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Detailinformationen |
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| Vorderfläche: | CMP poliert, Ra < 0,5 Nm (einseitig poliert, SSP) | Koeffizient der thermischen Ausdehnung: | 20,6·10-6°C -1 |
|---|---|---|---|
| Verzerrung: | 30 µm | RRV: | 8% (6 mm) |
| Flache hauptsächlichlänge: | 32.5 +/- 2,5 mm | Flache zweitenslänge: | 18.0 +/- 2,0 mm |
| Stärke: | 525 Um +/- 20 Um (SSP) | Typ/ Dopant: | P/ Bor |
| Markieren: | Polsterte Einzelkristallhalbleiter-Substrat,Elektronisches Gerät Si Wafer,2" Einkristall-Si-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
Beschreibung des Produkts:
Ein Siliziumwafer, oft als Si-Wafer bezeichnet, ist ein grundlegender Bauteil in der Halbleiterindustrie und spielt eine entscheidende Rolle bei der Herstellung elektronischer Geräte.mit einer Breite von mehr als 20 mm,, wird aufgrund seiner ausgezeichneten elektrischen Eigenschaften zur Herstellung dieser Wafer verwendet.
Siliziumwafer sind dünne, schichtförmige Substrate, die typischerweise aus einem einzelnen Siliziumkristall bestehen.mit einer Breite von mehr als 20 mm,Die daraus resultierenden Wafer werden poliert, um eine glatte und flache Oberfläche zu erhalten.
Diese Wafer dienen als Grundlage für die Herstellung von integrierten Schaltungen (ICs) und anderen Halbleitergeräten.Bei der Herstellung von Halbleitern werden verschiedene Materialien auf die Siliziumwafer gelegt, entwerfen komplizierte Muster mit Hilfe von Photolithographie und gravieren, um Transistoren, Dioden und andere elektronische Komponenten zu formen.
Si-Wafer kommen in verschiedenen Größen, wobei der Durchmesser in der Regel zwischen 100 und 300 Millimeter beträgt.Größere Wafer ermöglichen eine höhere Produktionseffizienz und geringere Kosten pro Chip.
Die Halbleiterindustrie setzt stark auf Siliziumwafer für die Massenproduktion von Mikrochips, die in elektronischen Geräten wie Computern, Smartphones und verschiedenen anderen elektronischen Systemen verwendet werden.Durch die kontinuierlichen Fortschritte in der Technologie wurden kleinere und leistungsfähigere Halbleitergeräte entwickelt, was die Nachfrage nach hochwertigen Siliziumwafern steigert.
Zusammenfassend kann gesagt werden, dass Siliziumwafer die Bausteine moderner Halbleitergeräte sind, die die Herstellung von integrierten Schaltungen erleichtern, die die elektronischen Geräte, die wir täglich verwenden, antreiben.Ihre Präzisionsfertigung und ihre entscheidende Rolle in der Halbleiterindustrie machen sie zu einem Schlüsselelement in der Welt der Elektronik..
Eigenschaften:
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Kristallstruktur:Si-Wafer werden typischerweise aus einem einzelnen Siliziumkristall hergestellt und weisen eine gut definierte Kristallgitterstruktur auf.Diese Einkristallstruktur ist für die Leistung und Stabilität von Halbleitergeräten unerlässlich.
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Reinheit:Hohe Reinheit ist ein kritisches Merkmal von Si-Wafern, mit strenger Kontrolle über Verunreinigungen.
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Leitfähigkeit:Silizium ist ein Halbleitermaterial, und seine Leitfähigkeit wird durch Doping beeinflusst.Die elektrische Leitfähigkeit von Silizium kann für die Herstellung elektronischer Geräte wie Transistoren kontrolliert werden.
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Abmessungen:Si-Wafer-Maße werden üblicherweise in Bezug auf Durchmesser und Dicke beschrieben.Während die Auswahl der Dicke die Herstellungsprozesse und das Gerätedesign beeinflusst.
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Oberflächenglatheit:Die Oberfläche von Si-Wafers wird präzise poliert, um eine flache und glatte Oberfläche zu gewährleisten, was für die Genauigkeit von Herstellungsprozessen wie der Photolithographie von entscheidender Bedeutung ist.
