logo
Guter Preis  Online

Einzelheiten zu den Produkten

Created with Pixso. Haus Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
Halbleiter-Substrat
Created with Pixso.

Einzigkristall. Hochwertiges Bornitrid für 2D-Materialien.

Einzigkristall. Hochwertiges Bornitrid für 2D-Materialien.

Markenbezeichnung: ZMSH
MOQ: 2
Preis: 20USD
Verpackungsdetails: individuelle Kartons
Zahlungsbedingungen: T/T
Ausführliche Information
Herkunftsort:
China
Artikelspezifikation Produktname hBN-Einkristallmaterial in Gerätequalität, sechseckiges Bornitrid, :
hBN-Einkristall in Gerätequalität
Material:
Sechseckiger Bornitrid-Einkristall
Kristallqualität:
Geräteklasse
Wachstumsprozess:
Eigentümer
Typische seitliche Größe:
≥ 1 mm
Dielektrisches Durchschlagsfeld:
1,64 ± 0,06 V/nm
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
Von Fall zu Fall
Hervorheben:

hBN Einzelkristall Halbleiter-Substrat

,

hexagonale Bornitrid 2D-Materialien

,

hBN Halbleiter-Substrat von hoher Qualität

Produkt-Beschreibung

Produktübersicht

UnserhBN-Einkristall in Gerätequalitätist ein hochwertiger Einkristall aus hexagonalem Bornitrid, der für die fortschrittliche 2D-Materialforschung und Geräteherstellung entwickelt wurde. Dieser durch ein proprietäres Atmosphärendruckverfahren gezüchtete hBN-Kristall zeichnet sich durch hohe Kristallqualität, sauberes Spaltungsverhalten, großflächige Einzeldomänenbereiche und hervorragende optische Transparenz aus.

 

Es eignet sich besonders alsSubstrat oder Verkapselungsschichtfür 2D-Heterostrukturen, graphenbasierte Geräte, nanophotonische Strukturen und optoelektronische Anwendungen im tiefen Ultraviolett. Die Validierung auf Geräteebene durch Dritte zeigt, dass dieses hBN-Material eine Leistung liefern kann, die mit aktuellen akademischen Goldstandard-Kristallen in Graphen-Heterostrukturanwendungen vergleichbar oder sogar besser ist.

 

Einzigkristall. Hochwertiges Bornitrid für 2D-Materialien. 0

 


Hauptmerkmale

  • hBN-Einkristall in Gerätequalität
  • Proprietärer Wachstumsprozess bei atmosphärischem Druck
  • Typische laterale Kristallgröße ≥ 1 mm
  • Hohes dielektrisches Durchschlagsfeld: 1,64 ± 0,06 V/nm
  • Graphenmobilität bei Raumtemperatur auf hBN: ~80.000 cm²/V·s
  • hBN Raman E₂g FWHM: 7,88 cm⁻¹
  • UV-Bandkantenemission um 215 nm
  • Geeignet für 2D-Heterostrukturen, Graphen-Geräte, Nanophotonik und Optoelektronik im tiefen UV

 

Einzigkristall. Hochwertiges Bornitrid für 2D-Materialien. 1


Anwendungen

2D-Heterostrukturen

hBN in Gerätequalität wird häufig als hochwertiges Substrat und Einkapselungsschicht für Graphen, Übergangsmetalldichalkogenide und andere 2D-Materialien verwendet. Seine atomar flache Oberfläche und die saubere Schnittstelle tragen dazu bei, die Stabilität des Geräts zu verbessern und Streueffekte zu reduzieren.

Graphen-Geräte

Bei Verwendung mit Graphen kann hBN ein Transportverhalten mit hoher Mobilität unterstützen. Die typische Graphen-Mobilität bei Raumtemperatur auf diesem hBN erreicht ungefähr80.000 cm²/V·sDadurch eignet es sich für fortgeschrittene elektronische und Quantentransportstudien.

Nanophotonik

hBN ist eine wichtige Materialplattform für die Phonon-Polariton-Forschung und nanoskalige photonische Geräte. Aufgrund seiner hohen Kristallqualität und optischen Eigenschaften eignet es sich für Infrarot-Nanophotonik und damit verbundene optische Experimente.

Optoelektronik im tiefen UV

Mit umlaufender UV-Bandkantenemission215 nm, hBN-Einkristall kann in der optoelektronischen Forschung im tiefen Ultraviolett, bei Materialstudien mit großer Bandlücke und in fortgeschrittenen photonischen Anwendungen verwendet werden.

