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2 Stärke Zoll-Gallium-Phosphid-hüllte Kristallsubstrat-Gap-Wafer-0,3 Oberfläche ein
Produktdetails:
| Herkunftsort: | China |
| Markenname: | zmkj |
| Modellnummer: | 2inch |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 5X |
|---|---|
| Preis: | BY CASE |
| Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenkasten |
| Lieferzeit: | 2-4 Wochen |
| Zahlungsbedingungen: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100PCS |
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Detailinformationen |
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| Material: | einzelner Kristall der Reinheit 99,99% | Orientierung: | 111 |
|---|---|---|---|
| Größe: | 2inch | Oberfläche: | eingehüllt |
| Dicke: | 300um | Anwendung: | elektronische und optoelektronische Industrie |
| Wachstumsmethode: | LEC | ||
| Markieren: | Oblatensubstrat,Halbleiterwafer |
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Produkt-Beschreibung
Kristalle Kristallsubstrat, Gap-Wafer des 2-6 Zoll Gallium-Phosphids (Gap)
ZMKJ-Dose liefert Oblate 2inch Gap – Gallium Phosphid, die durch LEC (Flüssigkeit eingekapseltes Czochralski) als epi-bereiter oder mechanischer Grad mit n-Art, p-Art oder dem halb-Isolieren in der unterschiedlichen Orientierung (111) gewachsen werden oder (100).
Galliumphosphid (Gap), ein Phosphid des Galliums, ist ein Verbindungshalbleitermaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2.26eV (300K). Das polykristalline Material hat den Auftritt von blassen orange Stücken. Undoped einzelne Kristallscheiben erscheinen klare Orange, aber stark lackierte Oblaten erscheinen dunkleres wegen der Freifördermaschinenabsorption. Sie ist geruchlos und im Wasser unlöslich. Schwefel oder Tellur werden als Dopante benutzt, um N-Halbleiter zu produzieren. Zink wird als Dopant für den p-artigen Halbleiter benutzt. Galliumphosphid hat Anwendungen in den optischen Systemen. Sein Brechungskoeffizient ist zwischen 4,30 bei 262 Nanometer (UV), 3,45 bei 550 Nanometer (Grün) und 3,19 bei 840 Nanometer (IR).
Gap-Wafer einzelner Kristall der hohen Qualität (Galliumphosphid) zur elektronischen und optoelektronischen Industrie im Durchmesser bis 2 Zoll. Kristall des Galliumphosphids (Gap) ist ein orangegelbes halbdurchscheinendes Material, das durch zwei Elemente gebildet wird, ist Gap-Wafer ein wichtiges Halbleitermaterial, die einzigartige elektrische Eigenschaften da andere III-V Mittelmaterialien haben und weit verbreitet als rote, gelbe und grüne LED (Leuchtdioden) sind. Wir haben wie-geschnittenen einzelner Kristall Gap-Wafer für Ihre LPE-Anwendung und stellen auch epi bereiten Grad Gap-Wafer für Ihre Epitaxial- Anwendung MOCVD u. MBE zur Verfügung. Treten Sie mit uns bitte für mehr Produktinformation in Verbindung.
Elektrische und Dopings-Spezifikation
| Produkt-Name: | Kristallsubstrat des Galliumphosphids (Gap) | ||||||||||||||||||||||
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Technische Parameter:
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| Spezifikationen: |
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| StandardPacking | saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken | ||||||||||||||||||||||
| Dopant verfügbar | S / Zn/Cr/Undoped |
|---|---|
| Art der Leitfähigkeit | N / P, Halbleiter-/Halb-isolierend |
| Konzentration | 1E17 - 2E18 cm-3 |
| Mobilität | > 100 cm2/v.s. |
Produktbeschreibung
| Wachstum | LEC |
|---|---|
| Durchmesser | Ø 2" |
| Stärke | 300um |
| Orientierung | <100> / <111> / <110> oder andere |
| Weg von der Orientierung | Weg von 2° zu 10° |
| Oberfläche | Eine Seite poliert oder zwei Seiten poliert oder eingehüllt |
| Flache Wahlen | EJ oder HALB. Std. |
| TTV | <> |
| EPD | <> |
| Grad | Epi polierte Grad/mechanischen Grad |
| Paket | Einzelner Oblatenbehälter |
Beispielbilder
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FAQ:
Q: Was ist die Lieferfrist?
A: (1) für die Standardprodukte
Für Inventar: die Lieferung ist, 5 Arbeitstage nachdem Sie den Auftrag vergeben.
Für kundengebundene Produkte: die Lieferung ist 2 oder, 3 Wochen nachdem Sie den Auftrag vergeben.
(2) für die speziell-förmigen Produkte, ist die Lieferung 4 Arbeitswochen, nachdem Sie den Auftrag vergeben.
Q: Was ist Ihr MOQ?
A: (1) für Inventar, ist das MOQ 3pcs.
(2) für kundengebundene Produkte, ist das MOQ 10-20pcs oben.