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Koeffizient der thermischen Ausdehnung:Der Wärmeausdehnungskoeffizient von Si-Wafer muss mit anderen Materialien übereinstimmen, um Belastungen und Verformungen bei Temperaturänderungen zu vermeiden und die Stabilität des Geräts zu gewährleisten.
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Flachheit:Die Flatness von Si-Wafers ist für Herstellungsprozesse wie Photolithographie von entscheidender Bedeutung, um die genaue Replikation von Mustern zu gewährleisten.
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Optische Transparenz:In einigen Anwendungen müssen Si-Wafer eine gute optische Transparenz aufweisen, um die Herstellung optischer Geräte zu unterstützen.
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Chemische Stabilität:Si-Wafer weisen in verschiedenen chemischen Umgebungen eine relative Stabilität auf, was sie zu idealen Substraten für eine Vielzahl von Halbleiterprozessen macht.
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Verarbeitbarkeit:Si-Wafer sind leicht zu verarbeiten und herzustellen, was sie zu einem der am häufigsten verwendeten Basismaterialien in der Halbleiterindustrie macht.
Technische Parameter:
| Technische Parameter | Wert |
|---|---|
| Sekundäre flache Länge | 18.0 +/- 2,0 mm |
| Substratmaterial | Einzelkristall-Silizium-Wafer |
| Elektrische Widerstandsfähigkeit | 10-20 Ohm-cm |
| Sauerstoffgehalt | 1.6 X 10^18 Atome/cm3 |
| Typ/ Dopant | P/ Bor |
| Stärke | 525 Um +/- 20 Um (SSP) |
| Primäre flache Orientierung | < 110> +/-1 Grad |
| Durchmesser | 100 mm +/- 0,5 mm |
| Vorderfläche | CMP poliert, Ra < 0,5 Nm (einseitig poliert, SSP) |
| Wachstumsmethode | MCZ |
| Dünnschichttechnik | Ultradicke Siliziumoxid-Wafer |
| Anwendungen | - |
Anwendungen:
Integrierte Schaltungen (ICs): Si-Wafer sind das primäre Substrat für die Herstellung von in elektronischen Geräten verwendeten integrierten Schaltungen.
Transistoren: Silikonwaffen sind entscheidend für die Herstellung von Transistoren, grundlegenden Komponenten in elektronischen Schaltungen.
Dioden: Si-Wafer dienen als Grundlage für die Herstellung von Dioden, wesentlichen Halbleitergeräten mit verschiedenen Anwendungen.
Mikroprozessoren: Die Herstellung von Mikroprozessoren, dem Gehirn von Computern und elektronischen Geräten, beruht stark auf Si-Wafern.
Speichergeräte: Si-Wafer werden verwendet, um verschiedene Arten von Speichergeräten zu produzieren, einschließlich RAM und Flash-Speicher.
Solarzellen: Silikonwafer sind ein wichtiges Material bei der Herstellung von Solarzellen, die Sonnenlicht in elektrische Energie umwandeln.
Optoelektronische Geräte: Si-Wafer spielen eine Rolle bei der Herstellung optoelektronischer Geräte wie Leuchtdioden (LED) und Photodetektoren.
Sensoren: Siliziumwafer werden bei der Herstellung von Sensoren für Anwendungen wie Druck-, Temperatur- und Bewegungssensoren verwendet.
MEMS-Geräte: Mikroelektromechanische Systeme (MEMS) wie Beschleunigungsmessgeräte und Gyroskope werden auf Si-Wafern hergestellt.
Leistungsgeräte: Si-Wafer tragen zur Herstellung von Leistungshalbleitern bei, die in Leistungselektronik und elektrischen Systemen verwendet werden.
Funkfrequenzgeräte (RF): Si-Wafer werden bei der Herstellung von HF-Geräten für drahtlose Kommunikation und Signalverarbeitung verwendet.
Mikrocontroller: Si-Wafer sind ein wesentlicher Bestandteil der Herstellung von Mikrocontrollern, die in einer Vielzahl von elektronischen Systemen enthalten sind.