 

 


Technische Spezifikationen

Artikel Spezifikation
Produktname hBN-Einkristall in Gerätequalität
Material Sechseckiger Bornitrid-Einkristall
Kristallqualität Gerätequalität
Wachstumsprozess Proprietäres Wachstum des Atmosphärendrucks
Bilden Bulk-Einkristall mit Wachstumsfacetten
Typische seitliche Größe ≥ 1 mm
Verpackung Chipträger, 5–10 Kristalle / Packung
Dielektrisches Durchschlagsfeld 1,64 ± 0,06 V/nm
Graphenmobilität auf hBN ~80.000 cm²/V·s bei Raumtemperatur
hBN Raman E₂g FWHM 7,88 cm⁻¹
UV-Bandkantenemission ~215 nm

 

 

 

Einzigkristall. Hochwertiges Bornitrid für 2D-Materialien. 2

 

 


Produktvorteile

Im Vergleich zu gewöhnlichen kommerziellen hBN-Kristallen wurde dieses hBN in Gerätequalität für Anwendungen entwickelt, bei denen Kristallqualität, Grenzflächenreinheit und Geräteleistung von entscheidender Bedeutung sind. Das Material wurde durch Tests von Graphen-Heterostrukturgeräten von Drittanbietern einem Benchmarking unterzogen und weist eine Leistung auf oder über dem Niveau führender akademischer Referenzkristalle auf.

 

Die im Datenblatt angegebenen Kristallabmessungen geben oben repräsentative laterale Größen an1 mm, wobei einige gemessene Kristallkanten darüber hinausgehen1,4 mm. Lichtmikroskopische Bilder zeigen außerdem klare Wachstumsfacetten, scharfe Spaltkanten, transparente Kristallregionen und große nutzbare Einzeldomänenbereiche.

Einzigkristall. Hochwertiges Bornitrid für 2D-Materialien. 3


Empfohlene Kurzbeschreibung

hBN-Einkristall in Gerätequalitätist ein hochwertiges hexagonales Bornitridmaterial, das für 2D-Heterostrukturen, Graphengeräte, Nanophotonik und Optoelektronik im tiefen UV entwickelt wurde. Es wird durch ein proprietäres Atmosphärendruckverfahren gezüchtet und bietet typische laterale Kristallgrößen von ≥1 mm, eine hohe dielektrische Durchschlagsfestigkeit, eine hervorragende Raman-Leistung und eine starke Validierung auf Geräteebene.

 

 


FAQ

F1: Wofür wird dieser hBN-Einkristall hauptsächlich verwendet?
Es wird hauptsächlich als Substrat oder Verkapselungsschicht für 2D-Heterostrukturen, Graphengeräte, Nanophotonik und optoelektronische Forschung im tiefen UV verwendet.

 

F2: Was ist die typische Kristallgröße?
Die Standardspezifikation für Gerätequalität lautet≥ 1 mmseitliche Größe. Repräsentative Beispiele im Datenblatt weisen gemessene Abmessungen über 1 mm auf, wobei einige Kanten über 1,4 mm reichen.

 

F3: Ist dieses Material für Graphen-Geräte geeignet?
Ja. Das Datenblatt gibt eine typische Graphen-Mobilität bei Raumtemperatur auf hBN von ungefähr an80.000 cm²/V·sDadurch eignet es sich für die Forschung an hochmobilen Graphengeräten.

 

F4: Was ist das Verpackungsformat?
Das Produkt wird typischerweise in einem Chipträger geliefert5–10 Kristalle pro Packung.

 


Verwandtes Produkt

 

Einzigkristall. Hochwertiges Bornitrid für 2D-Materialien. 4

Kubischer 3C-SiC-Siliziumkarbidwafer für MEMS, Photonik und Leistungsgeräte

 


Über uns

 

ZMSH ist auf die High-Tech-Entwicklung, Produktion und den Vertrieb spezieller optischer Gläser und neuer Kristallmaterialien spezialisiert. Unsere Produkte dienen der optischen Elektronik und der Unterhaltungselektronik. Wir bieten optische Komponenten aus Saphir, Linsenabdeckungen für Mobiltelefone, Keramik, LT, Siliziumkarbid SIC, Quarz und Halbleiterkristallwafer. Mit qualifiziertem Fachwissen und modernster Ausrüstung zeichnen wir uns durch die Verarbeitung nicht standardmäßiger Produkte aus und streben danach, ein führendes High-Tech-Unternehmen für optoelektronische Materialien zu sein.

 

Semiconductor Laser Lift-Off Equipment for Non-Destructive Ingot Thinning 6

 


 

Verpackungs- und Versandinformationen

 

Verpackungsmethode:

  • Alle Artikel sind sicher verpackt, um einen sicheren Transport zu gewährleisten.
  • Die Verpackung besteht aus antistatischen, stoßfesten und staubdichten Materialien.
  • Für empfindliche Komponenten wie Wafer oder optische Teile setzen wir auf eine Verpackung auf Reinraumniveau:
  1. Staubschutz der Klasse 100 oder 1000, je nach Produktempfindlichkeit.
  2. Für besondere Anforderungen stehen maßgeschneiderte Verpackungsmöglichkeiten zur Verfügung.

 

Versandkanäle und voraussichtliche Lieferzeit:

  • Wir arbeiten mit vertrauenswürdigen internationalen Logistikanbietern zusammen, darunter:

UPS, FedEx, DHL

  • Die Standardvorlaufzeit beträgt je nach Zielort 3–7 Werktage.
  • Informationen zur Sendungsverfolgung werden bereitgestellt, sobald die Bestellung versandt wurde.
  • Expressversand und Versicherungsoptionen sind auf Anfrage verfügbar.