierten Automatisierungslinie integriert – wodurch manuelle Berührungspunkte reduziert und der Produktionsrhythmus stabilisiert werden.

Q2: Welche Wafermaterialien und -größen werden unterstützt?
A: Silizium und SiC, 6–8 Zoll Wafer (gemäß den bereitgestellten Spezifikationen).

Q3: Warum wird die Nach-CMP-Reinigung in der Industrie betont?
A: Die Fachliteratur hebt hervor, dass die Nachfrage nach effektiver Nach-CMP-Reinigung gewachsen ist, um die Defektdichte vor dem nächsten Schritt zu reduzieren; Megaschall-basierte Ansätze werden häufig zur Verbesserung der Partikelentfernung untersucht.