Analogschaltkreise: Silikonwafer werden zur Herstellung von Analogschaltkreisen zur Verarbeitung kontinuierlicher Signale in der Elektronik verwendet.
Glasfaserkomponenten: Si-Wafer spielen eine Rolle bei der Herstellung von Komponenten für Glasfaserkommunikationssysteme.
Biomedizinische Sensoren: Siliziumwafer werden bei der Herstellung von Sensoren für biomedizinische Anwendungen verwendet, einschließlich Glukosensoren und DNA-Mikroarrays.
Smartphones: Si-Wafer tragen zur Herstellung von Halbleiterchips bei, die in Smartphones für verschiedene Funktionen verwendet werden.
Automobilelektronik: Si-Wafer werden bei der Herstellung von Halbleiterkomponenten für Automobilelektronik, einschließlich Motorsteuerungseinheiten, verwendet.
Verbraucherelektronik: Verschiedene Verbraucherelektronik wie Fernseher, Kameras und Audiogeräte enthalten Si-Wafer in ihren elektronischen Komponenten.
Drahtlose Kommunikationsgeräte: Si-Wafer sind für die Herstellung von Chips, die in drahtlosen Kommunikationsgeräten wie Routern und Modems verwendet werden, unerlässlich.
Digitale Signalprozessoren (DSP): Silikonwaffen werden bei der Herstellung von DSPs, spezialisierten Mikroprozessoren für digitale Signalverarbeitungsanwendungen, verwendet.
Anpassung:
Wir sind spezialisiert auf die Bereitstellung von kundenspezifischen Dienstleistungen für Halbleiter-Substrate mit folgenden Eigenschaften:
- Markenbezeichnung: ZMSH
- Modellnummer: Si-Wafer
- Herkunftsort: China
- Der Wert der in Absatz 1 Buchstabe b genannten Verbrennungsmengen ist zu messen.
- Kohlenstoffgehalt: 0,5 ppm
- Sauerstoffgehalt: 1,6 X 10^18 Atome/cm3
- Sekundärflächenorientierung: 90° von der primären Fläche
- Verpackung: Verpackt in einer Klasse 100 Reinraum Umgebung, in Kassetten von 25 Wafern.
- Oberflächenoxidation: Behandlung mit einer einzigartigen Oxidschicht zur Verbesserung der Leitfähigkeit
- Leitfähigkeit: hochleitendes Material für Halbleiteranwendungen
- Halbleitermaterial: entwickelt, um höchste Qualitäts-, Zuverlässigkeits- und Leistungsstandards zu erfüllen
Unterstützung und Dienstleistungen:
Technische Unterstützung und Wartung von Halbleitersubstraten
Bei XYZ bieten wir technische Unterstützung und Service für unsere Halbleiter-Substratprodukte.Unser Expertenteam ist bereit, Ihnen bei Fragen oder Bedenken zu unseren Produkten zu helfen.Wir bieten sowohl Online- als auch telefonischen Support an und sind 24 Stunden am Tag, 7 Tage die Woche verfügbar.
Wir bieten Ihnen auch eine umfassende Fehlerbehebungsanleitung, um Ihnen bei der Lösung von Problemen mit unseren Produkten zu helfen.Unsere Produktspezialisten stehen Ihnen persönlich zur Verfügung..
Falls Sie jemals ein Ersatzteil benötigen, bieten wir auch eine große Auswahl an Ersatzteilen für alle unsere Halbleiter-Substrate.Wir sind stolz darauf, unseren Kunden hochwertige Teile und Service anzubieten..
Wir bemühen uns, Ihnen den bestmöglichen Kundenservice zu bieten und sind bestrebt, sicherzustellen, dass Sie mit Ihrem Kauf vollkommen zufrieden sind.Bitte zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren..
Unsere Gemeinschaft
ZMSH ist ein Hightech-Unternehmen, das sich auf die Forschung, Produktion, Verarbeitung und den Verkauf von Halbleiter-Substraten und optischen Kristallmaterialien spezialisiert hat.,In den Bereichen Elektronik, Elektronik für den Verbraucher, Militärindustrie sowie Laser und optische Kommunikation.
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