Name: Si lackierte Halbleiter-Substrat-Galliumarsenid GaAs-Oblate für Microwave/HEMT/PHEMT
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6inch S-C-N
Price: 150.00 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	zmkj
Modellnummer:	6inch S-C-N
MOQ:	5X
Preis:	by case
Verpackungsdetails:	einzelne Oblate verpackte in 6" Plastikkasten unter N2
Zahlungsbedingungen:	T / T, Western Union, MoneyGram

Ausführliche Information

Produkt-Beschreibung

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Herkunftsort:

China

Material:

Einzelner Kristall GaAs

Größe:

6inch

Dicke:

650um oder customzied

Von der Art:

Kerbe oder der Ebene

Orientierung:

(100) 2°off

Oberfläche:

DSP

Wachstumsmethode:

VFG

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

500pcs pro Monat

Hervorheben:

gasb Substrat

Halbleiterwafer

Produkt-Beschreibung

Art 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-lackierte Galliumarsenid GaAs-Oblate

Produkt-Beschreibung

(GaAs) Galliumarsenid-Oblaten

PWAM entwickelt und stellt Verbindungshalbleitersubstratgalliumarsenmetallkristall und -oblate her. Wir haben Verfahrenstechnik moderne Kristallwachstumstechnologie, vertikalen Steigungsfrost (VGF) und GaAs-Oblate benutzt, eine Fertigungsstraße vom Kristallwachstum, der Ausschnitt herstellten und gerieben zur Polierverarbeitung und errichteten einen Reinraum mit 100 Klassen für Oblatenreinigung und -verpacken. Unser GaAs-Wafer schließen den 2~6-Zoll-Barren/-Wafers für LED, LD und Mikroelektronikanwendungen mit ein. Wir werden immer eingeweiht, um die Qualität von Teilstaaten z.Z. zu verbessern und große Substrate zu entwickeln.

(GaAs) Galliumarsenid-Oblaten für LED-Anwendungen

1. Hauptsächlich verwendet in der Elektronik, Legierungen der niedrigen Temperatur, Galliumarsenid.
2. Die Primär-chemische Verbindung des Galliums in der Elektronik, wird in den Mikrowellenstromkreisen, in den Hochgeschwindigkeitsschaltungsstromkreisen und in den Infrarotstromkreisen benutzt.
3. Gallium-Nitrid und Indium-Gallium-Nitrid, denn Halbleitergebrauch, produziert die blauen und violetten Leuchtdioden (LEDs) und die Diodenlaser.

PRODUKT-BESCHREIBUNG

SPEZIFIKATION --6 Galliumarsenidwafer Zoll Si-Dopant-N-artiger SSP/DSP LED/LD
Wachstumsmethode	VGF
Orientierung	<100>
Durchmesser	150,0 +/- 0,3 Millimeter
Stärke	650um +/- 25um
Polnisches	Einseitiges Polier-(SSP)
Oberflächenrauigkeit	Polier
TTV/Bow	<10um>
Dopant	Si
Leitfähigkeitsart	N-artig
Widerstandskraft (an Funktelegrafie)	(1.2~9.9) *10-3 Ohm cm
Ätzungs-Gruben-Dichte (EPD)	LED <5000>2; LD <500>
Mobilität	Cm2 LED >1000/v.s; Cm2 LD >1500/v.s
Ladungsträgerdichte	LED > (0.4-4) 1018 /cm 3; LD > (0.4-2.5) 1018 /cm3

Spezifikationen von Halbleitergaas-Oblate

Wachstums-Methode	VGF
Dopant	p-artig: Zn		n-artig: Si
Oblaten-Form	Rund (Durchmesser: 2", 3", 4", 6")
Oberflächenorientierung *	(100) ±0.5°
* andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage
Dopant	Si (n-artig)		Zn (p-artig)
Ladungsträgerdichte (cm-3)	(0.8-4) × 1018		(0.5-5) × 1019
Mobilität (cm2/V.S.)	(1-2.5) × 103		50-120
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2)	100-5000		3,000-5,000
Oblaten-Durchmesser (Millimeter)	50.8±0.3	76.2±0.3		100±0.3
Stärke (µm)	350±25	625±25		625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4		≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
VERZERRUNG (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
VON (Millimeter)	17±1	22±1		32.5±1
VON/, WENN (Millimeter)	7±1	12±1		18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P		E/E, P/E, P/P

Spezifikationen des halb-Isolierens von GaAs-Oblate

Wachstums-Methode	VGF
Dopant	SI Art: Kohlenstoff
Oblaten-Form	Rund (Durchmesser: 2", 3", 4", 6")
Oberflächenorientierung *	(100) ±0.5°
* andere Orientierungen möglicherweise verfügbar auf Anfrage
Widerstandskraft (Ω.cm)	≥ 1 × 107		≥ 1 × 108
Mobilität (cm2/V.S)	≥ 5.000		≥ 4.000
Ätzungs-Neigungs-Dichte (cm2)	1,500-5,000		1,500-5,000
Oblaten-Durchmesser (Millimeter)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3	150±0.3
Stärke (µm)	350±25	625±25	625±25	675±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
VERZERRUNG (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 15
VON (Millimeter)	17±1	22±1	32.5±1	KERBE
VON/, WENN (Millimeter)	7±1	12±1	18±1	N/A
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

Si lackierte Halbleiter-Substrat-Galliumarsenid GaAs-Oblate für Microwave/HEMT/PHEMT 1

FAQ –
Q: Was können Sie Logistik und Kosten liefern?
(1) nehmen wir DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF und etc. an.
(2) wenn Sie Ihre eigene Eilzahl haben, ist sie groß.
Wenn nicht, könnten wir Sie unterstützen, um zu liefern. Freight=USD25.0 (das erste Gewicht) + USD12.0/kg

Q: Was ist die Lieferfrist?
(1) für die Standardprodukte wie Balllinse, Powell-Linse und Kollimatorlinse:
Für Inventar: die Lieferung ist 5 Arbeitstage nach Auftrag.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder 3 Arbeitswochen nach Auftrag.
(2) für die aus-Standardprodukte, ist die Lieferung 2 oder 6 Arbeitswochen, nachdem Sie den Auftrag vergeben.

Q: Wie man zahlt?
T/T, Paypal, Westverband, MoneyGram, sichere Zahlung und Handels-Versicherung auf Alibaba und ETC….

Q: Was ist das MOQ?
(1) für Inventar, ist das MOQ 5pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 5pcs-20pcs.
Es hängt von der Quantität und von den Techniken ab

Q: Haben Sie Abnahmeprüfprotokoll für Material?
Wir können Detailbericht für unsere Produkte liefern.

Verpacken – Logistcs
wir betreffen jedes Details des Pakets, die Reinigung, antistatisch, Schocktherapie. Entsprechend der Quantität und der Form des Produktes,

wir nehmen einen anderen Verpackenprozeß!

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Supraleitendes dünnes monokristallines Substrat

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