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Einzelheiten zu den Produkten

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Teile aus Keramik
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CVD/SSiC-Siliziumkarbid-Tray für die Verarbeitung von Halbleiterwafern

CVD/SSiC-Siliziumkarbid-Tray für die Verarbeitung von Halbleiterwafern

Markenbezeichnung: zmsh
MOQ: 2
Preis: by case
Verpackungsdetails: benutzerdefinierte Kartons
Zahlungsbedingungen: T/T
Ausführliche Information
Herkunftsort:
China
Material:
Sic
Reinheit:
99,9%
Betriebstemperatur:
Bis zu 1600 ° C.
Durchmesser:
Benutzerdefinierte Größen verfügbar
Wärmeschockwiderstand:
Exzellent
Dichte:
2,3 - 3,9 g/cm³
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
Von Fall
Hervorheben:

CVD-Siliziumkarbid-Wafer-Tablett

,

SSiC Halbleiterverarbeitungsfach

,

mit einer Breite von mehr als 20 mm

Produkt-Beschreibung

1. Überblick


Diese präzise, radiale Prozessträgerplatte ist ein fortschrittliches industrielles Bauteil, das für Anwendungen entwickelt wurde, die außergewöhnliche mechanische Festigkeit, thermische Stabilität,und Maßgenauigkeit. mit einer Kombination aus mehrzonenförmigen Ringschlitzen und einem verstärkten Netzwerk von Radialstützrippen,Das Tray ist so konzipiert, dass es in komplexen und anspruchsvollen Produktionsumgebungen eine überlegene Leistung bietet.Industriezweige wie die Halbleiterherstellung, die LED-Epitaxie, das fortschrittliche Sintern von Keramik und die Hochtemperatur-Vakuumverarbeitung verlassen sich auf diese Art von Tablett, um Zuverlässigkeit, Konsistenz,und hoher Durchsatz.



CVD/SSiC-Siliziumkarbid-Tray für die Verarbeitung von Halbleiterwafern 0


Die Geometrie des Trays ist so optimiert, daß die mechanischen Belastungen gleichmäßig verteilt werden, die Struktursteifigkeit unter hohen Belastungen erhalten bleibt,und verbessern die thermische Gleichmäßigkeit bei Betriebsvorgängen mit schneller Erwärmung und KühlungIn Kombination mit hochreinen keramischen oder metallischen Materialien und robusten Bearbeitungsprozessen stellt dieses Produkt eine neue Generation von industriellen Vorrichtungen dar, die für eine präzise Fertigung konzipiert sind.




2Strukturelle Merkmale und funktionale Konstruktion


2.1 Mehr-Zonen-ringförmiger Schlitzrahmen


Das Tablett enthält mehrere Schichten gut verteilter ringförmiger Schlitze.

  • Gewichtsverlust:Eine geringere Masse verringert die Trägheit während der Rotation und verbessert die Gesamtbetriebseffizienz.

  • Optimierung des Wärmeflusses:Die Schlitze erhöhen die wirksame Wärmeabflussfläche und ermöglichen eine gleichmäßige Temperaturverteilung über die Oberfläche.

  • Konstruktion zur Linderung von Belastungen:Das segmentierte Muster minimiert die Konzentration der thermischen und mechanischen Belastungen und verringert so das Risiko von Rissen oder Verformungen.

Diese Mehrzonen-Architektur ist besonders nützlich bei Hochtemperatur-Sinter- und Halbleiterprozessen, bei denen thermische Gradienten genau gesteuert werden müssen.


2.2 Verstärktes Radialrippennetz

Die Radialribben bilden einen vernetzten Strukturrahmen, der die mechanische Festigkeit erheblich erhöht.

  • Unterstützung schwerer Lasten ohne Verformung

  • Verbesserung der Drehstabilität bei Montage auf Spindeln

  • Widerstand gegen Biegen oder Ablenkungen während der Heiz- und Kühlzyklen

  • Beibehalten der langfristigen Maßgenauigkeit

Die Kombination von ringförmigen und radialen Strukturen führt zu einem hoch ausgewogenen Design, das seine Integrität in intensiven Industrieumgebungen bewahren kann.


