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2" N Halbleiter-Substrat-Si-Dopant-Galliumarsenid GaAs DSP/SSP halb Oblate LD/LED
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | zmkj |
| Modellnummer: | GaAs-N-4inch |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 5X |
|---|---|
| Preis: | 100-200usd/pcs |
| Verpackung Informationen: | einzelnes oder der Kassette 25pcs im Oblatenfall durch Vakuumverpackung |
| Lieferzeit: | 2-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T / T, Western Union |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 2000pcs pro Monat |
|
Detailinformationen |
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| Material: | GaAs-Kristall | Methode: | VGF |
|---|---|---|---|
| Größe: | 4inch dia100mm | Thickess: | 380um |
| Oberfläche: | DSP | Anwendung: | geführt, ld-Gerät |
| Hervorheben: | gasb Substrat,Halbleiterwafer |
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Produkt-Beschreibung
VFG-metod N-artiges 2inch/3inch, 4inch, Galliumarsenid-Oblaten 6inch dia150mm GaAs N-artig
Halb-isolierende Art für Mikroelektronik,
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(GaAs) Galliumarsenid-Oblaten
Galliumarsenid (GaAs) ist ein Mittel der Elemente Gallium und Arsen. Es ist ein III-V direkter Bandlückehalbleiter
mit einer Kristallstruktur der Zinkblende.
Galliumarsenid wird in der Fertigung von Geräten wie Mikrowellenfrequenzintegrierten schaltungen benutzt, monolithisch
Mikrowellenintegrierte schaltungen, Infrarotleuchtdioden, Laserdioden, Solarzellen und optische Fenster. [2]
GaAs ist als Substratmaterial für die Epitaxie anderer III-V Halbleiter einschließlich IndiumGalliumarsenid häufig benutzt,
Aluminiumgalliumarsenid und andere.
.
GaAs-Oblaten-Eigenschaft und Anwendung
| Eigenschaft | Einsatzbereich |
|---|---|
| Hohe Elektronenbeweglichkeit | Lichtemittierende Dioden |
| Hochfrequenz | Laserdioden |
| Hohe Umwandlungs-Leistungsfähigkeit | Foto-voltaische Geräte |
| Leistungsaufnahme der geringen Energie | Hoher Elektronenbeweglichkeits-Transistor |
| Direkte Bandlücke | Heterojunctions-bipolar Transistor |
Spezifikation
Undoped GaAs
Halb-isolierende GaAs-Spezifikationen
| Wachstums-Methode | VGF |
| Dopant | Kohlenstoff |
| Oblate Shape* | Runde (Durchmesser: 2", 3", 4" und 6") |
| Oberflächenorientierung ** | (100) ±0.5° |
“ Oblaten *5 verfügbar auf Anfrage
** Andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage
| Widerstandskraft (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Mobilität (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 |
| Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Oblaten-Durchmesser (Millimeter) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Stärke (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| VERZERRUNG (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| VON (Millimeter) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | KERBE |
| VON/, WENN (Millimeter) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
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