 
|
Des Quadrat-Linse sic Windows-Silikon-Karbid-Substrat-1x1x0.5mmt sic
Produktdetails:
| Herkunftsort: | CHINA |
| Markenname: | ZMKJ |
| Zertifizierung: | ROHS |
| Modellnummer: | 1x1x0.5mmt |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 500PCS |
|---|---|
| Preis: | by case |
| Verpackung Informationen: | einzelnes Oblatenpaket im Reinigungsraum mit 100 Graden |
| Lieferzeit: | 3 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1-50000000pcs/month |
|
Detailinformationen |
|||
| Material: | Sic einzelne Kristall-Art 4H-N | Grad: | Null, Forschungs- und Dunmy-Grad |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0,1 0,2 0,3 0,35 0,43 0,5 | Anwendung: | Neue Energiefahrzeuge |
| Durchmesser: | 2-8inch oder 1x1x0.5mmt, 1x1x0.3mmt: | Farbe: | Grüner Tee oder transpraent |
| Markieren: | Quadrat sic Windows,Quadratisches Silikon-Karbid-Substrat,4 H-N Type Silicon Carbide Oblate |
||
Produkt-Beschreibung
Silikonkarbid-Wafer optischer 1/2/3 Zoll SIC-Wafer zum Verkauf Sic-Platte Silikon-Wafer Flat-Orientierung Unternehmen zum Verkauf 4 Zoll 6 Zoll Samen-SIC-Wafer 1.0 mm Dicke 4h-N SIC Siliziumkarbid Wafer Für Samenwachstum 6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt 5*5mm poliert Siliziumkarbid sic Substrat-Chips Wafer
Über Siliziumkarbid (SiC) Kristall
Siliziumcarbid (SiC) oder Carborundum ist ein Halbleiter, der Silizium und Kohlenstoff mit der chemischen Formel SiC enthält. SiC wird in Halbleiterelektronikgeräten verwendet, die bei hohen Temperaturen arbeiten,HochspannungenSiC ist auch eine der wichtigsten LED-Komponenten, es ist ein beliebtes Substrat für das Wachstum von GaN-Geräten und dient auch als Wärmeverbreiter in Hochleistungs-LEDs.
|
Eigentum
|
4H-SiC, Einzelkristall
|
6H-SiC, Einzelkristall
|
|
Gitterparameter
|
a=3,076 Å c=10,053 Å
|
a=3,073 Å c=15,117 Å
|
|
Abfolge der Stapelung
|
ABCB
|
ABCACB
|
|
Mohs-Härte
|
- 9 Jahre.2
|
- 9 Jahre.2
|
|
Dichte
|
3.21 g/cm3
|
3.21 g/cm3
|
|
Therm. Expansionskoeffizient
|
4 bis 5 × 10 bis 6/K
|
4 bis 5 × 10 bis 6/K
|
|
Brechungsindex @750 nm
|
nicht = 2.61
Ne = 2.66 |
nicht = 2.60
Ne = 2.65 |
|
Dielektrische Konstante
|
c~9.66
|
c~9.66
|
|
Wärmeleitfähigkeit (N-Typ, 0,02 Ohm.cm)
|
a ~ 4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K |
|
|
Wärmeleitfähigkeit (Halbisolierung)
|
a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K |
|
Band-Gap
|
3.23 eV
|
30,02 eV
|
|
Ein elektrisches Feld, das abbrechen kann
|
3 bis 5 × 106 V/cm
|
3 bis 5 × 106 V/cm
|
|
Geschwindigkeit der Sättigungsdrift
|
2.0×105m/s
|
2.0×105m/s
|
Hochreine 4 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation
| 2 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC) Substrat Spezifikation | ||||||||||
| Zulassung | Null MPD-Klasse | Produktionsgrad | Forschungsgrad | Schwachstelle | ||||||
| Durchmesser | 500,8 mm±0,2 mm | |||||||||
| Stärke | 330 μm±25 μm oder 430±25 μm | |||||||||
| Waferorientierung | Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung < 1120> ± 0,5° für 4H-N/4H-SI | |||||||||
| Mikropipendichte | ≤ 0 cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 15 cm2 | ≤ 100 cm2 | ||||||
| Widerstand | 4H-N | 00,015 bis 0,028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 00,02 bis 0,1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Primäre Wohnung | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
| Primärflächige Länge | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| Sekundäre flache Länge | 10.0 mm±2,0 mm | |||||||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikon nach oben: 90° CW. von Prime flat ±5,0° | |||||||||
| Grenze ausgeschlossen | 1 mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm | |||||||||
| Grobheit | Polnische Ra≤1 nm | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Risse durch hochintensives Licht | Keine | 1 zulässig, ≤ 2 mm | Kumulative Länge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | |||||||
| Hex-Platten mit hoher Lichtstärke | Kumulative Fläche ≤ 1% | Kumulative Fläche ≤ 1% | Kumulative Fläche ≤ 3% | |||||||
| Polytypbereiche nach Lichtstärke | Keine | Kumulative Fläche ≤ 2% | Kumulative Fläche ≤ 5% | |||||||
| Kratzer durch Licht mit hoher Intensität | 3 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge | 5 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge | 5 Kratzer bis 1 × Waferdurchmesser kumulative Länge | |||||||
| Kantenchip | Keine | 3 zulässig, jeweils ≤ 0,5 mm | 5 zulässig, jeweils ≤ 1 mm | |||||||
SiC-Anwendungen
Siliziumkarbid (SiC) -Kristalle haben einzigartige physikalische und elektronische Eigenschaften.Strahlungsbeständige Anwendungen. Die mit SiC hergestellten Hochleistungs- und Hochfrequenz-elektronischen Geräte sind Si und GaAs-basierten Geräten überlegen.
Andere Erzeugnisse
8 Zoll SiC-Wafer-Dummy 2 Zoll SiC-Wafer
Verpackung Logistik
Wir kümmern uns um jedes Detail der Verpackung, Reinigung, antistatische und Stoßbehandlung.
Je nach Menge und Form des Produktes werden wir einen anderen Verpackungsprozess wählen! Fast durch einzelne Waferkassetten oder 25 Stück Kassetten im 100-Grad-Reinigungsraum.