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Detailinformationen |
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| Wärmeleitfähigkeit: | Relativ hohe Wärmeleitfähigkeit | Leistungsvorteile: | Überlegene elektrische Eigenschaften, Reduzierung der Größe, Minimierung der Überspannung zwischen e |
|---|---|---|---|
| Aktive Schichtdicke: | Typischerweise von wenigen bis zu mehreren Zehntausenden Nanometer (nm) | Widerstandskraft: | Typischerweise von mehreren hundert bis mehreren tausend Ohm-Zentimetern (Ω·cm) |
| Waferdurchmesser: | 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll oder größer | Eigenschaften des Stromverbrauchs: | Merkmale eines geringen Stromverbrauchs |
| Prozessvorteile: | Verbesserte Leistung und geringerer Stromverbrauch | Konzentration der Unreinheit: | Niedrige Unreinheitskonzentration zur Minimierung der Effekte der Elektronenmobilität |
| Markieren: | Silikon auf Isolator-Waferständen,SOI-Waffeln 4 Zoll,CMOS-Drei-Schicht-Struktur SOI-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
SOI-Wafer 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, kompatibel mit CMOS-Drei-Schicht-Struktur
Beschreibung des Produkts:
Die SOI-Wafer (Silicon on Insulator) ist ein Pionierwerk der Halbleitertechnologie und revolutioniert die Landschaft der fortschrittlichen Elektronik.Diese hochmoderne Wafer verkörpert eine Vielzahl von Innovationen., die beispiellose Leistung, Effizienz und Vielseitigkeit bietet.
Die oberste Schicht besteht aus einer einkristallinen Siliziumschicht, die als Geräteschicht bekannt ist und als Grundlage für integrierte Schaltungen dient.Darunter befindet sich die begrabene Oxidschicht., die Isolierung und Isolierung zwischen der oberen Siliziumschicht und der Unterseite gewährleistet.Das ist das Substrat, auf dem dieses technologische Meisterwerk aufgebaut ist..
Eine der herausragenden Eigenschaften der SOI-Wafer ist ihre Kompatibilität mit der CMOS-Technologie (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor).Diese Kompatibilität integriert die Vorteile von SOI nahtlos in bestehende Halbleiterherstellungsprozesse, bietet einen Weg zu einer verbesserten Leistung, ohne die etablierten Produktionsmethoden zu stören.
Die innovative Drei-Schicht-Zusammensetzung der SOI-Wafer bringt eine Reihe von Vorteilen mit sich.die die Kapazität elektronischer Geräte minimiert und die Schaltgeschwindigkeit und Effizienz erhöhtDiese Reduzierung des Stromverbrauchs verbessert nicht nur die Akkulaufzeit von tragbaren Geräten, sondern trägt auch zu einem energieeffizienten Betrieb in einer Vielzahl von Anwendungen bei.
Darüber hinaus verleiht die Isolationsschicht der SOI-Wafer eine überlegene Strahlungsbeständigkeit, was sie für Anwendungen in rauen und strahlungsstarken Umgebungen besonders geeignet macht.Die Fähigkeit, die Strahleneffekte zu mindern, gewährleistet Zuverlässigkeit und Funktionalität, auch unter extremen Bedingungen.
Die Drei-Schicht-Struktur verringert zudem die Signalstörungen und optimiert die Leistung von integrierten Schaltungen, indem die Überspannung zwischen den Komponenten verringert wird.Ausbau der Datenverarbeitung und Kommunikation.
Darüber hinaus trägt die Isolationsschicht zur effizienten Wärmeableitung bei, wodurch die Wärme innerhalb der Wafer wirksam dispergiert wird.Gewährleistung nachhaltiger Leistung und Langlebigkeit der integrierten Schaltungen.
Abschließend stellt die SOI-Wafer einen Paradigmenwechsel in der Halbleitertechnologie dar.Er öffnet ein Reich von Möglichkeiten für HochleistungselektronikVon energieeffizienter Unterhaltungselektronik bis zu robusten Lösungen für Luft- und Raumfahrt und Verteidigung,Das innovative Design und die vielfältigen Vorteile der SOI-Wafer machen sie zu einem Eckpfeiler der sich ständig entwickelnden Welt der Halbleiterinnovation.
Eigenschaften:
Doppelschichtstruktur: Die SOI-Wafer besteht aus drei Schichten, wobei die oberste Schicht die einkristalline Siliziumschicht (Device Layer) ist.die mittlere Schicht ist die Isolationsschicht (Buried Oxide Layer), und die untere Schicht ist das Siliziumsubstrat (Handle Layer).
Niedriger Stromverbrauch: Aufgrund der Vorhandensein der Isolationsschicht weist die SOI-Wafer einen geringeren Stromverbrauch in elektronischen Geräten auf.Die Isolationsschicht verringert die Kapazitätskopplung zwischen elektronischen Geräten, wodurch die Geschwindigkeit und Effizienz der integrierten Schaltungen erhöht werden.
Strahlungsbeständigkeit: Die Isolationsschicht der SOI-Wafer erhöht die Strahlungsbeständigkeit des Siliziums und ermöglicht eine bessere Leistung in Hochstrahlungsumgebungen.für bestimmte Anwendungen geeignet.
Verringerte Überspannung: Das Vorhandensein der Isolationsschicht trägt dazu bei, die Überspannung zwischen Signalen zu reduzieren und die Leistung von integrierten Schaltungen zu verbessern.