2.3 Hochpräzisionsbearbeitete Flächen

Die Oberfläche des Trays wird mit Hilfe fortschrittlicher CNC-Bearbeitung und Oberflächenkonditionierung hergestellt.

  • Hohe Flachheit

  • Genaue Dickeuniformität

  • Schlanke Ladekontaktpunkte

  • Verringerte Reibung von Unterlagen oder Befestigungen

  • Konsistente Kompatibilität mit automatisierten Geräten

Eine solche Präzisionsbearbeitung ist für Halbleiter- und optische Anwendungen von entscheidender Bedeutung, da selbst geringfügige Abweichungen zu Defekten oder Ertragsverlusten führen können.


2.4 Zentralisierte Montageoberfläche

Im Mittelpunkt des Trays befindet sich eine spezielle Montageoberfläche, die aus mehreren präzise gebohrten Löchern besteht.

  • Sichere Montage auf rotierenden Wellen

  • Ausrichtung mit Ofen- oder Vakuumkammerbefestigungen

  • Stabile Positionierung für automatisierte Handlingsysteme

  • Integration mit kundenspezifischen Engineering-Tools

Dadurch wird sichergestellt, dass das Tablett leicht in verschiedene industrielle Arbeitsabläufe und Ausrüstungsmodelle integriert wird.


2.5 Strukturverstärkung am äußeren Ring

Der Außenring umfasst segmentierte Verstärkungspads, die die Kante stärken und das Rotationsgleichgewicht aufrechterhalten.

  • Schwingungswiderstand

  • Peripherische Belastungsstabilität

  • Haltbarkeit bei wiederholten mechanischen Schlägen

Zusammen mit dem inneren Rippensystem bildet der äußere Ring einen starren und stabilen Träger, der für eine lange Lebensdauer geeignet ist.





3Materialoptionen für verschiedene Anwendungen

Das Tablett kann je nach Anwendungsbedarf aus mehreren hochleistungsfähigen Materialien hergestellt werden:


3.1 Sintertes Siliziumcarbid (SSiC)

  • Ultra-niedrige Porosität

  • Hohe Wärmeleitfähigkeit

  • Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit

  • Ideal für ultra-saubere Halbleiter und Vakuumumgebungen


3.2 Reaktionsgebundenes Siliziumcarbid (RBSiC)

  • Ausgezeichnete Wärmeschlagfestigkeit

  • Gute mechanische Festigkeit

  • Kostenwirksam für die Massenproduktion

  • mit einer Breite von mehr als 50 mm,


3.3 Aluminiumkeramische

  • Stabil bis zu 1600°C

  • Erschwinglich und vielseitig

  • mit einem Durchmesser von nicht mehr als 0,01 mm


3.4 Hochfestmetalle (Aluminium / Edelstahl)

  • Gute Bearbeitungsfähigkeit

  • geeignet für mechanische Anlagen, Automatisierung und Handhabung

  • Ideal für nicht-thermische oder mitteltemperaturförmige Verfahren

Jedes Material wird so ausgewählt, dass es unter spezifischen Umweltbedingungen maximale Leistungsfähigkeit bietet.




4Schlüsselindustrieanwendungen


4.1 Herstellung von Halbleitern

  • Trägerbehälter für CVD- und PECVD-Systeme

  • Unterstützungsplattform für Oxidations- und Diffusionsverfahren

  • Halter für Brennen und schnelle thermische Verarbeitung (RTP)

  • Waferbearbeitung und automatisierte Übertragungswerkzeuge


4.2 LED- und optoelektronische Produktion

  • Ladefläche für Saphir- und SiC-Wafer

  • Träger für die Hochtemperaturverarbeitung von Substraten

  • Epitaxialstützplattform mit stabilen thermischen Profilen


4.3 Fortgeschrittene Materialverarbeitung

  • Pulvermetallurgie und Sintern

  • Verbrennung von Keramikunterlagen

  • mit einer Breite von nicht mehr als 30 mm


4.4 Automations- und Präzisionsmaschinen

  • Drehscheibe

  • Ausrichtungsplatte

  • Schnittstelle zur Montage der Ausrüstung

  • Automatisches Handling-Fahrzeug nach Maß

Seine Vielseitigkeit macht ihn sowohl für thermische als auch für Maschinenbau geeignet.



