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Detailinformationen |
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| Stärke: | Min:175 Max:225 | Dotierstoff: | S |
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| Oberfläche: | Polstert | Partikelzählung: | N/A |
| Runden der Kante: | 0.250mmR | IF Standort/Länge: | EJ[0-1-1]/ 7±1 mm |
| Verhaltenstyp: | S-C-N | Epi-Ready: | - Ja, das ist es. |
| Markieren: | GaP Wafer Halbleiter-Substrat,Galliumphosphat Einzelkristallorientierung,Galliumphosphat-GaP-Wafer |
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Produkt-Beschreibung
GaP-Wafer, Galliumphosphid Einzelkristall Orientierung (111)A 0°±0.2 Solarzellen
Beschreibung des Produkts:
Galliumphosphat GaP, ein wichtiger Halbleiter mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften wie andere III-V-Verbindungsmaterialien, kristallisiert in der thermodynamisch stabilen kubischen ZB-Struktur,ist ein orange-gelbes halbtransparentes Kristallmaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2.26 eV (300K), das aus 6N 7N hochreinem Gallium und Phosphor synthetisiert und mittels der Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) -Technik zu einem einzigen Kristall gewachsen ist.Der Galliumphosphatkristall wird mit Schwefel oder Tellurium doppiert, um einen Halbleiter des Typs n zu erhalten, und Zink doped als p-Typ-Leitfähigkeit für die weitere Herstellung in gewünschte Wafer, die Anwendungen in optischen Systemen, elektronischen und anderen optoelektronischen Geräten hat.Single Crystal GaP Wafer kann Epi-Ready für Ihre LPE vorbereitet werden, MOCVD und MBE-Epitaksialanwendung.n-Typ oder undoped Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation in Größe 2′′ und 3′′ (50mm) angeboten werden kann, 75 mm Durchmesser), Orientierung <100>,<11> mit Oberflächenveredelung aus geschnittenem, poliertem oder epi-bereitem Verfahren.
Eigenschaften:
- Breite Bandbreite, geeignet für die Ausstrahlung bestimmter Lichtwellenlängen.
- GaP Wafer Ausgezeichnete optische Eigenschaften ermöglichen die Herstellung von LED in verschiedenen Farben.
- Hohe Effizienz bei der Erzeugung von rotem, gelbem und grünem Licht für LEDs.
- Überlegene Lichtabsorptionsfähigkeit bei bestimmten Wellenlängen.
- Gute elektrische Leitfähigkeit für Hochfrequenzgeräte.
- GaP-Wafer angemessene thermische Stabilität für eine zuverlässige Leistung.
- Chemische Stabilität geeignet für Halbleiterherstellungsprozesse.
- GaP Wafer Günstige Gitterparameter für das epitaxiale Wachstum zusätzlicher Schichten.
- Fähigkeit, als Substrat für Halbleiterdeposition zu dienen.
- GaP Wafer Robustes Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit.
- Ausgezeichnete optoelektronische Fähigkeiten für Photodetektoren.
- Vielseitigkeit bei der Entwicklung optischer Geräte für bestimmte Wellenlängenbereiche.
- GaP-Wafer Potenzielle Anwendung in Solarzellen zur maßgeschneiderten Lichtabsorption.
- Relativ abgestimmte Gitterstrukturen für qualitativ hochwertiges Halbleiterwachstum.
- Wesentliche Rolle bei der Herstellung von LEDs, Laserdioden und Photodetektoren aufgrund seiner optischen und elektrischen Eigenschaften.
Technische Parameter:
| Parameter | Wert |
|---|---|
| Wachstumsmethode | LEC |
| Bogen | - Was ist los?10 |
| Durchmesser | 500,6 ± 0,3 mm |
| Partikelzahl | N/A |
| Orientierungswinkel | N/A |
| TTV/TIR | - Was ist los?10 |
| Dopant | S |
| Lasermarkierung | N/A |
| Orientierung | (111)A 0°±0.2 |
| Mobilität | - Ich weiß nicht.100 |
| Halbleitermaterial | Halbleiter-Substrat |
| Oberflächenoxidation | Ultradicke Siliziumoxid-Wafer |
Anwendungen:
- GaP Wafer LED-Fertigung zur Herstellung von roten, gelben und grünen Lichtern.
- Fabrikation von GaP Wafer Laserdioden für verschiedene optische Anwendungen.
- Entwicklung eines GaP Wafer Photodetectors für bestimmte Wellenlängenbereiche.
- GaP-Wafer Verwendung in optoelektronischen Sensoren und Lichtsensoren.
- GaP-Wafer Solaranlage für eine maßgeschneiderte Lichtspektrenabsorption.
- GaP Wafer Produktion von Anzeigetafeln und Anzeigeleuchten.
- GaP Wafer Beitrag zu Hochfrequenz-elektronischen Geräten.
- GaP-Wafer-Formation von optischen Geräten für unterschiedliche Wellenlängenbereiche.
- Gebrauch von GaP-Wafer in Telekommunikations- und optischen Kommunikationssystemen.
- GaP Wafer Entwicklung von photonischen Geräten zur Signalverarbeitung.
- Einbeziehung von GaP-Wafer in Infrarot- (IR) und ultraviolette (UV) Sensoren.
- Implementierung von GaP-Wafer in biomedizinischen und umweltbezogenen Sensoren.
- GaP Wafer Anwendung in militärischen und Luft- und Raumfahrtoptiksystemen.
- GaP-Wafer-Integration in Spektroskopie und analytische Instrumente.
- GaP Wafer Nutzung in Forschung und Entwicklung für neue Technologien.
Anpassung:
Markenbezeichnung: ZMSH
Modellnummer: GaP-Wafer
Herkunftsort: China
TTV/TIR: maximal:10
Max:10
Der Anschluss an die Anschlussstelle ist in der Anschlussstelle zu finden.
Mobilität: Min:100
Aufrechterhaltung: Min:0.01 Max:0.5 Ω.cm
Eigenschaften:
• Verwendung von Dünnschichttechnik
• Silikonoxidwafer
• Elektrooxidation
• Kundenspezifische Dienstleistungen
Unterstützung und Dienstleistungen:
Wir bieten eine breite Palette von technischen Support und Dienstleistungen für unsere Halbleiter-Substrat-Produkte. Unser Expertenteam steht Ihnen zur Verfügung, um Ihnen die besten Lösungen für Ihre Bedürfnisse zu bieten.
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