Detailinformationen |
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Stärke: | Min:175 Max:225 | Dotierstoff: | S |
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Oberfläche: | Polstert | Partikelzählung: | N/A |
Runden der Kante: | 0.250mmR | IF Standort/Länge: | EJ[0-1-1]/ 7±1 mm |
Verhaltenstyp: | S-C-N | Epi-Ready: | - Ja, das ist es. |
Hervorheben: | GaP Wafer Halbleiter-Substrat,Galliumphosphat Einzelkristallorientierung,Galliumphosphat-GaP-Wafer |
Produkt-Beschreibung
GaP-Wafer, Galliumphosphid Einzelkristall Orientierung (111)A 0°±0.2 Solarzellen
Beschreibung des Produkts:
Galliumphosphat GaP, ein wichtiger Halbleiter mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften wie andere III-V-Verbindungsmaterialien, kristallisiert in der thermodynamisch stabilen kubischen ZB-Struktur,ist ein orange-gelbes halbtransparentes Kristallmaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2.26 eV (300K), das aus 6N 7N hochreinem Gallium und Phosphor synthetisiert und mittels der Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) -Technik zu einem einzigen Kristall gewachsen ist.Der Galliumphosphatkristall wird mit Schwefel oder Tellurium doppiert, um einen Halbleiter des Typs n zu erhalten, und Zink doped als p-Typ-Leitfähigkeit für die weitere Herstellung in gewünschte Wafer, die Anwendungen in optischen Systemen, elektronischen und anderen optoelektronischen Geräten hat.Single Crystal GaP Wafer kann Epi-Ready für Ihre LPE vorbereitet werden, MOCVD und MBE-Epitaksialanwendung.n-Typ oder undoped Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation in Größe 2′′ und 3′′ (50mm) angeboten werden kann, 75 mm Durchmesser), Orientierung <100>,<11> mit Oberflächenveredelung aus geschnittenem, poliertem oder epi-bereitem Verfahren.

Eigenschaften:
- Breite Bandbreite, geeignet für die Ausstrahlung bestimmter Lichtwellenlängen.
- GaP Wafer Ausgezeichnete optische Eigenschaften ermöglichen die Herstellung von LED in verschiedenen Farben.
- Hohe Effizienz bei der Erzeugung von rotem, gelbem und grünem Licht für LEDs.
- Überlegene Lichtabsorptionsfähigkeit bei bestimmten Wellenlängen.
- Gute elektrische Leitfähigkeit für Hochfrequenzgeräte.
- GaP-Wafer angemessene thermische Stabilität für eine zuverlässige Leistung.
- Chemische Stabilität geeignet für Halbleiterherstellungsprozesse.
- GaP Wafer Günstige Gitterparameter für das epitaxiale Wachstum zusätzlicher Schichten.
- Fähigkeit, als Substrat für Halbleiterdeposition zu dienen.
- GaP Wafer Robustes Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit.
- Ausgezeichnete optoelektronische Fähigkeiten für Photodetektoren.
- Vielseitigkeit bei der Entwicklung optischer Geräte für bestimmte Wellenlängenbereiche.
- GaP-Wafer Potenzielle Anwendung in Solarzellen zur maßgeschneiderten Lichtabsorption.
- Relativ abgestimmte Gitterstrukturen für qualitativ hochwertiges Halbleiterwachstum.
- Wesentliche Rolle bei der Herstellung von LEDs, Laserdioden und Photodetektoren aufgrund seiner optischen und elektrischen Eigenschaften.
Technische Parameter:
Parameter | Wert |
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Wachstumsmethode | LEC |
Bogen | - Was ist los?10 |
Durchmesser | 500,6 ± 0,3 mm |
Partikelzahl | N/A |
Orientierungswinkel | N/A |
TTV/TIR | - Was ist los?10 |
Dopant | S |
Lasermarkierung | N/A |
Orientierung | (111)A 0°±0.2 |
Mobilität | - Ich weiß nicht.100 |
Halbleitermaterial | Halbleiter-Substrat |
Oberflächenoxidation | Ultradicke Siliziumoxid-Wafer |

Anwendungen:
- GaP Wafer LED-Fertigung zur Herstellung von roten, gelben und grünen Lichtern.
- Fabrikation von GaP Wafer Laserdioden für verschiedene optische Anwendungen.
- Entwicklung eines GaP Wafer Photodetectors für bestimmte Wellenlängenbereiche.
- GaP-Wafer Verwendung in optoelektronischen Sensoren und Lichtsensoren.
- GaP-Wafer Solaranlage für eine maßgeschneiderte Lichtspektrenabsorption.
- GaP Wafer Produktion von Anzeigetafeln und Anzeigeleuchten.
- GaP Wafer Beitrag zu Hochfrequenz-elektronischen Geräten.
- GaP-Wafer-Formation von optischen Geräten für unterschiedliche Wellenlängenbereiche.
- Gebrauch von GaP-Wafer in Telekommunikations- und optischen Kommunikationssystemen.
- GaP Wafer Entwicklung von photonischen Geräten zur Signalverarbeitung.
- Einbeziehung von GaP-Wafer in Infrarot- (IR) und ultraviolette (UV) Sensoren.
- Implementierung von GaP-Wafer in biomedizinischen und umweltbezogenen Sensoren.
- GaP Wafer Anwendung in militärischen und Luft- und Raumfahrtoptiksystemen.
- GaP-Wafer-Integration in Spektroskopie und analytische Instrumente.
- GaP Wafer Nutzung in Forschung und Entwicklung für neue Technologien.
Anpassung:
Markenbezeichnung: ZMSH
Modellnummer: GaP-Wafer
Herkunftsort: China
TTV/TIR: maximal:10
Max:10
Der Anschluss an die Anschlussstelle ist in der Anschlussstelle zu finden.
Mobilität: Min:100
Aufrechterhaltung: Min:0.01 Max:0.5 Ω.cm
Eigenschaften:
• Verwendung von Dünnschichttechnik
• Silikonoxidwafer
• Elektrooxidation
• Kundenspezifische Dienstleistungen
Unterstützung und Dienstleistungen:
Wir bieten eine breite Palette von technischen Support und Dienstleistungen für unsere Halbleiter-Substrat-Produkte. Unser Expertenteam steht Ihnen zur Verfügung, um Ihnen die besten Lösungen für Ihre Bedürfnisse zu bieten.
Egal, ob Sie Beratung bei der Auswahl, Installation, Prüfung oder bei anderen technischen Fragen benötigen, wir bieten Ihnen eine Vielzahl von Dienstleistungen an:
- Produktauswahl und -bewertung
- Installation und Prüfung
- Fehlerbehebung und Problemlösung
- Leistungsoptimierung
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Unser Team aus erfahrenen Ingenieuren und Technikern steht Ihnen zur Verfügung, um Ihre Fragen zu beantworten und Ihnen die beste technische Beratung und Unterstützung zu bieten.Kontaktieren Sie uns noch heute und lassen Sie uns Ihnen helfen, die beste Lösung für Ihre Bedürfnisse zu finden.