• 4" Silikon auf Grad 4H der Saphir-Oblaten-Produktions-höchsten Vollkommenheit N-lackierte sic Oblaten
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4" Silikon auf Grad 4H der Saphir-Oblaten-Produktions-höchsten Vollkommenheit N-lackierte sic Oblaten

4" Silikon auf Grad 4H der Saphir-Oblaten-Produktions-höchsten Vollkommenheit N-lackierte sic Oblaten

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: ZMKJ
Modellnummer: P-Grad 4inch

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1pcs
Preis: 600-1500usd/pcs by FOB
Verpackung Informationen: einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden
Lieferzeit: 1-6weeks
Zahlungsbedingungen: T / T, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1-50pcs/month
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Material: Art des sic einzelnen Kristalles 4H-N Grad: Attrappe/Forschungs/Production-Grad
Thicnkss: 350um oder 500um Suraface: CMP/MP
Anwendung: Geräthersteller-Poliertest Durchmesser: 100±0.3mm
Markieren:

Silikonkarbidsubstrat

,

sic Oblate

Produkt-Beschreibung

Des Silikonkarbids Durchmessers 150mm des Grades 6inch der Prüfung 4H-N Substratoblaten des einzelnen Kristalles (sic), sic Kristallder barren Halbleitersubstrate sic, wie-geschnittene sic Oblaten Silikon-Karbid-Kristallscheibe Customzied

Über Silikon-Karbid-(sic) Kristall  

Silikonkarbid (sic), alias Karborundum, ist ein Halbleiter, der sic Silikon und Kohlenstoff mit chemischer Formel enthält. Sic wird in den Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohe Spannungen funktionieren, oder both.SiC ist auch eine der wichtigen LED-Komponenten, ist es ein populäres Substrat für das Wachsen von GaN-Geräten, und es dient auch als Hitzespreizer in starker LED

 

Karbid-sic Wafer des Silikon-4 Zoll n-lackierter 4H

4 Zoll Durchmesser Silikon-Karbid-(sic) Substrat-Spezifikation

 Grad

Nullmpd-Produktions-Grad  

(Z-Grad)

Produktions-Grad

(P-Grad)

Blinder Grad (d-Grad)

Durchmesser

99.5-100 Millimeter

 Stärke

4H-N

350 μm±25μm

4H-SI

500 μm±25μm

 Oblaten-Orientierung

Weg von der Achse: 4.0°toward<> 1120 > ±0.5° für 4H-N auf Achse: <0001>±0.5° für 4H-SI

 Micropipe-Dichte

4H-N

0.5cm-2

2cm2

15cm2

4H-SI

1cm-2

5cm2

15cm2

 Widerstandskraft

4H-N

0.015~0.025 Ω·cm

0.015~0.028 Ω·cm

4H-SI

1E7Ω·cm

1E5Ω·cm

 Primärebene

{10-10} ±5.0°

 Flache hauptsächlichlänge

32,5 mm±2.0 Millimeter

 Flache zweitenslänge

18.0mm±2.0 Millimeter

 Flache zweitensorientierung

Silikon nach oben: 90° CW. von flachem Haupt±5.0°

 Randausschluß

2 Millimeter

 LTV/TTV/Bow /Warp

4μm/≤10μm/≤25μm/≤35μm

10μm/≤15μm/≤25μm/≤40μm

 Rauheit

Polnisches Ra 1Nanometer

Cmp-Ra 0,5Nanometer

Sprünge durch Licht der hohen Intensität

Kein

Kumulatives Länge 10mm, einzelnes length≤2mm

 Hexen-Platten durch Licht der hohen Intensität

Kumulatives Bereich 0,05%

Kumulatives Bereich 0,1%

Polytype-Bereiche durch Licht der hohen Intensität

Kein

Kumulatives Bereich 3%

Sichtkohlenstoff-Einbeziehungen

Kumulatives Bereich 0,05%

Kumulatives Bereich 3%

Kratzer durch Licht der hohen Intensität

Kein

Kumulativer Länge 1×wafer Durchmesser

 Randchip

Kein

5 erlaubt, je1Millimeter

Verschmutzung durch Licht der hohen Intensität

Kein

 Verpacken

Multi-Oblate Kassette oder einzelner Oblaten-Behälter

Anmerkungen:
* Defektgrenzen treffen auf gesamte Oblatenoberfläche außer dem Randsperrgebiet zu. # sollten die Kratzer auf nur Sigesicht überprüft werden.

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Über sic Substrat-Anwendungen
 
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KATALOG-COMMON-GRÖSSE                             

 

Art 4H-N/Oblate/Barren des hohen Reinheitsgrades sic
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
3 N-artiger sic Wafer des Zoll 4H
4 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H
6 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 4H

 

sic Halb-isolierendes 4H/Oblate des hohen Reinheitsgrades

2 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
3 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
4 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
6 Zoll 4H Wafer sic Halb-isolierend
 
 
N-artige sic Oblate 6H
2 N-artiger sic Wafer/Barren des Zoll 6H

 
 Customzied-Größe für 2-6inch 
 

 

Verkäufe u. Kundendienst               

Material-Kauf

Die Einkaufsabteilung der Materialien ist verantwortlich, alle Rohstoffe zu erfassen, die benötigt werden, um Ihr Produkt zu produzieren. Komplette Nachweisbarkeit aller Produkte und Materialien, einschließlich chemische und körperliche Analyse sind immer verfügbar.

Qualität

Während und nach der Fertigung oder der maschinellen Bearbeitung Ihrer Produkte, wird Qualitätskontrollabteilung miteinbezogen, wenn man sich vergewissert, dass alle Materialien und Toleranzen Ihre Spezifikation treffen oder übersteigen.

 

Service

Wir pride, wenn wir Absatzvorbereitungspersonal mit in 5 Jahren Erfahrungen in der Halbleiterindustrie haben. Sie werden ausgebildet, um Fachfragen zu beantworten sowie fristgerechte Zitate für Ihren Bedarf zur Verfügung zu stellen.

wir sind an Ihrer Seite bis jederzeit, wenn Sie Problem haben, und lösen es in 10hours.

4" Silikon auf Grad 4H der Saphir-Oblaten-Produktions-höchsten Vollkommenheit N-lackierte sic Oblaten 5

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