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Gallium-Oxid-Oblaten-Substrat Dsp Ssp 1inch 2inch Beta Coefficient Ga 2O3
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Porzellan |
| Markenname: | ZMKJ |
| Modellnummer: | Beta Coefficient-Ga 2O3 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 5pcs |
|---|---|
| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenbehälter im Reinigungsraum |
| Lieferzeit: | in 30days |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, Paypal |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 50pcs/month |
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Detailinformationen |
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| layer: | GaN template | layer thickness: | 1-5um |
|---|---|---|---|
| Melt point (°C): | 1725°C | Conductivity: | Semi-insulating, Fe-doped，Mg-doped |
| Electrical Resistivity: | >1E6 Ohm-cm | Density: | 5.95 g/cm3 |
| Markieren: | Oxid-Oblate des Gallium-2inch,Oblaten-Substrat Beta Coefficient Gas 2O3,Gallium-Oxid-Halbleiter-Substrat |
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Produkt-Beschreibung
Gallium-Oxid-Oblate Gallium-Oxid Epiwafers Beta Coefficient-Ga 2O3 lackierte Quadrat-Substrat Dsp Ssp Magnesiums Fe3+
Galliumoxid (Ga2O3) hat eine große Bandlückeenergie und sie kann von einer Schmelzquelle gewachsen werden. Infolgedessen können große, hochwertige Einzelkristallsubstrate zu niedrigem Preis hergestellt werden. Diese Eigenschaften machen Ga2O3 ein viel versprechendes Material für zukünftige Leistungselektronik. Sie hat auch den hohen Vorteil der Verringerung des Reihenwiderstands der blauen LED oder des UVB LED.
β-Ga2O3 ist ein Galliumoxidmittel, das ein Halbleiter mit großer Bandlücke-Material ist. Seine Kristallstruktur gehört dem sechseckigen Kristallsystem, mit hoher Elektronenbeweglichkeit und großer Bandbreite, also hat sie eine breite Anwendungsaussicht. Sind hier einige Details über β-Ga2O3:
Physikalische Eigenschaften:
Kristallstruktur: sechseckiges Kristallsystem
Dichte: 5,88 g-/cm³
Vergittern Sie konstantes: ein = 0,121 Nanometer, c = 0,499 Nanometer
Schmelzpunkt: °C 1725
Brechungskoeffizient: 1.9-2.5
Transparenter Wellenlängenbereich: 0.23-6.0μm
Elektrische Eigenschaften:
Bandbreite: 4.8eV
Elektronenbeweglichkeit: 200-600 cm-² /Vs
Leckrate: ² 10^ -5-10 ^-10 A/cm
Redoxpotenzial: 2.5V gegen NHE
Wegen seiner großen Bandlücke und hohen Elektronenbeweglichkeit hat β-Ga2O3 eine breite Anwendungsaussicht auf Leistungselektronik, photoelectronics, Solarzellen und anderen Gebieten. Spezifische Anwendungen umfassen:
Ultraviolette Detektoren und Laser
MOSFETs- und Schottky-Dioden der hohen Leistung
Temperaturfühler und möglicher Sensor
Solarzellen und LED-Materialien
β-Ga2O3 stellt noch einige Herausforderungen in der Vorbereitung und in der Anwendung, wie Kristallwachstum, Verunreinigungssteuerung, Gerätherstellung, etc. gegenüber. Jedoch mit der ständigen Weiterentwicklung der Technologie, ist die Anwendungsaussicht von β-Ga2O3 noch sehr breit.
| Galliumoxid, einzelner Kristall Ga2O3 | Substrate 2inch | 10*15mm Substrate | |||||
| Orientierung | (- 201) | (- 201) | (- 201) | (010) | (010) | (010) | |
| Dopant | Sn | UNO-lackiert | Sn | Sn | UNO-lackiert | F.E. | |
| Leitfähigkeit | n-artig | n-artig | n-artig | n-artig | n-artig | Isolierung (>1010 | |
| Nd-Na (cm-3) | 5E17~9E18 | 5E17 oder weniger | 5E17~9E18 | 1E18~9E18 | 1E17~5E17 | - | |
| Maße | A-B (Millimeter) | 50.8±0.3 | 50.8±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 |
| CD (Millimeter) | 41~49.8 | 41~49.8 | 10±0.3 | 10±0.3 | 10±0.3 | 10±0.3 | |
| Stärke | 0.68±0.02 | 0.68±0.02 | 0.68±0.02 | 0.5±0.02 | 0.5±0.02 | 0.5±0.02 | |
| Hinweis (m | Fig.1 | Fig.1 | Fig.2 | Fig.3 | Fig.3 | Fig.3 | |
| Ausgleichwinkel (Grad) |
[010]: 0±0.4 | [010]: 0±0.4 | [010]: 0±0.4 | 丄 [102]: 0±1 | 丄 [102]: 0±1 | 丄 [102]: 0±1 | |
| [102]: 0.7±0.4 | [102]: 0.7±0.4 | [102]: 0.7±0.4 | [102]: 0±1 | [102]: 0±1 | [102]: 0±1 | ||
| FWHM (Arcsec) | [010]: 150 oder weniger | [010]: 150 oder weniger | [010]: 150 oder weniger | 丄 [102]: 150 oder | 丄 [102]: 150 oder | 丄 [102]: 150 oder | |
| [102]: 150 oder weniger | [102]: 150 oder weniger | [102]: 150 oder weniger | [102]: 150 oder weniger | [102]: 150 oder weniger | [102]: 150 oder weniger | ||
| Oberfläche | Front | CMP | CMP | CMP | CMP | CMP | CMP |
| Zurück | Rau | Rau | Rau | Rau | Rau | Rau |
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| Einzelteil | Spezifikation | |||||
| Orientierung | -100 | |||||
| Lackiert | UID | Magnesium | F.E. | |||
| Elektrischer Parameter | 1 ×1017~3×1018cm-3 | ≥1010 Ω ·cm | ≥1010 Ω ·cm | |||
| halbhohe Breite der Doppel-Kristallschwingen-Kurve | ≤150 | |||||
| Versetzungsdichte | <1×10 5 cm2 | |||||
| Maß | A-B | CD | 厚度 | |||
| 10mm | 10.5mm | 0,5 (±0.02) Millimeter | ||||
| 5mm | 10mm | 0,5 (±0.02) Millimeter | ||||
| Flachheit | Die lange Seite ist [010] die Orientierung | |||||
| Oberfläche | DSP/SSP | |||||
| Ra<0> | ||||||
| Mis<> | ||||||
