Monokristallines sic Silikon-Karbid-Oblaten-Substrat-blinder Grad Dia153mm 156mm 159mm

1. Beschreibung

Anwendung sic herein der Starkstromgerätindustrie

Verglichen mit Silikongeräten, können Starkstromgeräte des Silikonkarbids (sic) hohe Leistungsfähigkeit, Miniaturisierung und Leichtgewichtler von elektronischen Systemen der Energie effektiv erzielen. Der Energieverlust von sic Starkstromgeräten ist nur 50% von Sigeräten, und die Hitzegeneration ist nur 50% von Silikongeräten, hat sic auch eine höhere spezifische Stromdichte. Auf dem gleichen Leistungspegel ist das Volumen von sic Energiemodulen erheblich kleiner als das von Silikonenergiemodulen. Dem intelligenten Energiemodul IPM, unter Verwendung sic der Starkstromgeräte, das Modulvolumen als Beispiel nehmen kann bis 1/3 bis 2/3 von Silikonenergiemodulen verringert werden.

Es gibt drei Arten sic Leistungsdioden: Schottky-Dioden (SBD), PIN-Dioden und Kreuzungssperre steuerten Schottky-Dioden (JBS). Wegen der Schottky-Sperre hat SBD eine niedrigere Kreuzungssperrenhöhe, also hat SBD den Vorteil der niedrigen Vorwärtsspannung. Das Auftauchen von sic SBD hat den Einsatzbereich von SBD von 250V zu 1200V vergrößert. Darüber hinaus sind seine Eigenschaften an der hohen Temperatur, der Rückdurchsickernstrom nicht sich erhöht von Raumtemperatur zu 175 ° C. gut. Im Einsatzbereich von Gleichrichtern über 3kV, sic haben PiN und sic JBS-Dioden viel Aufmerksamkeit wegen ihrer höheren Durchbruchsspannung, schnelleren Schaltverzögerungs-, kleineren und hellerengewichts als Silikongleichrichter erhalten.

Sic haben Energie MOSFET-Geräte idealen Torwiderstand, zugeschaltete Hochgeschwindigkeitsleistung, niedrigen Aufwiderstand und hohe Stabilität. Es ist das bevorzugte Gerät auf dem Gebiet von Starkstromgeräten unter 300V. Es gibt Berichte, die ein Silikonkarbid MOSFET mit einer Blockierspannung von 10kV erfolgreich entwickelt worden ist. Forscher glauben, dass sic MOSFETs eine günstige Position auf dem Gebiet von 3kV - 5kV einnehmen.

Sic Isolierschichtbipolar transistor (sic BJT, sic IGBT) und sic Thyristor (sic Thyristor), sic P-artige IGBT-Geräte mit einer Blockierspannung von 12 KV haben gute vordere gegenwärtige Fähigkeit. Verglichen mit Sibipolar transistor, sic haben bipolar Transistor 20-50mal, die niedriger Verluste und niedrigeren Schwellenspannungstropfen schalten. Sic wird BJT hauptsächlich in Epitaxial- Emitter BJT unterteilt und Ionenimplantationsemitter BJT, die typische Stromverstärkung ist zwischen 10-50.