Silikon-Karbidkristallsamenoblate oder -barren 6Inch Dia153mm 0.5mm monokristalline sic

Anwendung sic herein der Starkstromgerätindustrie

Verglichen mit Silikongeräten, können Starkstromgeräte des Silikonkarbids (sic) hohe Leistungsfähigkeit, Miniaturisierung und Leichtgewichtler von elektronischen Systemen der Energie effektiv erzielen. Der Energieverlust von sic Starkstromgeräten ist nur 50% von Sigeräten, und die Hitzegeneration ist nur 50% von Silikongeräten, hat sic auch eine höhere spezifische Stromdichte. Auf dem gleichen Leistungspegel ist das Volumen von sic Energiemodulen erheblich kleiner als das von Silikonenergiemodulen. Dem intelligenten Energiemodul IPM, unter Verwendung sic der Starkstromgeräte, das Modulvolumen als Beispiel nehmen kann bis 1/3 bis 2/3 von Silikonenergiemodulen verringert werden.

Es gibt drei Arten sic Leistungsdioden: Schottky-Dioden (SBD), PIN-Dioden und Kreuzungssperre steuerten Schottky-Dioden (JBS). Wegen der Schottky-Sperre hat SBD eine niedrigere Kreuzungssperrenhöhe, also hat SBD den Vorteil der niedrigen Vorwärtsspannung. Das Auftauchen von sic SBD hat den Einsatzbereich von SBD von 250V zu 1200V vergrößert. Darüber hinaus sind seine Eigenschaften an der hohen Temperatur, der Rückdurchsickernstrom nicht sich erhöht von Raumtemperatur zu 175 ° C. gut. Im Einsatzbereich von Gleichrichtern über 3kV, sic haben PiN und sic JBS-Dioden viel Aufmerksamkeit wegen ihrer höheren Durchbruchsspannung, schnelleren Schaltverzögerungs-, kleineren und hellerengewichts als Silikongleichrichter erhalten.

Sic haben Energie MOSFET-Geräte idealen Torwiderstand, zugeschaltete Hochgeschwindigkeitsleistung, niedrigen Aufwiderstand und hohe Stabilität. Es ist das bevorzugte Gerät auf dem Gebiet von Starkstromgeräten unter 300V. Es gibt Berichte, die ein Silikonkarbid MOSFET mit einer Blockierspannung von 10kV erfolgreich entwickelt worden ist. Forscher glauben, dass sic MOSFETs eine günstige Position auf dem Gebiet von 3kV - 5kV einnehmen.

Sic Isolierschichtbipolar transistor (sic BJT, sic IGBT) und sic Thyristor (sic Thyristor), sic P-artige IGBT-Geräte mit einer Blockierspannung von 12 KV haben gute vordere gegenwärtige Fähigkeit. Verglichen mit Sibipolar transistor, sic haben bipolar Transistor 20-50mal, die niedriger Verluste und niedrigeren Schwellenspannungstropfen schalten. Sic wird BJT hauptsächlich in Epitaxial- Emitter BJT unterteilt und Ionenimplantationsemitter BJT, die typische Stromverstärkung ist zwischen 10-50.

Anwendung von sic herein LED-Industrie

Zur Zeit ist der Saphirkristall die erste Wahl für das Substratmaterial, das in der optoelektronischen Gerätindustrie benutzt wird, aber Saphir hat einige Mängel, die nicht, wie Gitterfehlanpassung, Wärmebelastungsfehlanpassung, hohe Widerstandskraft als Isolator überwunden werden können und schlechte Wärmeleitfähigkeit. Deshalb haben die ausgezeichneten Eigenschaften von sic Substraten viel Aufmerksamkeit erregt und sind als Substratmaterialien für e-ansässig Leuchtdioden des Galliumnitrids (GaN) (LED) und Laserdioden (LDs) passender. Daten vom Cree zeigen, dass der Gebrauch des Silikonkarbids das Gerät des Substrates LED ein 70% helles Wartungszeitraumleben von bis 50.000 Stunden erzielen kann. Die Vorteile von sic als LED-Substrat:

* die Gitterkonstante der sic und GaN Epitaxial- Schicht werden zusammengebracht, und die chemischen Eigenschaften sind kompatibel;

* hat sic ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit (mehr als 10mal höher als Saphir) und nah an dem Koeffizienten der thermischen Expansion von Epitaxial- Schicht GaN;

* ist sic ein leitfähiger Halbleiter, der benutzt werden kann, um vertikale Strukturgeräte herzustellen. Zwei Elektroden werden auf die Oberfläche verteilt und Unterseite des Gerätes, kann es die verschiedenen Mängel lösen, die durch die horizontale Struktur des Saphirsubstrates verursacht werden;

* sic erfordert keine gegenwärtige Diffusionsschicht, Licht wird nicht absorbiert durch das Material der gegenwärtigen Diffusionsschicht, die den hellen Abscheidegrad verbessert.