Wärmeableitung: Die Isolationsschicht des SOI-Wafers trägt zur Wärmediffusion bei und erhöht die Wärmeablösungseffizienz von integrierten Schaltungen und hilft dabei, eine Überhitzung des Chips zu verhindern.
Hohe Integration und Leistung: Die SOI-Technologie ermöglicht es Chips, höhere Integration und Leistung zu haben, so dass elektronische Geräte mehr Komponenten in der gleichen Größe aufnehmen können.
CMOS-Kompatibilität: SOI-Wafer sind mit der CMOS-Technologie kompatibel, was den bestehenden Halbleiterherstellungsprozessen zugute kommt.
Herstellung von SOI-Wafern
Technische Parameter:
| Parameter | Werte |
|---|---|
| Dicke der isolierenden Schicht | Ungefähr mehrere hundert Nanometer |
| Widerstand | Typischerweise von mehreren hundert bis mehreren tausend Ohm-Zentimetern (Ω·cm) |
| Herstellungsprozess | Mehrkristalline Siliziumschichten, speziell hergestellt |
| Aktive Schichtdicke | Typischerweise von wenigen bis zu mehreren Zehntausenden Nanometer (nm) |
| Dopingart | P- oder N-Typ |
| Isolierende Schicht | Siliziumdioxid |
| Kristallqualität zwischen Schichten | Hochwertige Kristallstruktur, die zur Leistung des Geräts beiträgt |
| SOI-Dicke | Normalerweise in der Bandbreite von mehreren hundert Nanometern bis zu wenigen Mikrometern |
| Prozessvorteile | Verbesserte Leistung und geringerer Stromverbrauch |
| Leistungsvorteile | Überlegene elektrische Eigenschaften, Reduzierung der Größe, Minimierung der Überspannung zwischen elektronischen Geräten, unter anderem |
| Leitfähigkeit | Hoch |
| Oberflächenoxidation | Erhältlich |
| mit einer Breite von nicht mehr als 20 mm | Erhältlich |
| Epitaxie | Erhältlich |
| Doping | P- oder N-Typ |
| Sozialleistungen | Erhältlich |
Anwendungen:
Mikroprozessoren und integrierte Schaltungen: Die SOI-Technologie spielt eine zentrale Rolle bei der Herstellung von Mikroprozessoren und integrierten Schaltungen.hohe Leistung, und Strahlungsbeständigkeit machen es zu einer idealen Wahl für Hochleistungs-Mikroprozessoren, insbesondere in Bereichen wie Mobilgeräte und Cloud Computing.
Kommunikation und drahtlose Technologie: Die weit verbreitete Anwendung der SOI-Technologie im Kommunikationssektor ist auf ihre Fähigkeit zurückzuführen, den Stromverbrauch zu reduzieren und die Integration zu verbessern.Hierzu gehört die Herstellung leistungsstarker integrierter Schaltungen für Funkfrequenz- (RF) und Mikrowellengeräte, sowie effiziente Chips für 5G- und IoT-Geräte.
Bildgebungs- und Sensortechnologie: SOI-Wafer finden einen erheblichen Einsatz bei der Herstellung von Bildsensoren und verschiedenen Sensortypen.Ihre hohe Leistungsfähigkeit und der geringere Stromverbrauch machen sie in Bereichen wie Kameras entscheidend., medizinische Bildgebungsgeräte und industrielle Sensoren.
Luft- und Raumfahrt und Verteidigung: Die strahlungsbeständige Natur der SOI-Wafer macht sie in strahlungsstarken Umgebungen hervorragend, was zu entscheidenden Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt und der Verteidigung führt.Sie werden bei der Herstellung von Schlüsselkomponenten für unbemannte Luftfahrzeuge verwendet, Satelliten, Navigationssysteme und leistungsstarke Sensoren.
Energiemanagement und grüne Technologien: Aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs und ihrer hohen Effizienz finden SOI-Wafer auch Anwendungen im Energiemanagement und in grünen Technologien.Dazu gehören die Nutzung in intelligenten Netzen, erneuerbare Energiequellen und Energieeinsparvorrichtungen.
Insgesamt erstrecken sich die vielseitigen Anwendungen von SOI-Wafern aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften auf verschiedene Bereiche.so dass sie ein bevorzugtes Material für viele Hochleistungsgeräte und -systeme sind.
Anpassung:
Markenbezeichnung: ZMSH
Modellnummer: SOI-Wafer
Herkunftsort: China
Das maßgeschneiderte Halbleiter-Substrat wird mit fortschrittlicher Dünnschicht-Technologie, Elektro-Oxidation, Leitfähigkeit, Filtration und Doping hergestellt.hochwertige flache Oberfläche, Verringerung von Defekten, geringe Verunreinigungskonzentration zur Minimierung der Effekte der Elektronenmobilität, hochwertige Kristallstruktur, die zur Leistungsfähigkeit des Geräts beiträgt und starke Strahlungsbeständigkeit.
Unterstützung und Dienstleistungen:
Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Service für unsere Halbleiter-Substrat-Produkte, einschließlich:
- Leitlinien für die Produktauswahl
- Installation und Inbetriebnahme
- Instandhaltung, Reparaturen und Verbesserungen
- Fehlerbehebung und Problemlösung
- Ausbildung und Nutzerbildung
- Ersatz und Austausch von Produkten
Unser technisches Supportteam besteht aus erfahrenen Fachleuten, die sich der Zufriedenheit unserer Kunden verschrieben haben.Wir bemühen uns, schnelle Reaktionszeiten und eine effektive Problemlösung zu bieten.