5Hauptvorteile

5.1 Wärmeeffizienz

  • Eine gleichmäßige Wärmeverteilung minimiert Hitzepunkte

  • geeignet für den schnellen Wärmezyklus

  • Ideal für präzise Hochtemperaturoperationen

5.2 Strukturelle Haltbarkeit

  • Ausgezeichnete Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Belastungen

  • Verformungsbeständigkeit bei Last- und Temperaturänderungen

  • Eine lange Betriebsdauer verkürzt die Wartungszyklen

5.3 Prozessstabilität

  • Niedriges Kontaminationsrisiko bei Verwendung von SiC oder Keramik

  • Eine gleichbleibende Maßgenauigkeit sorgt für einen hohen Produktertrag

  • mit einer Leistung von mehr als 50 W und einer Leistung von mehr als 50 W

5.4 Anpassbarkeit

  • Abmessungen, Dicke und Schlitzgeometrie können angepasst werden

  • Verschiedene Materialien verfügbar

  • Zentrale Montageoberfläche kann angepasst werden

  • Angebotene Oberflächenveredelungs- und Markierungsmöglichkeiten


Häufig gestellte Fragen


1Was ist ein SiC-Keramikfach?

Ein SiC-Keramikfach ist ein Präzisionsträger aus hochreinem Siliziumkarbid, der zum Tragen, Laden und Transportieren von Wafern oder Substraten während Halbleiter-, LED-,und VakuumverarbeitungEs bietet außergewöhnliche thermische Stabilität, mechanische Festigkeit und Verformungsbeständigkeit in rauen Umgebungen wie hohen Temperaturen, Plasma und chemischen Prozessen.




2Welche Vorteile hat die Verwendung von SiC-Treys im Vergleich zu Quarz-, Graphit- oder Aluminium-Treys?

SiC-Treys bieten mehrere überlegene Leistungsvorteile:

  • Hochtemperaturbeständigkeitbis zu 1600°C ohne Verformung

  • Ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, die einheitliche Wärmeverteilung gewährleistet

  • Ausgezeichnete mechanische Festigkeit und Steifigkeit

  • Niedrige thermische Ausdehnung, die Verhinderung der Verkrümmung während des thermischen Zyklus

  • Hohe Korrosionsbeständigkeitzu Plasmagasen und Chemikalien

  • Längere Lebensdauerunter kontinuierlichen Produktionsbedingungen mit hoher Belastung




3. Für welche Anwendungen werden SiC-Keramik-Träger hauptsächlich verwendet?

SiC-Trays werden weit verbreitet in:

  • Bearbeitung von Halbleiterwafern

  • LPCVD, PECVD, MOCVD thermische Verarbeitung

  • Aufheizung, Diffusion, Oxidation und Epitaxie

  • Beförderung von Saphirwafer/optischem Substrat

  • Hochvakuum- und Hochtemperaturumgebungen

  • Präzisions-CMP- oder Polierplatformen

  • Photonik und fortschrittliche Verpackungsausrüstung




4Können SiC-Träger Wärmeschocks aushalten?

Die SiC-Keramik bietet eine hervorragende Wärmeschlagbeständigkeit aufgrund ihrer geringen CTE und hohen Bruchfestigkeit.so dass es für Hochtemperatur-Zyklusprozesse ideal ist.


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Über uns


ZMSH ist auf die Entwicklung, Produktion und den Verkauf von Spezialglas und neuen Kristallmaterialien spezialisiert.Wir bieten Sapphire optische Komponenten an.Wir sind ein führendes Unternehmen in der Verarbeitung von Produkten, die in der Verarbeitung nicht standardisierter Produkte ausgezeichnet sind.,Ziel ist es, ein führendes Hightech-Unternehmen für optoelektronische Materialien zu sein.


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