Industrielles F.E. des Halbleiter-Substrat-S Zn lackierte InP-Indium-Phosphid-einzelne Kristallscheibe
Produktdetails:
Herkunftsort: | China |
Markenname: | zmkj |
Modellnummer: | inp 2-4inch |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 3pcs |
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Preis: | by case |
Verpackung Informationen: | einzelner Oblatenkasten |
Lieferzeit: | 2-4 Wochen |
Zahlungsbedingungen: | Western Union, T/T, MoneyGram |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100PCS |
Detailinformationen |
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Material: | Einzelne Kristallscheibe InP | Größe: | 2inch/3inch/4inch |
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Art: | N/P | Vorteil: | hohe elektronische Grenzantriebgeschwindigkeit, guter Strahlungswiderstand und gute Wärmeleitfähigke |
lackiert: | Fe/s/zn/undoped | apsplications: | für Festkörperbeleuchtung Mikrowellenkommunikation, Glasfaserkommunikation, |
Hervorheben: | gasb Substrat,Oblatensubstrat |
Produkt-Beschreibung
2inch/3inch/4inch S/Fe/Zn lackierte InP-Indium-Phosphid einzelnen Crystal Wafer
Indiumphosphid (InP) ist ein wichtiges Verbindungshalbleitermaterial mit den Vorteilen der hohen elektronischen Grenzantriebgeschwindigkeit, des guten Strahlungswiderstands und der guten Wärmeleitfähigkeit. Passend für Herstellungshochfrequenz, hohe Geschwindigkeit, Mikrowellengeräte der hohen Leistung und integrierte Schaltungen. Sie ist auf Festkörperbeleuchtung, Mikrowellenkommunikation, Glasfaserkommunikation, Solarzellen, Anleitung/Navigation, Satelliten und anderen Gebieten von Zivil- und Militäranwendungen weitverbreitet.
zmkj Dose bietet InP-Oblate – Indium-Phosphid an, die durch LEC (flüssiges eingekapseltes Czochralski) oder VGF (vertikaler Steigungs-Frost) als epi-bereiter oder mechanischer Grad mit n-Art, p-Art oder dem halb-Isolieren in der unterschiedlichen Orientierung (111) gewachsen werden oder (100).
Indiumphosphid (InP) ist ein binärer Halbleiter, der aus Indium und Phosphor besteht. Es hat eine flächenzentrierte Kubik („Zinkblende ") Kristallstruktur, die zu der von GaAs und zu die meisten III-V Halbleiter identisch ist. Indiumphosphid kann aus der Reaktion des Jodids des weißen Phosphors und des Indiums [die Erklärung benötigt worden] bei 400 °C., [5] durch direkte Kombination der gereinigten Elemente mit hoher Temperatur und Druck oder durch thermische Aufspaltung einer Mischung eines trialkyl Indiummittels und -phosphids auch vorbereitet werden. InP wird in der starken und Hochfrequenzelektronik [das Zitat benötigt] wegen seiner überlegenen Elektronengeschwindigkeit in Bezug auf die allgemeineren Halbleiter Silikon und Galliumarsenid benutzt.
InP-Oblatenverarbeitung | |
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Jeder Barren wird in Oblaten, die eingehüllt werden, poliert und in die Oberfläche, die für Epitaxie vorbereitet wird geschnitten. Der Gesamtprozeß wird nachstehend einzeln aufgeführt. | |
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Flache Spezifikation und Identifizierung | Die Orientierung wird auf den Oblaten durch zwei Ebenen angezeigt (lang flach für Orientierung, kleine Ebene für Identifizierung). Normalerweise wird der E.J.-Standard (europäisch-japanisch) verwendet. Die abwechselnde flache Konfiguration (US) wird größtenteils für Ø 4" Oblaten verwendet. |
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Orientierung des Boule | Entweder genaue (100) oder misoriented Oblaten werden angeboten. |
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Genauigkeit der Orientierung von | In Erwiderung auf den Bedarf der optoelektronischen Industrie, wir Angebotoblaten mit ausgezeichneter Genauigkeit von der Orientierung: < 0=""> |
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Randprofil | Es gibt zwei allgemeine Spezifikt.: chemischer verarbeitender oder mechanisches Randverarbeitender Rand (mit einem Randschleifer). |
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Polnisch | Oblaten werden mittels eines Chemikalie-mechanischen Prozesses mit dem Ergebnis einer flachen, Schaden-freien Oberfläche poliert. wir stellen beide doppel-seitigen Polier- und Simplex polierten (mit eingehüllter und geätzter Rückseite) Oblaten zur Verfügung. |
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Abschließendes Vorbereiten der Oberfläche und Verpacken | Oblaten laufen viele chemischen Schritte, das Oxid zu entfernen durch, das während des Polierens und eine saubere Oberfläche mit stabiler und einheitlicher Oxidschicht zu schaffen produziert wird, die zur Epitaxie - epiready Oberfläche und die verringert Spurenelemente auf extrem - niedrige Stände bereit ist. Nach Endprüfung werden die Oblaten auf eine Art verpackt, die die Oberflächensauberkeit beibehält. Spezifische Anweisungen für Oxidabbau sind für alle Arten Epitaxial- Technologien (MOCVD, MBE) verfügbar. |
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Datenbank | Als Teil unseres statistischen prozesskontrollierten/des umfassenden Qualitätsmanagements Programms sind die umfangreiche Datenbank, welche die elektrischen und mechanischen Eigenschaften für jeden Barren sowie Kristallqualitäts- und Oberflächenanalyse von Oblaten notiert, verfügbar. An jedem Verarbeitungsgrad, wird das Produkt kontrolliert, bevor man zum folgenden Stadium, zum einer hohen Stufe der Qualitätsübereinstimmung von Oblate zu Oblate und von Boule zu Boule beizubehalten überschreitet. |
pecification s für 2-4inch
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